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41. 发明专利

TW201330954A 接合材料及使用其之接合方法审中-公开
公开(公告)号：TW201330954A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101103006
申请日：2012-01-31
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 栗田哲 , KURITA, SATORU , 永岡實奈美 , NAGAOKA, MINAMI
IPC分类号： B22F1/02 , B23K35/22 , H05K3/34
CPC分类号： B23K35/365 , B22F1/0014 , B22F1/0018 , B22F1/0062 , B22F3/1021 , B23K1/203 , B23K35/3006
摘要：本發明之目的在於，藉由降低預乾燥步驟的脫溶劑過程在接合層面內產生的中央處與端部之乾燥不均情形，俾在經接合後即便曝露於重複熱衝擊，接合面仍不會剝離，可施行高可靠度的接合。達成上述課題的本發明接合材料係含有：作為主銀粒子，由碳數6以下的有機物所被覆，且平均一次粒徑為10~30nm的奈米銀粒子；作為副銀粒子，由碳數6以下的有機物所被覆，且平均一次粒徑為100~200nm的奈米銀粒子；沸點不同的2種溶劑；以及分散劑。
简体摘要：本发明之目的在于，借由降低预干燥步骤的脱溶剂过程在接合层面内产生的中央处与端部之干燥不均情形，俾在经接合后即便曝露于重复热冲击，接合面仍不会剥离，可施行高可靠度的接合。达成上述课题的本发明接合材料系含有：作为主银粒子，由碳数6以下的有机物所被覆，且平均一次粒径为10~30nm的奈米银粒子；作为副银粒子，由碳数6以下的有机物所被覆，且平均一次粒径为100~200nm的奈米银粒子；沸点不同的2种溶剂；以及分散剂。

42. 发明专利

TW201320390A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201320390A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101141698
申请日：2012-11-09
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：豊田達憲 , TOYOTA, TATSUNORI
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2933/0091
摘要：本發明提供一種兼顧接觸部之光吸收之抑制、及電極與半導體層之良好之歐姆接觸，可在不太使順向電壓上升下提高發光輸出之發出紫外光之半導體發光元件及其製造方法。本發明之半導體發光元件100，其特徵在於，具有：半導體積層體106，依序包含第1傳導型半導體層105、發光層104、以及第2傳導型半導體層103；接觸部109，於第1傳導型半導體層105上積層接觸層107及歐姆電極層108而成；第1電極113，與歐姆電極層108接觸，且與第1傳導型半導體層105電性連接；以及第2電極112，電性連接於第2傳導型半導體層103；且於接觸部109中具有露出第1傳導型半導體層105之複數個島狀之開口部111。
简体摘要：本发明提供一种兼顾接触部之光吸收之抑制、及电极与半导体层之良好之欧姆接触，可在不太使顺向电压上升下提高发光输出之发出紫外光之半导体发光组件及其制造方法。本发明之半导体发光组件100，其特征在于，具有：半导体积层体106，依序包含第1传导型半导体层105、发光层104、以及第2传导型半导体层103；接触部109，于第1传导型半导体层105上积层接触层107及欧姆电极层108而成；第1电极113，与欧姆电极层108接触，且与第1传导型半导体层105电性连接；以及第2电极112，电性连接于第2传导型半导体层103；且于接触部109中具有露出第1传导型半导体层105之复数个岛状之开口部111。

43. 发明专利

TW201311375A 導電性糊用銅粉及其製造方法审中-公开
简体标题：导电性煳用铜粉及其制造方法
公开(公告)号：TW201311375A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101103865
申请日：2012-02-07
申请人：同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：金城優樹 , KANESHIRO, YUKI , 末永真一 , SUENAGA, SHINICHI , 藤田英史 , FUJITA, HIDEFUMI , 岸田實 , KISHIDA, MINORU
IPC分类号： B22F1/00 , B22F9/24 , H01B1/02
摘要：本發明係提供一種導電性糊用銅粉及能夠安定地製造此種導電性糊用銅粉之方法，該導電性糊用銅粉係單分散之微粒子且粒度分布尖銳、而且不含粗粒之球狀的銅微粒子，並且在避免對電特性造成不良影響之同時，還能夠使電極薄膜化。本發明之製造方法係在含銅的水溶液，邊吹入空氣邊添加錯合劑而使銅錯合化之後，停止吹入空氣並且添加還原劑而使銅粒子還原析出。
简体摘要：本发明系提供一种导电性煳用铜粉及能够安定地制造此种导电性煳用铜粉之方法，该导电性煳用铜粉系单分散之微粒子且粒度分布尖锐、而且不含粗粒之球状的铜微粒子，并且在避免对电特性造成不良影响之同时，还能够使电极薄膜化。本发明之制造方法系在含铜的水溶液，边吹入空气边添加错合剂而使铜错合化之后，停止吹入空气并且添加还原剂而使铜粒子还原析出。

44. 发明专利

TW200938316A 與極性媒體之親和性優異之銀微細粉及銀印墨 SILVER MICRO POWDER HAVING EXCELLENT AFFINITY WITH POLAR MEDIUM AND SILVER INK 审中-公开
简体标题：与极性媒体之亲和性优异之银微细粉及银印墨 SILVER MICRO POWDER HAVING EXCELLENT AFFINITY WITH POLAR MEDIUM AND SILVER INK
公开(公告)号：TW200938316A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW098100147
申请日：2009-01-06
申请人：同和電子科技有限公司 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：佐藤王高 SATO, KIMITAKA , 佐佐木信也 SASAKI, SHINYA , 中野谷太郎 NAKANOYA, TARO
IPC分类号： B22F , H01B
CPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0018 , B22F1/0022 , B22F1/0044 , B22F1/0062 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , C09D11/52 , H01B1/22 , Y10T428/2991 , B22F1/0059 , B22F2301/255 , B22F2304/054
摘要：本發明提供一種銀奈米粒子,此銀奈米粒子對雖然分子量較小,卻有比較高的沸點,並呈現低黏度及低表面張力而刺激臭少之有機溶劑的��-丁內酯(C4H6O2)有良好之親和性(即分散性)。上述課題係由本發明之銀微細粉而達成。其中,該銀微細粉係使表面吸附著1,4-二羥基-2-酸(1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid;C11H8O4)、沒食子酸(gallic acid;C7H6O5)中之1種以上而成之由X射線結晶粒徑為Dx:1至40nm(較佳是1至15nm)之銀粒子所構成,且至少與��-丁內酯之親和性優異者。同時,本發明提供一種銀印墨,其係將具有羧基之有機化合物吸附在表面而成之X射線結晶粒徑Dx為1至40nm【【較佳是1至15 nm(依經TEM觀察而測得之平均粒徑DTEM所見,DTEM為3nm至40nm,較佳是4 nm至15 nm)】】之銀粒子分散在��-丁內酯中者。
简体摘要：本发明提供一种银奈米粒子,此银奈米粒子对虽然分子量较小,却有比较高的沸点,并呈现低黏度及低表面张力而刺激臭少之有机溶剂的��-丁内酯(C4H6O2)有良好之亲和性(即分散性)。上述课题系由本发明之银微细粉而达成。其中,该银微细粉系使表面吸附着1,4-二羟基-2-酸(1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid;C11H8O4)、没食子酸(gallic acid;C7H6O5)中之1种以上而成之由X射线结晶粒径为Dx:1至40nm(较佳是1至15nm)之银粒子所构成,且至少与��-丁内酯之亲和性优异者。同时,本发明提供一种银印墨,其系将具有羧基之有机化合物吸附在表面而成之X射线结晶粒径Dx为1至40nm【【较佳是1至15 nm(依经TEM观察而测得之平均粒径DTEM所见,DTEM为3nm至40nm,较佳是4 nm至15 nm)】】之银粒子分散在��-丁内酯中者。

45. 发明专利

TW200729240A 銀導電膜及其製造法 SILVER ELECTROCONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 审中-公开
简体标题：银导电膜及其制造法 SILVER ELECTROCONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW200729240A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW096100776
申请日：2007-01-09
申请人：同和電子科技有限公司 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：佐藤王高 SATOH, KIMITAKA , 久枝穰 HISAEDA, YUTAKA , 岡野卓 OKANO, TAKU , 尾木孝造 OGI, KOZO
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01L31/022425 , C23C18/08 , H01L31/0392 , Y02E10/50 , Y10T428/24413
摘要：本發明係提供一種可在非真空環境下且未達300℃的低溫進行大面積製膜,具備有適合做為薄膜型太陽電池之背面電極側的反射膜的紋樣構造,低電阻且與基板之密著性良好的導電薄膜。一種銀導電膜,係形成於基板上的銀的薄膜,由平均粒徑為DTEM100nm以下之銀粒子所燒結的層所構成,具備有電阻率為5��‧Cm以下,燒結層中的空孔比例為3個/��m^2以下,且表面粗度Ra為10至100nm的紋樣構造。具有上述紋樣構造的銀導電膜,可利用具有:將平均粒徑DTEM;100nm以下的銀粒子分散於沸點60至300℃之非極性或極性小的液狀有機媒體的銀粒子分散液塗布於基板上而形成塗膜,然後,將前述塗膜燒成以形成燒成膜的步驟的製造製程來製造。
简体摘要：本发明系提供一种可在非真空环境下且未达300℃的低温进行大面积制膜,具备有适合做为薄膜型太阳电池之背面电极侧的反射膜的纹样构造,低电阻且与基板之密着性良好的导电薄膜。一种银导电膜,系形成于基板上的银的薄膜,由平均粒径为DTEM100nm以下之银粒子所烧结的层所构成,具备有电阻率为5��‧Cm以下,烧结层中的空孔比例为3个/��m^2以下,且表面粗度Ra为10至100nm的纹样构造。具有上述纹样构造的银导电膜,可利用具有:将平均粒径DTEM;100nm以下的银粒子分散于沸点60至300℃之非极性或极性小的液状有机媒体的银粒子分散液涂布于基板上而形成涂膜,然后,将前述涂膜烧成以形成烧成膜的步骤的制造制程来制造。

46. 发明专利

TW202023066A III族氮化物半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题： III族氮化物半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW202023066A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108145849
申请日：2019-12-13
申请人：日商同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：渡邉康弘 , WATANABE, YASUHIRO
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/14 , H01L33/06 , H01L21/20
摘要：本發明提供一種兼具高發光輸出及優異的可靠性的III族氮化物半導體發光元件及其製造方法。根據本發明的III族氮化物半導體發光元件於基板上依次具備n型半導體層、發光層、p型AlGaN電子阻擋層、p型接觸層及p側反射電極，來自所述發光層的發光的發光中心波長為250 nm以上且330 nm以下，所述p型AlGaN電子阻擋層的Al組成比為0.40以上且0.80以下，所述p型接觸層的膜厚為10 nm以上且50 nm以下，且所述p型接觸層具有Al組成比為0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接觸層。
简体摘要：本发明提供一种兼具高发光输出及优异的可靠性的III族氮化物半导体发光组件及其制造方法。根据本发明的III族氮化物半导体发光组件于基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型接触层及p侧反射电极，来自所述发光层的发光的发光中心波长为250 nm以上且330 nm以下，所述p型AlGaN电子阻挡层的Al组成比为0.40以上且0.80以下，所述p型接触层的膜厚为10 nm以上且50 nm以下，且所述p型接触层具有Al组成比为0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接触层。

47. 发明专利

TWI689604B 含磷銅粉及其製造方法有权
简体标题：含磷铜粉及其制造方法
公开(公告)号：TWI689604B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105127249
申请日：2016-08-25
申请人：日商同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：井上健一 , INOUE, KENICHI , 江原厚志 , EBARA, ATSUSHI , 吉田昌弘 , YOSHIDA, MASAHIRO , 增田恭三 , MASUDA, KYOSO , 山田雄大 , YAMADA, TAKAHIRO , 內山真一 , UCHIYAMA, SHINICHI
IPC分类号： C22C9/00 , B22F9/08 , H01B1/02 , H01L21/60 , H01L23/498

48. 发明专利

TW202003726A 銀奈米線印墨及透明導電膜的製造方法以及透明導電膜审中-公开
简体标题：银奈米线印墨及透明导电膜的制造方法以及透明导电膜
公开(公告)号：TW202003726A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118565
申请日：2019-05-29
申请人：日商同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：佐藤王高 , SATO, KIMITAKA , 栗田哲 , KURITA, SATORU
IPC分类号： C09D11/52 , B22F9/24 , H01B1/22
摘要：本發明之課題係實現一種與主成分為丙烯酸樹脂的樹脂之接合力較高的銀奈米線導電膜。上述課題係藉由一種銀奈米線印墨而達成，該銀奈米線印墨係在水系溶劑中具備具有甲氧基及羥丙氧基之水溶性纖維素醚、以及銀奈米線，且在前述水溶性纖維素醚中甲氧基所佔的質量比率與羥丙氧基的質量比率的合計為大於35.0質量%。透明導電膜係能夠經過下述步驟而製造：將上述銀奈米線塗佈在表面由主成分為丙烯酸樹脂的樹脂所構成的材料的該樹脂表面上。
简体摘要：本发明之课题系实现一种与主成分为丙烯酸树脂的树脂之接合力较高的银奈米线导电膜。上述课题系借由一种银奈米线印墨而达成，该银奈米线印墨系在水系溶剂中具备具有甲氧基及羟丙氧基之水溶性纤维素醚、以及银奈米线，且在前述水溶性纤维素醚中甲氧基所占的质量比率与羟丙氧基的质量比率的合计为大于35.0质量%。透明导电膜系能够经过下述步骤而制造：将上述银奈米线涂布在表面由主成分为丙烯酸树脂的树脂所构成的材料的该树脂表面上。

49. 发明专利

TWI670730B 接合材及使用其之接合方法有权
公开(公告)号：TWI670730B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104117985
申请日：2015-06-03
申请人：日商同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：栗田哲 , KURITA, SATORU , 樋之津崇 , HINOTSU, TAKASHI , 遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 三好宏昌 , MIYOSHI, HIROMASA
IPC分类号： H01B1/22 , B22F1/02 , B23K35/26 , B23K35/02 , H05K3/32 , H01L21/52

50. 发明专利

TWI668707B 覆銀銅粉及其製造方法有权
简体标题：覆银铜粉及其制造方法
公开(公告)号：TWI668707B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104127922
申请日：2015-08-26
申请人：日商同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：野上德昭 , NOGAMI, NORIAKI , 神賀洋 , KAMIGA, HIROSHI
IPC分类号： H01B1/22 , B22F1/02 , H01L31/0224 , H01L31/04

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