专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

3. 发明专利

TW201330954A 接合材料及使用其之接合方法审中-公开
公开(公告)号：TW201330954A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101103006
申请日：2012-01-31
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 栗田哲 , KURITA, SATORU , 永岡實奈美 , NAGAOKA, MINAMI
IPC分类号： B22F1/02 , B23K35/22 , H05K3/34
CPC分类号： B23K35/365 , B22F1/0014 , B22F1/0018 , B22F1/0062 , B22F3/1021 , B23K1/203 , B23K35/3006
摘要：本發明之目的在於，藉由降低預乾燥步驟的脫溶劑過程在接合層面內產生的中央處與端部之乾燥不均情形，俾在經接合後即便曝露於重複熱衝擊，接合面仍不會剝離，可施行高可靠度的接合。達成上述課題的本發明接合材料係含有：作為主銀粒子，由碳數6以下的有機物所被覆，且平均一次粒徑為10~30nm的奈米銀粒子；作為副銀粒子，由碳數6以下的有機物所被覆，且平均一次粒徑為100~200nm的奈米銀粒子；沸點不同的2種溶劑；以及分散劑。
简体摘要：本发明之目的在于，借由降低预干燥步骤的脱溶剂过程在接合层面内产生的中央处与端部之干燥不均情形，俾在经接合后即便曝露于重复热冲击，接合面仍不会剥离，可施行高可靠度的接合。达成上述课题的本发明接合材料系含有：作为主银粒子，由碳数6以下的有机物所被覆，且平均一次粒径为10~30nm的奈米银粒子；作为副银粒子，由碳数6以下的有机物所被覆，且平均一次粒径为100~200nm的奈米银粒子；沸点不同的2种溶剂；以及分散剂。

4. 发明专利

TW201833247A 接合材料及使用其之接合方法审中-公开
公开(公告)号：TW201833247A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106146247
申请日：2017-12-28
申请人：日商同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：藤本英幸 , FUJIMOTO, HIDEYUKI , 遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 堀達朗 , HORI, TATSURO , 栗田哲 , KURITA, SATORU
IPC分类号： C09D1/00 , B22F9/24 , B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/26 , B23K35/365 , H05K3/34 , H01L21/60
摘要：本發明目的在於提供：分散性與接合性均良好的接合材料及使用其之接合方法。本發明係提供含有：平均初級粒徑130nm以下的銀微粒子、以及將銀微粒子間予以交聯且保持上述銀微粒子彼此間之間隔的交聯型粒子間距保持劑；之接合材料及使用其之接合方法。
简体摘要：本发明目的在于提供：分散性与接合性均良好的接合材料及使用其之接合方法。本发明系提供含有：平均初级粒径130nm以下的银微粒子、以及将银微粒子间予以交联且保持上述银微粒子彼此间之间隔的交联型粒子间距保持剂；之接合材料及使用其之接合方法。

5. 发明专利

TW201501135A 金屬奈米粒子分散體，金屬奈米粒子分散體之製造方法及接合方法审中-公开
简体标题：金属奈米粒子分散体，金属奈米粒子分散体之制造方法及接合方法
公开(公告)号：TW201501135A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103115127
申请日：2014-04-25
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 三好宏昌 , MIYOSHI, HIROMASA , 樋之津崇 , HINOTSU, TAKASHI , 栗田哲 , KURITA, SATORU , 河野佳子 , KOHNO, YOSHIKO
IPC分类号： H01B1/02 , B22F1/02 , B22F9/00 , B82Y30/00 , B23K1/00 , B23K35/22 , B23K35/26 , B23K35/02 , H05K3/34 , H01L21/60 , H01R43/02
CPC分类号： B23K35/025 , B22F1/0022 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B23K1/00 , B23K35/3006
摘要：本發明所提供的金屬奈米粒子分散體，係可進行低溫(例如200℃以下)接合，且接合部的機械特性及電氣特性均良好。本發明的金屬奈米粒子分散體具備有：金屬奈米粒子，係利用碳原子數達8以上的胺A，被覆著表面至少其中一部分；以及分散媒，係用以分散金屬奈米粒子；其中，分散媒係含有碳原子數在7以下的一級、二級或三級胺、且直鏈烷基胺或烷醇胺的胺B。
简体摘要：本发明所提供的金属奈米粒子分散体，系可进行低温(例如200℃以下)接合，且接合部的机械特性及电气特性均良好。本发明的金属奈米粒子分散体具备有：金属奈米粒子，系利用碳原子数达8以上的胺A，被覆着表面至少其中一部分；以及分散媒，系用以分散金属奈米粒子；其中，分散媒系含有碳原子数在7以下的一级、二级或三级胺、且直链烷基胺或烷醇胺的胺B。

6. 发明专利

TWI566859B 接合材料及使用其之接合方法有权
公开(公告)号：TWI566859B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW101103006
申请日：2012-01-31
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 栗田哲 , KURITA, SATORU , 永岡實奈美 , NAGAOKA, MINAMI
IPC分类号： B22F1/02 , B23K35/22 , H05K3/34
CPC分类号： B23K35/365 , B22F1/0014 , B22F1/0018 , B22F1/0062 , B22F3/1021 , B23K1/203 , B23K35/3006

7. 发明专利

TWI564913B 金屬奈米粒子分散體，金屬奈米粒子分散體之製造方法及接合方法有权
简体标题：金属奈米粒子分散体，金属奈米粒子分散体之制造方法及接合方法
公开(公告)号：TWI564913B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW103115127
申请日：2014-04-25
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 三好宏昌 , MIYOSHI, HIROMASA , 樋之津崇 , HINOTSU, TAKASHI , 栗田哲 , KURITA, SATORU , 河野佳子 , KOHNO, YOSHIKO
IPC分类号： H01B1/02 , B22F1/02 , B22F9/00 , B82Y30/00 , B23K1/00 , B23K35/22 , B23K35/26 , B23K35/02 , H05K3/34 , H01L21/60 , H01R43/02
CPC分类号： B23K35/025 , B22F1/0022 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B23K1/00 , B23K35/3006

8. 发明专利

TW201830411A 接合材料及使用其之接合方法审中-公开
公开(公告)号：TW201830411A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106133399
申请日：2017-09-28
申请人：日商同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 金杉實奈美 , KANASUGI, MINAMI , 藤本英幸 , FUJIMOTO, HIDEYUKI , 栗田哲 , KURITA, SATORU
IPC分类号： H01B1/22 , B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/00 , B23K35/22 , H01L21/52 , H05K3/32
摘要：本發明之目的在提供一種接合材料及使用其之接合方法，前述接合材料可輕易地印刷於銅基板等金屬基板，且在將Si晶片接合於金屬基板時，即使未進行預焙燒，仍可防止在金屬接合層內或是金屬接合層與Si晶片或銅基板之界面產生空隙，可良好地接合。該目的可依下述來達成：一種接合材料，係由含有金屬粒子、溶劑及分散劑之金屬糊所構成，其中，金屬粒子是由平均一次粒徑1~40nm之第1金屬粒子(小粒子)、平均一次粒徑41~110nm之第2金屬粒子(中粒子)及平均一次粒徑120nm~10μm之第3金屬粒子(大粒子)所構成，相對於金屬粒子之合計100質量%，將第1金屬粒子設為1.4~49質量%之比率、將第2金屬粒子設為36質量%以下之比率、將第3金屬粒子設為50~95質量%之比率，且將第1金屬粒子之質量相對於第2金屬粒子之質量之比設為14/36以上。
简体摘要：本发明之目的在提供一种接合材料及使用其之接合方法，前述接合材料可轻易地印刷于铜基板等金属基板，且在将Si芯片接合于金属基板时，即使未进行预焙烧，仍可防止在金属接合层内或是金属接合层与Si芯片或铜基板之界面产生空隙，可良好地接合。该目的可依下述来达成：一种接合材料，系由含有金属粒子、溶剂及分散剂之金属煳所构成，其中，金属粒子是由平均一次粒径1~40nm之第1金属粒子(小粒子)、平均一次粒径41~110nm之第2金属粒子(中粒子)及平均一次粒径120nm~10μm之第3金属粒子(大粒子)所构成，相对于金属粒子之合计100质量%，将第1金属粒子设为1.4~49质量%之比率、将第2金属粒子设为36质量%以下之比率、将第3金属粒子设为50~95质量%之比率，且将第1金属粒子之质量相对于第2金属粒子之质量之比设为14/36以上。

9. 发明专利

TW201807715A 接合材及使用其之接合方法审中-公开
公开(公告)号：TW201807715A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106113939
申请日：2017-04-26
申请人：同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：栗田哲 , KURITA, SATORU , 堀達朗 , HORI, TATSURO , 遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 三好宏昌 , MIYOSHI, HIROMASA
IPC分类号： H01B1/22 , B23K20/00 , H01L21/52 , H05K3/32
摘要：本發明提供一種即使增厚塗布膜仍可防止形成塗布膜時夾雜氣泡從而防止銀接合層產生孔隙的接合材及使用其之接合方法。前述接合材係由包含銀微粒子、溶劑及添加劑之銀糊所構成，其中溶劑包含由辛二醇等二元醇構成之第1溶劑及由表面張力較該第1溶劑低之極性溶劑構成的第2溶劑(以選自於由二丁基二甘醇、己基二甘醇、癸醇及十二醇所構成群組中之1種以上為佳)，且添加劑為三元醇。
简体摘要：本发明提供一种即使增厚涂布膜仍可防止形成涂布膜时夹杂气泡从而防止银接合层产生孔隙的接合材及使用其之接合方法。前述接合材系由包含银微粒子、溶剂及添加剂之银煳所构成，其中溶剂包含由辛二醇等二元醇构成之第1溶剂及由表面张力较该第1溶剂低之极性溶剂构成的第2溶剂(以选自于由二丁基二甘醇、己基二甘醇、癸醇及十二醇所构成群组中之1种以上为佳)，且添加剂为三元醇。

10. 发明专利

TWI670730B 接合材及使用其之接合方法有权
公开(公告)号：TWI670730B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104117985
申请日：2015-06-03
申请人：日商同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：栗田哲 , KURITA, SATORU , 樋之津崇 , HINOTSU, TAKASHI , 遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 三好宏昌 , MIYOSHI, HIROMASA
IPC分类号： H01B1/22 , B22F1/02 , B23K35/26 , B23K35/02 , H05K3/32 , H01L21/52

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式