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1. 发明专利

TWI528589B Ⅲ族氮化物半導體元件及其製造方法有权
简体标题： Ⅲ族氮化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI528589B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW101147404
申请日：2012-12-14
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：門脅嘉孝 , KADOWAKI, YOSHITAKA , 豊田達憲 , TOYOTA, TATSUNORI
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/28 , H01L21/30617 , H01L21/30621 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/452 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40

2. 发明专利

TWI506816B 半導體元件與半導體元件之製造方法有权
简体标题：半导体组件与半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI506816B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100126333
申请日：2011-07-26
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：門脇嘉孝 , KADOWAKI, YOSHITAKA , 豊田達憲 , TOYOTA, TATSUNORI
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01L33/0079 , B82Y20/00 , H01L2924/0002 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/34333 , H01L2924/00

3. 发明专利

TWI543402B 發光元件、發光元件及半導體元件之製造方法有权
简体标题：发光组件、发光组件及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI543402B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW101101213
申请日：2012-01-12
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：門脇嘉孝 , KADOWAKI, YOSHITAKA , 豊田達憲 , TOYOTA, TATSUNORI
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/46 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S2301/176

4. 发明专利

TW201320390A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201320390A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101141698
申请日：2012-11-09
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：豊田達憲 , TOYOTA, TATSUNORI
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2933/0091
摘要：本發明提供一種兼顧接觸部之光吸收之抑制、及電極與半導體層之良好之歐姆接觸，可在不太使順向電壓上升下提高發光輸出之發出紫外光之半導體發光元件及其製造方法。本發明之半導體發光元件100，其特徵在於，具有：半導體積層體106，依序包含第1傳導型半導體層105、發光層104、以及第2傳導型半導體層103；接觸部109，於第1傳導型半導體層105上積層接觸層107及歐姆電極層108而成；第1電極113，與歐姆電極層108接觸，且與第1傳導型半導體層105電性連接；以及第2電極112，電性連接於第2傳導型半導體層103；且於接觸部109中具有露出第1傳導型半導體層105之複數個島狀之開口部111。
简体摘要：本发明提供一种兼顾接触部之光吸收之抑制、及电极与半导体层之良好之欧姆接触，可在不太使顺向电压上升下提高发光输出之发出紫外光之半导体发光组件及其制造方法。本发明之半导体发光组件100，其特征在于，具有：半导体积层体106，依序包含第1传导型半导体层105、发光层104、以及第2传导型半导体层103；接触部109，于第1传导型半导体层105上积层接触层107及欧姆电极层108而成；第1电极113，与欧姆电极层108接触，且与第1传导型半导体层105电性连接；以及第2电极112，电性连接于第2传导型半导体层103；且于接触部109中具有露出第1传导型半导体层105之复数个岛状之开口部111。

5. 发明专利

TWI544656B 半導體發光元件及其製造方法有权
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI544656B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW101141698
申请日：2012-11-09
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：豊田達憲 , TOYOTA, TATSUNORI
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2933/0091

6. 发明专利

TWI479541B ＩＩＩ族氮化物半導體成長用基板、ＩＩＩ族氮化物半導體磊晶基板、ＩＩＩ族氮化物半導體元件及ＩＩＩ族氮化物半導體自撐基板、及該等之製造方法有权
简体标题：ＩＩＩ族氮化物半导体成长用基板、ＩＩＩ族氮化物半导体磊晶基板、ＩＩＩ族氮化物半导体组件及ＩＩＩ族氮化物半导体自撑基板、及该等之制造方法
公开(公告)号：TWI479541B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW099109069
申请日：2010-03-26
申请人：同和控股股份有限公司 , DOWA HOLDINGS CO., LTD. , 同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：鳥羽隆一 , TOBA, RYUICHI , 宮下雅仁 , MIYASHITA, MASAHITO , 豊田達憲 , TOYOTA, TATSUNORI , 門脇嘉孝 , KADOWAKI, YOSHITAKA
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： H01L21/02365 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02664

7. 发明专利

TW201330324A Ⅲ族氮化物半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题： Ⅲ族氮化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201330324A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101147404
申请日：2012-12-14
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：門脅嘉孝 , KADOWAKI, YOSHITAKA , 豊田達憲 , TOYOTA, TATSUNORI
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/28 , H01L21/30617 , H01L21/30621 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/452 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40
摘要：本發明提供一種III族氮化物半導體元件，其可實現III族氮化物半導體層之(000-1)面側與電極之良好之歐姆接觸，且能夠以更低電壓動作。本發明之III族氮化物半導體元件100之特徵在於：於III族氮化物半導體層110之(000-1)面側之特定區域120具有複數個凸部124，該凸部124具有圓頂(dome)型形狀之圓，且於該特定區域120之上表面具有電極128。
简体摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体组件，其可实现III族氮化物半导体层之(000-1)面侧与电极之良好之欧姆接触，且能够以更低电压动作。本发明之III族氮化物半导体组件100之特征在于：于III族氮化物半导体层110之(000-1)面侧之特定区域120具有复数个凸部124，该凸部124具有圆顶(dome)型形状之圆，且于该特定区域120之上表面具有电极128。

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