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41. 发明申请

WO2009155897A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES UND EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2009155897A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009/000810
申请日：2009-06-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz
发明人： RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2224/48
摘要： Bei einem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes wird ein Aufwachssubstrat (10) mit einem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten bereitgestellt. Auf diesen wird eine mehrlagige Bufferschichtenfolge (11) aufgebracht. Anschließend wird eine Schichtenfolge (2) epitaktisch abgeschieden, die einen zu dem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten unterschiedlichen zweiten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist. Weiterhin umfasst sie eine zur Emission elektromagnetischer Strahlung aktive Schicht. Anschließend wird ein Trägersubstrat (15) auf der epitaktisch abgeschiedenen Schichtenfolge (2) aufgebracht. Das Aufwachssubstrat (10) wird entfernt und die mehrlagige Bufferschichtenfolge (11) zur Erhöhung einer Auskopplung elektromagnetischer Strahlung strukturiert (17). Schließlich wird die epitaktisch abgeschiedene Schichtenfolge (2) kontaktiert.
摘要翻译：在用于制造光电子器件的方法，在生长衬底（10）上设置有第一热膨胀系数。在这些中，多层缓冲层序列（11）被施加。随后，层序列（2）的外延沉积，其具有不同的热膨胀系数与第一第二热膨胀系数。此外，它包括一个有源电磁辐射发射层。接着，在该外延沉积层序列（2）的载体基片（15）被施加。在生长衬底（10）被去除并用于增加耦合输出的电磁辐射的多层缓冲层序列（11），被构造（17）。最后，外延沉积的层序列（2）接触。

42. 发明申请

WO2009106069A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009106069A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000281
申请日：2009-02-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
发明人： ENGL, Karl , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper umfasst eine im Wesentlichen flächige Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer ersten und einer zweiten Hauptseite, die eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (22, 22') aufweist. Weiterhin umfasst der Halbleiterkörper zumindestens einen die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge durchtrennenden Graben zur Unterteilung der aktiven Schicht der Halbleiterschichtenfolge in wenigstens zwei elektrisch isolierte aktive Teilschichten (22, 22'). Eine auf einer zweiten Hauptseite angeordnete erste und zweite Anschlussschicht (410, 411, 460) dient zur Kontaktierung der aktiven Teilschichten. Hierbei sind die ersten und zweiten Anschlussschichten zur Kontaktierung der wenigstens zwei aktiven Teilschichten derart miteinander elektrisch leitend verbunden, dass die aktiven Teilschichten eine Serienschaltung bilden.
摘要翻译：的光电子半导体本体包括具有第一和第二主侧，所述一个适于产生电磁辐射活性层（22，22“）基本上平坦的半导体层序列（20）具有。此外，半导体本体上的至少包括所述半导体层序列的有源层通过在至少两个电隔离的有源层部分（22，22“）将所述半导体层序列的有源层分离沟槽。装置设置在第二主第一和第二连接层（410，411，460）被用于接触有源子层。这里，对于至少两个活性亚层接触所述第一和第二连接层，以便相互连接导电的，该活性子层形成的串联电路。

43. 发明申请

WO2020070022A1 BAUELEMENT MIT VERGRÖßERTER AKTIVER ZONE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020070022A1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：PCT/EP2019/076277
申请日：2019-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/42
摘要： Es wird ein Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Elektrode (3) und einer zweiten Elektrode (4) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Zone (23) aufweist. Die erste Elektrode ist zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht eingerichtet und weist einen ersten Verteilungssteg (30) zur gleichmäßigen Stromverteilung in der ersten Halbleiterschicht auf. Die zweite Elektrode ist zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht eingerichtet und weist einen zweiten Verteilungssteg (40) zur gleichmäßigen Stromverteilung in der zweiten Halbleiterschicht auf. Der erste Verteilungssteg und der zweite Verteilungssteg sind bereichsweise übereinander auf derselben Seite des Halbleiterkörpers angeordnet, wobei sie in Draufsicht bereichsweise überlappen und den Halbleiterkörper nur stellenweise bedecken. Außerdem erstreckt sich der erste Verteilungssteg stellenweise durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Zone hindurch zur ersten Halbleiterschicht, wobei die aktive Zone in Überlappungsbereichen des Halbleiterkörpers mit dem ersten Verteilungssteg nur stellenweise entfernt ist.

44. 发明申请

WO2017036854A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2017036854A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/EP2016/069883
申请日：2016-08-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/647
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (23) angegeben, der einen aktiven Bereich (39) aufweist, und einem Träger (3) mit einer ersten Trägerfläche (5), auf der der Halbleiterkörper angeordnet ist, und einer zweiten Trägerfläche (7) auf der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite, wobei der Träger einen Verbundkörper (11, 13, 15) aufweist, der zumindest einen elektrisch leifähigen Leiterkörper (11, 13) und zumindest einen elektrisch isolierenden Formkörper (15) aufweist, wobei sich der Leiterkörper von der ersten Trägerfläche bis zur zweiten Trägerfläche erstreckt und elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden ist, und wobei der Verbundkörper zugstabil ausgebildet ist.
摘要翻译：它是包括提供一种具有有源区（39）的半导体主体（23）和支撑的光电子半导体芯片（1）（3），其具有（5）在其上的半导体本体被布置在第一支撑面和第二支撑面（7）具有上侧远离主体的半导体侧上，其中所述载体是具有至少一个电leifähigen导体主体（11，13）和至少一个电绝缘模制体（15）的复合体（11，13，15），所述导体本体达所述第二支承表面从第一支承表面延伸，并电连接到有源区，并且其中所述复合体中形成zugstabil。

45. 发明申请

WO2017012945A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法制造半导体芯片和发射辐射的半导体芯片的各种
公开(公告)号：WO2017012945A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/EP2016/066626
申请日：2016-07-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOLNAR, Attila
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/44
摘要： Es wird unter anderem ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips angegeben, umfassend die folgende Schritte: -Bereitstellen eines Substrats (1), -Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Substrat (1), -Erzeugen einer Vielzahl von Ausnehmungen (6) in der Halbleiterschichtenfolge (2) von der dem Substrat (1) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), -Ablösen des Substrats (1) von der Halbleiterschichtenfolge (2), -Dünnen der Halbleiterschichtenfolge (2) von der dem Substrat (1) vor dem Ablösen des Substrats (1) zugewandten Seite.
摘要翻译：则表示，除其他事项外，用于制造多个半导体芯片的方法，包括如下步骤：提供一衬底（1），在基板上-Aufbringen的半导体层序列（2）（1），-Erzeugen的多个凹部（6）在半导体层序列（2）的半导体层序列的侧（2）的面向远离所述衬底（1），所述基板的-Ablösen（1）从半导体层序列（2），-Dünnen半导体层序列（2）的基板（1）的前面对一侧的基板（1）的剥离。

46. 发明申请

WO2016071340A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP SOWIE OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于生产至少一个光电子半导体芯片，光电半导体芯片和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016071340A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/075602
申请日：2015-11-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BAUR, Johannes , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, aufweisend: - eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Haupterstreckungsebene, einer aktiven Schicht (12) und einer Bodenfläche (1c), - einen Träger (41) der an der Bodenfläche (1c) der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist und eine der Bodenfläche (1c) abgewandte Grundfläche (41c) aufweist und - eine Verbindungsschichtenfolge (3), die in einer vertikalen Richtung zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und dem Träger (41) angeordnet ist, wobei - der Träger (41) die Halbleiterschichtenfolge(1) lateral um höchstens 10 µm überragt.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（10），包括： - 具有主延伸平面的半导体层序列（1），有源层（12）和底表面（1c）中， - 所述底表面（1C）半导体层序列中的一个支撑件（41），（1）和所述底面中的一个（1C）远离所述基座（41C），以及 - 其中在所述半导体层序列（1）和支撑（41）之间至少局部地布置在垂直方向上的连接层序列（3）， - 该载体（41），该半导体层序列（1）横向地突出超过不超过10微米。

47. 发明申请

WO2015176873A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015176873A1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：PCT/EP2015/058055
申请日：2015-04-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , MUERMANN, Björn , KOPP, Fabian , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/42 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/28575 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要： Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) mit den Schritten: - Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22), - Aufbringen einer ersten und einer zweiten Kontaktschicht (31, 32) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), - Aufbringen einer Kontaktmetallisierung (4) auf die zweite Kontaktschicht (31, 32) in einem ersten und in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich (51, 52), wobei - die erste und die zweite Kontaktschicht (31, 32) je aus einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sind, - im ersten elektrischen Kontaktbereich (51) folgende Schichten aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die erste Kontaktschicht (31, 32), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4), und - im zweiten elektrischen Kontaktbereich (52) folgende Schichten aufeinander folgen: eine dotierte Halbleiterschicht (21) der Halbleiterschichtenfolge (2), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4).
摘要翻译：一种用于制造光电子半导体芯片（1）包括以下步骤的方法： - 提供半导体层序列（2）与活性区（22）， - 在半导体层序列施加第一和第二接触层（31，32）（2）， - 将接触金属化物（4）在第一与第二接触层（31，32）上，并且在第二电接触区（51，52），其特征在于， - 所述第一和第二接触层（31,32）各自的透明导电氧化物形成 - 按照第一电接触区（51）下面的层依次为：半导体层序列（2），所述第一接触层（31，32），所述第二接触层（31，32），该接触金属化（4），以及 - 所述第二电接触区随后（52）下面的层依次为：半导体层序列（2），所述第二接触层（31，32）的掺杂的半导体层（21），接触金属化物（4）。

48. 发明申请

WO2014012760A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014012760A1
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：PCT/EP2013/063525
申请日：2013-06-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L27/15 , H01L27/156 , H01L33/005 , H01L33/38 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01S5/022 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Träger (2). Eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Schicht (33) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung, die sich zwischen einer n-Schicht (31) und einer p-Schicht (35) befindet, ist auf einer Trägeroberseite (20) angebracht. Der Halbleiterchip (1) weist eine n-Kontaktstelle (51) und eine p-Kontaktstelle (55) zum elektrischen Kontaktieren auf. Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (1) zumindest zwei oder drei elektrische Leiterbahnen (4). In Draufsicht gesehen ist die Halbleiterschichtenfolge (3) in wenigstens zwei nebeneinander angeordnete Emitterbereiche (36) strukturiert. Die Emitterbereiche (36) sind über die Leiterbahnen (4) elektrisch in Serie geschaltet. Es befinden sich die Leiterbahnen (4) an einer dem Träger (2) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3).
摘要翻译：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例包括一个支承件（2）。的半导体层序列（3）包括用于产生电磁辐射，这是位于n层（31）和p层（35）之间的有源层（33）被安装在一个载体上侧（20）。在半导体芯片（1）包括n接触点（51）和用于电接触到p接触点（55）。此外，半导体芯片（1）包括至少两个或三个电导体（4）。在平面图中看到的那样，半导体层序列（3）在至少两个并置的发射极区域（36）被结构化。发射极区（36）经由带状导体（4）电连接的串联连接。有（2）侧背离半导体层序列远离上的所述支持体的导体轨道（4）（3）。

49. 发明申请

WO2021165309A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021165309A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：PCT/EP2021/053868
申请日：2021-02-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KOPP, Fabian , MOLNAR, Attila , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/22
摘要： An optoelectronic semiconductor device (1) is described comprising a carrier (2) comprising a patterned surface (2A), a semiconductor layer sequence (3) arranged on the carrier (2), the semiconductor layer sequence (3) comprising a first semiconductor layer (4) having a first surface (4A), a second semiconductor layer (6) having a first surface (6A), a first main surface (3A) and a second main surface (3B) opposite the first main surface (3A), wherein the first surfaces (4A, 6A) of the first and second semiconductor layers (4, 6) are at least partly arranged at the first main surface (3A) and wherein the second main surface (3B) faces the patterned surface (2A) of the carrier, at least one side face (30) connecting the first and second main surfaces (3A, 3B), a directionally reflective layer (7), and a planarization layer (8), wherein the planarization layer (8) is arranged between the patterned surface (2A) and the directionally reflective layer (7). Moreover, a method for producing an optoelectronic semiconductor device (1) is described.

50. 发明申请

WO2021164854A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021164854A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：PCT/EP2020/054251
申请日：2020-02-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KOPP, Fabian , MOLNAR, Attila , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/22
摘要： An optoelectronic semiconductor device (1) is described comprising a carrier (2) comprising a patterned surface (2A), a semiconductor layer sequence (3) arranged on the carrier (2), the semiconductor layer sequence (3) comprising a first semiconductor layer (4) having a first surface (4A), a second semiconductor layer (6) having a first surface (6A), a first main surface (3A) and a second main surface (3B) opposite the first main surface (3A), wherein the first surfaces (4A, 6A) of the first and second semiconductor layers (4, 6) are at least partly arranged at the first main surface (3A) and wherein the second main surface (3B) faces the patterned surface (2A) of the carrier, at least one side face (30) connecting the first and second main surfaces (3A, 3B), a directionally reflective layer (7), and a planarization layer (8), wherein the planarization layer (8) is arranged between the patterned surface (2A) and the directionally reflective layer (7). Moreover, a method for producing an optoelectronic semiconductor device (1) is described.

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