专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

TWI622139B 封裝基板有权
简体标题：封装基板
公开(公告)号：TWI622139B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105107072
申请日：2016-03-08
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/12

42. 发明专利

TWI612650B 電子封裝結構有权
简体标题：电子封装结构
公开(公告)号：TWI612650B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104101443
申请日：2015-01-16
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：胡竹青 , HU, CHU CHIN , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L27/146

43. 发明专利

TWI594349B 半導體封裝載板及其製造方法有权
简体标题：半导体封装载板及其制造方法
公开(公告)号：TWI594349B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104140701
申请日：2015-12-04
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 曾昭崇 , TSENG, CHAO TSUNG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014

44. 发明专利

TW201725668A 封裝基板及其製作方法审中-公开
简体标题：封装基板及其制作方法
公开(公告)号：TW201725668A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100173
申请日：2016-01-05
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：胡竹青 , HU, CHU CHIN , 許詩濱 , HSU, SHIH PING , 劉晉銘 , LIU, CHIN MING
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/16 , H01L2224/16235
摘要：本發明揭示一種封裝基板及其製作方法。該封裝基板包括：一導線層，包含至少一金屬走線；一導電連接單元，位於該導線層上；一電路晶片，具有至少一外接腳墊，並設置於該導電連接單元上；以及一鑄模化合物層，包覆該導線層、該導電連接單元及該電路晶片；其中，該導電連接單元用以連接該至少一外接腳墊的其中一者與該至少一金屬走線的其中一者。
简体摘要：本发明揭示一种封装基板及其制作方法。该封装基板包括：一导线层，包含至少一金属走线；一导电连接单元，位于该导线层上；一电路芯片，具有至少一外置脚垫，并设置于该导电连接单元上；以及一铸模化合物层，包覆该导线层、该导电连接单元及该电路芯片；其中，该导电连接单元用以连接该至少一外置脚垫的其中一者与该至少一金属走线的其中一者。

46. 发明专利

TWI570861B 封裝結構及其製法有权
简体标题：封装结构及其制法
公开(公告)号：TWI570861B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW103141925
申请日：2014-12-03
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 吳唐儀 , WU, TONY
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

47. 发明专利

TWI563577B 封裝結構及其製法有权
简体标题：封装结构及其制法
公开(公告)号：TWI563577B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103135160
申请日：2014-10-09
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 劉智文 , LIU, CHIH WEN , 吳唐儀 , WU, TONY , 胡書瑋 , HU, SWEAR
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L23/3107 , H01L21/2885 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/768 , H01L23/16 , H01L23/528 , H01L24/20 , H01L25/16 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/16238 , H01L2224/48245 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/85005 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511

48. 发明专利

TWI554169B 中介基板及其製法有权
简体标题：中介基板及其制法
公开(公告)号：TWI554169B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103141922
申请日：2014-12-03
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H05K3/10

49. 发明专利

TW201622507A 中介基板及其製法审中-公开
简体标题：中介基板及其制法
公开(公告)号：TW201622507A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103141927
申请日：2014-12-03
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：周保宏 , CHOU, PAOHUNG , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H05K3/10
摘要：一種中介基板及其製法，係在一承載板上蝕刻形成凹槽，以在該凹槽中填充介電材形成第一介電材料層，或在該承載板上形成圖案化之第一介電材料層，再依序於該承載板及該第一介電材料層上形成第一線路層、第一導電塊、及第二介電材料層，並使該第一線路層及第一導電塊嵌埋於第二介電材料層中，再於該第二介電材料層上形成第二線路層及第二導電塊，以形成無核心(coreless)及具細線路之中介基板。
简体摘要：一种中介基板及其制法，系在一承载板上蚀刻形成凹槽，以在该凹槽中填充介电材形成第一介电材料层，或在该承载板上形成图案化之第一介电材料层，再依序于该承载板及该第一介电材料层上形成第一线路层、第一导电块、及第二介电材料层，并使该第一线路层及第一导电块嵌埋于第二介电材料层中，再于该第二介电材料层上形成第二线路层及第二导电块，以形成无内核(coreless)及具细线路之中介基板。

50. 发明专利

TW201622506A 中介基板及其製法审中-公开
简体标题：中介基板及其制法
公开(公告)号：TW201622506A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103141924
申请日：2014-12-03
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H05K3/10
摘要：一種中介基板，係包括：一第一絕緣層係具有相對之第一表面與第二表面；一第一線路層係形成於該第一絕緣層中，且其一表面係外露出該第一絕緣層之第一表面；複數第一導電柱係形成於該第一絕緣層中；一第二線路層係形成於該第二表面上；複數第二導電柱係形成於該第二線路層上；一第二絕緣層係形成於該第二表面上，以包覆該些第二導電柱與該第二線路層，且令該第二導電柱之端面外露於該第二絕緣層；以及複數浸鍍錫層係分別形成於該第一線路層與該第二導電柱之端面上，故藉由該浸鍍錫層作為表面處理層，以適用於植球墊需長期暴露於一般環境下的產品。本發明復提供該中介基板之製法。
简体摘要：一种中介基板，系包括：一第一绝缘层系具有相对之第一表面与第二表面；一第一线路层系形成于该第一绝缘层中，且其一表面系外露出该第一绝缘层之第一表面；复数第一导电柱系形成于该第一绝缘层中；一第二线路层系形成于该第二表面上；复数第二导电柱系形成于该第二线路层上；一第二绝缘层系形成于该第二表面上，以包覆该些第二导电柱与该第二线路层，且令该第二导电柱之端面外露于该第二绝缘层；以及复数浸镀锡层系分别形成于该第一线路层与该第二导电柱之端面上，故借由该浸镀锡层作为表面处理层，以适用于植球垫需长期暴露于一般环境下的产品。本发明复提供该中介基板之制法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式