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31. 发明授权

KR100679014B1 이동 애드혹 네트워크에서의 노드간 통신 방법 失效
标题翻译：用于在移动自组织网络下的主机之间进行通信的方法
公开(公告)号：KR100679014B1
公开(公告)日：2007-02-06
申请号：KR1020040068258
申请日：2004-08-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 공지영 , 신진현 , 정혜영 , 김형석
IPC分类号： H04L12/28 , H04L12/56
摘要： 본 발명은 이동 애드혹 네트워크에서의 노드간 통신 방법에 관한 것으로서, 통신 기반 구조가 없는 이동 애드혹 네트워크에서 듀얼 스택을 가지고 있는 노드를 이용하여 IPv4 노드와 IPv6 노드간의 통신을 가능하게 하는 이동 애드혹 네트워크에서의 노드간 통신 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 이동 애드혹 네트워크에서의 노드간 통신 방법은 (a) 목적 노드로부터 변환 설정 요청 메시지를 수신하는 단계와, (b) 상기 목적 노드의 주소 및 도메인 네임을 저장하는 단계와, (c) 송신 노드로부터 상기 도메인 네임으로 전송 될 데이터 패킷을 수신하는 단계와, (d) 상기 도메인 네임으로 상기 데이터 패킷을 전송하는 단계 및 (e) 상기 데이터 패킷에 대한 응답 패킷을 상기 송신 노드로 전송하는 단계를 포함한다.
IPv4, IPv6, 듀얼 스택, 대리 변환자

32. 发明授权

KR100608581B1 애드 혹 네트워크에서의 데이터 전송 방법 및 장치 失效
标题翻译： Ad hoc网络中数据传输的方法和装置
公开(公告)号：KR100608581B1
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：KR1020040054813
申请日：2004-07-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신진현
IPC分类号： H04L12/807 , H04W28/10 , H04W84/18
摘要： 본 발명은 애드 혹 네트워크 에서의 데이터 전송 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 애드 혹 네트워크에서의 데이터 전송 방법은 매 응답 패킷 수신시 마다 순간 대역폭 값들을 계산하는 단계와, 계산된 순간 대역폭 값들의 개수가 소정의 임계 개수 이상인 경우 순간 대역폭 값들을 사용하여 시간에 따른 사용 가능 대역폭을 예측할 수 있는 추세 방정식을 구하는 단계, 및 추세 방정식을 통해 예측되는 대역폭에 따라 혼잡 윈도우의 크기를 조절하여 데이터를 전송하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 사용 가능한 대역폭을 예측함으로써 네트워크 자원의 사용 효율을 높일 수 있다.
혼잡 윈도우, 데이터 전송률, RTT, 대역폭
摘要翻译：本发明涉及一种用于在自组织网络中传输数据的方法和装置。

33. 发明公开

KR1020060033834A 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법 失效
标题翻译：无线网络装置及使用其的通信方法
公开(公告)号：KR1020060033834A
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：KR1020040082922
申请日：2004-10-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정혜영 , 신진현 , 공지영 , 김형석
IPC分类号： H04L12/28
CPC分类号： H04W8/26 , H04L29/12207 , H04L45/122 , H04L61/20 , H04W36/14
摘要： 본 발명은 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 무선 네트워크 사이에 용이한 핸드 오프가 이루어질 수 있도록 하는 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 무선 네트워크 장치는, 소정의 무선 네트워크 내에서 사용할 주소를 생성하는 주소 생성부와, 상기 무선 네트워크의 라우터 정보를 설정하는 라우터 정보 설정부와, 상기 라우터 정보에 따라 상기 주소 생성부 및 라우터 정보 설정부의 동작을 제어하고, 상기 라우터 정보에 해당하는 무선 네트워크로의 핸드 오프를 수행하는 제어부를 포함한다.
IPv6, 핸드 오프
摘要翻译：无线网络装置及使用其的通信方法技术领域本发明涉及无线网络装置及使用该无线网络装置的通信方法，并且更具体地涉及无线网络装置及使用该无线网络装置的通信方法。

34. 发明授权

KR100533686B1 모바일 애드 혹 네트워크에서의 데이터 전송 방법 및 이를이용한 네트워크 장치 有权
标题翻译：用于在移动自组织网络和使用其的网络装置中发送数据的方法
公开(公告)号：KR100533686B1
公开(公告)日：2005-12-05
申请号：KR1020040036402
申请日：2004-05-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신진현
IPC分类号： H04L12/56
CPC分类号： H04L1/188 , H04L47/10 , H04L47/14 , H04L47/263 , H04L47/27 , H04W28/08 , H04W28/18 , H04W84/18
摘要： 본 발명은 데이터 전송 방법 및 이를 이용한 네트워크 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 중복 응답 패킷의 수신에 따라 혼잡윈도우의 크기를 조절하여 데이터 전송량을 조절하는 모바일 애드 혹 네트워크에서의 데이터 전송 방법 및 이를 이용한 네트워크 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 데이터 전송 방법은 전송되는 각 데이터 패킷의 시퀀스 넘버와 각 데이터 패킷 전송시의 혼잡윈도우 크기를 맵핑하는 단계와, 전송된 데이터 패킷들 중 손실된 데이터 패킷의 유무를 판단하는 단계, 및 손실된 데이터 패킷이 존재하는 경우 손실된 데이터 패킷을 재전송하고, 혼잡윈도우의 크기를 손실된 데이터 패킷의 시퀀스 넘버에 맵핑된 혼잡윈도우의 크기로 조절하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 무선 애드혹 네트워크에서의 데이터 전송율을 높일 수 있다.

35. 发明公开

KR1020040011656A 얕은 트렌치 소자분리구조를 가지는 플래시 메모리 소자및 그제조방법 有权
标题翻译：具有浅层隔离结构的闪存存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040011656A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：KR1020020044637
申请日：2002-07-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신왕철 , 신진현 , 최정혁
IPC分类号： H01L29/788
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/115
摘要： PURPOSE: A flash memory device having an STI(Shallow Trench Isolation) structure and its manufacturing method are provided to be capable of preventing bird's beak from being generated at the edge portion of a tunnel insulating layer. CONSTITUTION: A flash memory device is provided with a semiconductor substrate(50), a plurality of trenches(58) spaced apart from each other at the inner portion of the semiconductor substrate, and an isolation pattern(68) filled in each trench and upwardly protruded from the upper surface of the semiconductor substrate. At this time, the isolation pattern has tilted sidewalls. The flash memory device further includes a tunnel insulating layer(70) formed at the upper portion of the semiconductor substrate between the isolation patterns and a floating gate pattern(72a) formed at the upper portion of the resultant structure. Preferably, the floating gate pattern encloses the tunnel insulating layer and the isolation pattern.
摘要翻译：目的：提供具有STI（浅沟槽隔离）结构的闪存器件及其制造方法，以能够防止在隧道绝缘层的边缘部分处产生鸟嘴。构造：闪存器件设置有半导体衬底（50），在半导体衬底的内部彼此间隔开的多个沟槽（58）以及填充在每个沟槽中的隔离图案（68）和向上从半导体衬底的上表面突出。此时，隔离图案具有倾斜的侧壁。闪存器件还包括形成在隔离图案之间的半导体衬底的上部的一个隧道绝缘层（70）和形成在所得结构的上部的浮动栅极图案（72a）。优选地，浮动栅图案包围隧道绝缘层和隔离图案。

36. 发明公开

KR1019990038848A 개선된 캐패시턴스를 가지는 모오스 트랜지스터 无效
标题翻译：具有改进电容的莫尔斯晶体管
公开(公告)号：KR1019990038848A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970058720
申请日：1997-11-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김재윤 , 신진현
IPC分类号： H01L27/04
摘要： 본 발명은 고전압을 발생시키기 위한 캐패시터로서 사용되는 모오스 트랜지스터에 관한 것이다. 상기 모오스 캐패시터는, 반도체 기판 상부에 게이트 절연막을 개재하여 형성된 제1게이트와, 상기 제1게이트 상부에 유전체막을 개재하여 형성된 제2게이트로 구성되는 더블 게이트를 가진다. 제1게이트에 인가된 전압이 제1게이트 상부의 유전체막에 의해 제2게이트의 전위와 커플링되고, 또한 상기 반도체 기판 상부의 게이트 절연막에 의해 확산영역이 커플링되어 전위가 올라가므로 B노드의 전위는 병렬 캐패시턴스에 의해 효율이 증가된다.

37. 发明公开

KR1019970054105A 비휘발성 반도체 메모리 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：制造非易失性半导体存储器件的方法
公开(公告)号：KR1019970054105A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950065837
申请日：1995-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤기창 , 신진현
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본 발명은 비휘발성 반도체 장치으 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 기판의 셀영역에 터널산화막을 형성하고 주변영역에 산화막을 형성하는 단계; 결과물의 전면에 폴리실리콘을 형성하고 셀영역에서 사진식각 공정에 의해 부유게이트를 형성하는 단계; 결과물 상에 폴리실리콘을 산화시킨 산화막과 이 산화막 상에 질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 셀영역을 포토 레지스터로 덮고 주변영역의 질화막, 산화막, 폴리실리콘을 순차적으로 제거하여 반도체 기판의 표면을 노출시키고 노출된 반도체 기판의 표면을 세정하는 단계; 세정된 반도체 기판의 주변영역의 표면에 습식 산화막을 성장시키고 성장된 습식 산화막과 셀영역의 질화막을 동시에 산화시키는 단계; 질화 산화막과 주변영역의 산화막 상에 폴리실리콘을 형성하고 폴리실리콘 상에 금속 실리사이드층을 형성한 다음에 사진식각공정에 의해 콘트롤 게이트 및 게이트 건극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 질화 산화막의 형성전에 주변영역의 기판표면을 세정할 수 있어서 게이트산화막의 막질을 향상시킬 수 있다.

38. 发明授权

KR102046976B1 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102046976B1
公开(公告)日：2019-12-02
申请号：KR1020120139774
申请日：2012-12-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심재황 , 신진현 , 이종민
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L21/31

39. 发明授权

KR101986126B1 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101986126B1
公开(公告)日：2019-06-05
申请号：KR1020120078372
申请日：2012-07-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심재황 , 신진현 , 성호준
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247

40. 发明公开

KR1020150145823A 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150145823A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140075034
申请日：2014-06-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신진현 , 백재복
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/788
CPC分类号： H01L27/11524 , G11C5/063 , G11C16/0483 , H01L21/764 , H01L29/0649 , H01L29/7883 , H01L27/11517 , H01L27/11529
摘要： 메모리장치및 그제조방법이제공된다. 메모리장치는, 제1 방향으로연장되어나란하게형성된제1 및제2 액티브패턴, 제1 및제2 액티브패턴상에순차적으로적층된터널(tunnel) 절연막패턴및 플로팅게이트패턴, 제1 및제2 액티브패턴사이를채우는절연막패턴, 제1 및제2 액티브패턴의측면을따라형성되고, 절연막패턴과식각선택비(etching selectivity)를갖는제1 라이너(liner) 패턴, 제1 라이너패턴상부에제1 방향으로연장되어형성된제1 에어갭패턴, 및플로팅게이트패턴상에, 제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되고, 순차적으로적층된블로킹(blocking) 절연막패턴및 컨트롤게이트패턴을포함한다.
摘要翻译：提供了一种存储器件及其制造方法。存储器件包括：通过沿第一方向延伸而水平形成的第一和第二有源图案; 隧道绝缘膜图案和浮栅图案，顺序层压在第一和第二活性图案上; 绝缘膜图案填充所述第一和第二有源图案之间的间隙; 沿着第一和第二有源图案的侧表面形成并具有绝缘膜图案和蚀刻选择性的第一衬垫图案; 第一气隙图案，其通过在第一衬垫图案上沿第一方向延伸而形成; 以及阻挡绝缘膜图案和控制栅极图案，其沿与浮栅图案上的第一方向交叉的第二方向延伸，并且依次层叠。

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