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31. 发明专利

TW201606919A 具有獨立隔離的加熱器區域的晶圓載體审中-公开
简体标题：具有独立隔离的加热器区域的晶圆载体
公开(公告)号：TW201606919A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104124568
申请日：2015-07-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 恩蓋葉安哈N , NGUYEN, ANH N. , 帕拉葛西維里大衛 , PALAGASHVILI, DAVID
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/68785
摘要：以獨立隔離的加熱器區域描述晶圓載體。在一範例中，載體具有為製造製程而搬運工件之定位盤、具有複數個熱隔離區塊之加熱器板材(該複數個熱隔離區塊每者熱耦合至該定位盤且該複數個熱隔離區塊每者具有加熱器以加熱該加熱器板材之個別區塊)及經固定至及熱耦合至該加熱器板材之冷卻板材，該冷卻板材具有冷卻通道以攜帶熱轉移流體以從該冷卻板材轉移熱。
简体摘要：以独立隔离的加热器区域描述晶圆载体。在一范例中，载体具有为制造制程而搬运工件之定位盘、具有复数个热隔离区块之加热器板材(该复数个热隔离区块每者热耦合至该定位盘且该复数个热隔离区块每者具有加热器以加热该加热器板材之个别区块)及经固定至及热耦合至该加热器板材之冷却板材，该冷却板材具有冷却信道以携带热转移流体以从该冷却板材转移热。

32. 发明专利

TWI701703B 用於供應電漿產物之裝置有权
简体标题：用于供应等离子产物之设备
公开(公告)号：TWI701703B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW104139244
申请日：2015-11-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32

33. 发明专利

TWI694749B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI694749B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107126625
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065

34. 发明专利

TWI671783B 具有以直接上轉換對微波場之旋轉頻率進行數位控制的電漿反應器有权
简体标题：具有以直接上转换对微波场之旋转频率进行数码控制的等离子反应器
公开(公告)号：TWI671783B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW105108504
申请日：2016-03-18
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 菅井英夫 , SUGAI, HIDEO , 朴書南 , PARK, SOONAM , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32

35. 发明专利

TWI666714B 用於化學蝕刻介電質材料的腔室設備有权
简体标题：用于化学蚀刻介电质材料的腔室设备
公开(公告)号：TWI666714B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104120527
申请日：2015-06-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳天發 , TAN, TIEN FAK , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 福洛德可比H , FLOYD, KIRBY H. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 帕拉葛西維里大衛 , PALAGASHVILI, DAVID , 湯亞歷山大 , TAM, ALEXANDER , 陳紹方 , CHEN, SHAOFENG
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311

36. 发明专利

TW201921490A 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統审中-公开
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TW201921490A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108100074
申请日：2014-02-06
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：一種示例性系統可包括腔室，該腔室經配置以在該腔室之處理區域中含有半導體基板。該系統可包括第一遠端電漿單元，該第一遠端電漿單元與腔室之第一入口流體耦接及經配置以將第一前驅物經由第一入口傳遞至腔室中。該系統可更進一步包括第二遠端電漿單元，該第二遠端電漿單元與腔室之第二入口流體耦接及經配置以將第二前驅物經由第二入口傳遞至腔室中。可將第一入口及第二入口與腔室之混合區域流體耦接，該混合區域與腔室之處理區域分開及與該處理區域流體耦接。可配置混合區域以允許第一前驅物及第二前驅物在腔室之處理區域外部彼此相互作用。
简体摘要：一种示例性系统可包括腔室，该腔室经配置以在该腔室之处理区域中含有半导体基板。该系统可包括第一远程等离子单元，该第一远程等离子单元与腔室之第一入口流体耦接及经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。该系统可更进一步包括第二远程等离子单元，该第二远程等离子单元与腔室之第二入口流体耦接及经配置以将第二前驱物经由第二入口传递至腔室中。可将第一入口及第二入口与腔室之混合区域流体耦接，该混合区域与腔室之处理区域分开及与该处理区域流体耦接。可配置混合区域以允许第一前驱物及第二前驱物在腔室之处理区域外部彼此相互作用。

37. 发明专利

TWI653682B 在鋁電漿設備部件上產生緊密氧化鋁鈍化層有权
简体标题：在铝等离子设备部件上产生紧密氧化铝钝化层
公开(公告)号：TWI653682B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104109219
申请日：2015-03-23
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：金成濟 , KIM, SUNG JE , 卡利塔拉克希瓦 , KALITA, LAKSHESWAR , 帕利克尤基塔 , PAREEK, YOGITA , 卡丹安庫 , KADAM, ANKUR , 葛拉迪亞皮耶納桑薩利亞 , GORADIA, PRERNA SONTHALIA , 塔庫爾畢平 , THAKUR, BIPIN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065

38. 发明专利

TWI641043B 用於半導體設備的密封槽方法有权
简体标题：用于半导体设备的密封槽方法
公开(公告)号：TWI641043B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103128127
申请日：2014-08-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： H01L21/3065

39. 发明专利

TWI618138B 半導體處理中的邊緣環之熱管理有权
简体标题：半导体处理中的边缘环之热管理
公开(公告)号：TWI618138B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW101138100
申请日：2012-10-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：包爾阿尼魯德哈 , PAL, ANIRUDDHA , 薩理納斯馬丁傑佛瑞 , SALINAS, MARTIN JEFFREY , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 尤瑟夫以馬德 , YOUSIF, IMAD , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN, ANDREW
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C16/4585

40. 发明专利

TW201806030A 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統审中-公开
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TW201806030A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106136488
申请日：2014-02-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32357 , C23C16/54 , H01J37/32899 , H01L21/32136
摘要：一種示例性系統可包括腔室，該腔室經配置以在該腔室之處理區域中含有半導體基板。該系統可包括第一遠端電漿單元，該第一遠端電漿單元與腔室之第一入口流體耦接及經配置以將第一前驅物經由第一入口傳遞至腔室中。該系統可更進一步包括第二遠端電漿單元，該第二遠端電漿單元與腔室之第二入口流體耦接及經配置以將第二前驅物經由第二入口傳遞至腔室中。可將第一入口及第二入口與腔室之混合區域流體耦接，該混合區域獨立於腔室之處理區域及與該處理區域流體耦接。可配置混合區域以允許第一前驅物及第二前驅物在腔室之處理區域外部彼此相互作用。
简体摘要：一种示例性系统可包括腔室，该腔室经配置以在该腔室之处理区域中含有半导体基板。该系统可包括第一远程等离子单元，该第一远程等离子单元与腔室之第一入口流体耦接及经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。该系统可更进一步包括第二远程等离子单元，该第二远程等离子单元与腔室之第二入口流体耦接及经配置以将第二前驱物经由第二入口传递至腔室中。可将第一入口及第二入口与腔室之混合区域流体耦接，该混合区域独立于腔室之处理区域及与该处理区域流体耦接。可配置混合区域以允许第一前驱物及第二前驱物在腔室之处理区域外部彼此相互作用。

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