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21. 发明专利

DE102006026954B4 Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE102006026954B4
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：DE102006026954
申请日：2006-06-09
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： YEOM SEUNG-JIN , KIL DEOK-SIN , KIM JIN-HYOCK , PARK KI-SEON , SONG HAN-SANG , ROH JAE-SUNG
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement, aufweisend: Bilden einer Isolationsschicht über einem Substrat; Ätzen der Isolationsschicht, um Speicherknotenlöcher (36) zu bilden, wodurch eine Speicherknotenschicht (35) gebildet wird; Spülen einer Metallquelle auf die Isolationsschicht, um eine Eigenschaft einer hydrophilen Oberfläche der Isolationsschicht zu verändern, um ein Anhaften eines metallbasierten Materials an der Oberfläche der Isolationsschicht zu verbessern; Bilden eines das metallbasierte Material aufweisenden Speicherknotens (37A) über der gespülten Isolationsschicht (35A); wobei nach dem Bilden des Speicherknotens (37A) Quellenmaterialrückstände auf der Grenzschicht zwischen der Speicherknotenschicht (35) und dem Speicherknoten (37A) durch einen Reinigungsprozess entfernt werden und sequenzielles Bilden einer dielektrischen Schicht (38) und einer Plattenelektrode (39) über den metallbasierten Speicherknoten (37A).

22. 发明专利

DE10332590B4 Zeilendecodierer in einem Flashspeicher sowie Löschverfahren für eine Flashspeiicherzelle in diesem 未知
公开(公告)号：DE10332590B4
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：DE10332590
申请日：2003-07-17
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： KIM KI SEOG , LEE KEUN WOO , PARK SUNG KEE , JEON YOO NAM
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/14 , G11C16/02 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C29/00 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
摘要： Zeilendecodierer in einem Flashspeicher, mit: – einem PMOS-Transistor mit einer Gateelektrode zum Empfangen eines ersten Eingangssignals als Eingangssignal, der zwischen einen ersten Versorgungsspannungsanschluss und einen ersten Knoten geschaltet ist; – einem ersten NMOS-Transistor mit einer Gateelektrode zum Empfangen des ersten Eingangssignals als Eingangssignal, der zwischen den ersten Knoten und einen zweiten Knoten geschaltet ist; – einem zweiten NMOS-Transistor mit einer Gateelektrode zum Empfangen des zweiten Eingangssignals als Eingangssignal, der zwischen den zweiten Knoten und einen Masseanschluss geschaltet ist; und – einer Schalteinrichtung mit einer Gateelektrode zum Empfangen des dritten Eingangssignals als Eingangssignal, der zwischen den zweiten Knoten und einen zweiten Versorgungsspannungsanschluss geschaltet ist; – wobei der erste Knoten mit Wortleitungen verbunden ist.

23. 发明专利

DE102004059411B4 Flash-Speichervorrichtung und Verfahren zur Steuerung derselben 未知
公开(公告)号：DE102004059411B4
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：DE102004059411
申请日：2004-12-09
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： WANG JONG HYUN
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/34 , G11C16/04 , G11C16/10 , G11C16/32 , G11C29/00
摘要： Flash-Speichervorrichtung mit: einer Speicherzelle; einem Impulsinformationsregister zur Speicherung einer Impulshöheminformation; einer Steuerschaltung zur Erzeugung eines ersten Steuersignals gemäß einem Programmierbefehl und eines zweiten Steuersignals gemäß eines Programmierzustands der Speicherzelle; einem Impulszähler zum Empfang der Impulshöheninformation aus dem Impulsinformationsregister gemäß dem ersten Steuersignal von der Steuerschaltung und zur Ausführung eines Zählvorgangs gemäß der Information; einem Impulsgenerator zur Erzeugung eines vorher festgelegten Impulses durch Festlegung der Impulshöhe gemäß dem Zählsignal aus dem Impulszähler und zur Aufbringung des Impulses auf die Speicherzelle gemäß dem zweiten Steuersignal von der Steuerschaltung; einem Leseverstärker zur Überund zur Erzeugung eines Durchlauf-Flags, wenn mindestens ein Bit von Zellen der korrespondierenden Zellen einem Prüflevel entspricht; und eine Logikeinheit zur Aktualisierung der in dem Impulsinformationsregister gespeicherten Impulshöhe, indem ein Aktualisierungs-Flag durch logische Kombination aus dem Durchlauf-Flag und einem Initial-Flag erzeugt wird, wobei das Initial-Flag anzeigt, ob das Impulsinformationsregister...

24. 发明专利

DE102005024798B4 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit verschiedenen dielektrischen Gateschichten 未知
公开(公告)号：DE102005024798B4
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：DE102005024798
申请日：2005-05-26
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： CHO HEUNG-JAE , LIM KWANG-YONG , LEE SEUNG-RYONG
IPC分类号： H01L21/8238
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, mit den Schritten: Bilden einer ersten Siliziumoxidschicht auf einem Siliziumsubstrat, unterteilt in eine Zellenregion, wo NMOS Transistoren gebildet werden, und eine periphere Region, wo NMOS- und PMOS Transistoren gebildet werden, durch Ausführen eines ersten Oxidationsprozesses; selektives Entfernen der ersten Siliziumoxidschicht in der peripheren Region; Ausführen eines Plasmanitridierungsprozesses auf einer exponierten Oberfläche des Siliziumsubstrats in der peripheren Region und einer Oberfläche der ersten Siliziumoxidschicht in der Zellenregion, zum gleichzeitigen Bilden von Silizium-Stickstoff-Bindungen auf einer exponierten Oberfläche des Siliziumsubstrats in der peripheren Region und von Silizium-Sauerstoff-Stickstoff-Bindungen auf einer Oberfläche der ersten Siliziumoxidschicht, die in der Zellenregion verbleibt; und Ausführen eines zweiten Oxidationsprozesses zum Bilden einer Oxynitridschicht auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats mit den Silizium-Stickstoff-Bindungen und zum Transformieren der verbleibenden Siliziumoxidschicht mit den Silizium-Sauerstoff-Stickstoff-Bindungen in eine angestrebte reine Siliziumoxidschicht, um somit die Oxynitridschicht auf dem Siliziumsubstrat in der peripheren Region und die angestrebte reine...

25. 发明专利

DE102005029875B4 Flash-Speichervorrichtung mit verbesserter Vorprogammierfunktion und Verfahren zum Steuern eines Vorprogrammierbetriebs darin 未知
公开(公告)号：DE102005029875B4
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：DE102005029875
申请日：2005-06-27
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： LEE HEE YOUL , CHUNG SUNG JAE
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/14
摘要： Flash-Speichervorrichtung mit: – Speicherzellblöcken, von denen jeder Wortleitungen, Bitleitungen und Speicherzellen aufweist, die sich gemeinsame Sourceleitungen teilen; – einer Löschsteuerung, die zur Erzeugung eines Vorprogrammiersteuersignals in Abhängigkeit von einem Löschbefehl ausgebildet ist; und – einer Spannungsauswahlschaltung, die zur Auswahl einer ersten oder zweiten gemeinsamen Sourcespannung in Abhängigkeit von dem Vorprogrammiersteuersignal, von einem Lesebefehl oder von einem Programmierbefehl, und zur Ausgabe der ausgewählten Spannung auf eine globale gemeinsame Sourceleitung ausgebildet ist, wobei die globale gemeinsame Sourceleitung mit der gemeinsamen Sourceleitung eines jeden der Speicherzellblöcke verbunden ist, und wobei die Speicherzellen des Speicherzellblocks in einem Vorprogrammierbetrieb von den Bitleitungen isoliert bzw. getrennt, aber mit der gemeinsamen Sourceleitung verbunden sind, und Wortleitungsvorspannungen auf die Wortleitungen der Speicherzellen für den Vorprogrammierbetrieb aufgebracht sind.

26. 发明专利

DE102006030707B4 Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE102006030707B4
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：DE102006030707
申请日：2006-06-30
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： LEE KEE-JEUNG
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/822
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement, aufweisend: Bilden einer Bodenelektrode über einem Halbleitersubstrat; Bilden einer dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht über der Bodenelektrode unter Verwendung eines atomaren Schichtabscheidungs(ALD)-Verfahrens, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht eine Zirkonium(Zr)-Komponente, eine Aluminium(Al)-Komponente und eine Sauerstoff (O) Komponente aufweist, gemischt in vorbestimmten Mol-Fraktionen von x, y bzw. z; und Bilden einer oberen Elektrode über der dielektrischen ZrxAlyOz-Schicht, wobei die dielektrische ZrxAlyOz-Schicht durch Durchführen eines Einheitszyklus aus folgenden, aufeinander folgend ausgeführten sechs Schritten erhalten wird: – Adsorbieren eines Zr-Quellengases auf der Bodenelektrode; – Zuführen eines ersten Ausblasgases, um nicht adsorbierte Teile des Zr-Quellengases auszublasen; – Adsorbieren eines Al-Quellengases auf dem auf dem Target zur Verfügung gestellten Zr-Quellengas; – Zuführen eines zweiten Ausblasgases, um nicht adsorbierte Teile des Al-Quellengases auszublasen; – Zuführen eines Reaktionsgases, um mit den Zr- und Al-Quellengasen, die auf dem Target zur Verfügung gestellt sind, zu reagieren, wodurch...

27. 发明专利

DE10262313B4 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes und Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE10262313B4
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：DE10262313
申请日：2002-03-20
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： LEE HI DEOK
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/334 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78

28. 发明专利

DE102004060448B4 Verfahren zum Bilden einer Isolationsschicht in einem Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE102004060448B4
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：DE102004060448
申请日：2004-12-14
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： YANG YOUNG HO
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/308

29. 发明专利

DE102005030449B4 Verfahren zur Bildung einer Floating-Gate-Elektrode in einem Flash-Speicherbauelement 未知
公开(公告)号：DE102005030449B4
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：DE102005030449
申请日：2005-06-28
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： KIM JAE HEON
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L29/788

30. 发明专利

DE102004063643B4 Ionenimplantationsvorrichtung und Verfahren zum Implantieren von Ionen durch Verwendung derselben 未知
公开(公告)号：DE102004063643B4
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：DE102004063643
申请日：2004-12-27
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： ROUH KYOUNG-BONG , JIN SEUNG-WOO , LEE MIN-YONG
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265 , H01J37/147

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