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21. 发明申请

WO2002059629A2 VORRICHTUNG, STROMMESSER UND KRAFTFAHRZEUG 审中-公开
标题翻译：设备，电表和机动车
公开(公告)号：WO2002059629A2
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：PCT/DE2002/000232
申请日：2002-01-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , ERNST, Stephan , QU, Ning
发明人： ERNST, Stephan , QU, Ning
IPC分类号： G01R15/20
CPC分类号： G01R15/207
摘要： Es wird eine Vorrichtung, ein Strommesser und ein Kraftfahrzeug vorgeschlagen, wobei die Vorrichtung zur Messung der elektrischen Stromstärke eines stromdurchflossenen Leiters (1) dient, wobei ein Sensormittel (5) vorgesehen ist, wobei das Sensormittel (5) mechanisch biegsam vorgesehen ist und wobei das Sensormittel (5) an der Oberfläche des Leiters (1) entsprechend der Oberlfläche des Leiters (1) gebogen ist.
摘要翻译：它是一种装置，电流表和提出了一种机动车辆，其特征在于，该装置用于测量载流导体（1），其中，传感器装置（5）提供的电流强度，其中，所述传感器装置（5）是机械柔性的，并且其中所述传感器装置（5）根据Oberlfläche所述导体（1）的表面上的导体（1）是弯曲的。

22. 发明申请

WO2004093102A1 ELEKTROMOTOR 审中-公开
标题翻译：电动马达
公开(公告)号：WO2004093102A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/DE2004/000776
申请日：2004-04-14
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BRAUN, Hans , HEYERS, Klaus , EISENSCHMID, Heinz , RAUDZIS, Carsten , SCHATZ, Frank , QU, Ning
发明人： BRAUN, Hans , HEYERS, Klaus , EISENSCHMID, Heinz , RAUDZIS, Carsten , SCHATZ, Frank , QU, Ning
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： F02N11/10 , F02N11/0859 , F02N15/067 , F02N2300/106 , H01C7/042
摘要： Es wird ein Elektromotor, insbesondere eine Startvorrichtung für Brennkraftmaschinen, vorgeschlagen, wobei ein strombegrenzender elektrischer Widerstand (57) mit negativem Temperaturkoeffizienten im Hauptstrompfad (49) eines elektromagnetisch erregbaren Läufers (53) des elektrischen Motors (16) vorgeschaltet ist. Es ist dabei vorgesehen, dass der elektrische Widerstand (57) wenigstens einen monokristalliner Halbleiter umfasst.
摘要翻译：有电动马达，特别是用于内燃发动机的起动装置，提出，其中，具有在所述电动马达（16）的电磁可激励转子（53）的主电流路径（49）是负温度系数限流电阻（57）的上游侧连接。在此提供的电阻（57）包括至少一个单晶半导体。

23. 发明申请

WO2002063316A1 HALBLEITERANORDNUNG ZUR STROMMESSUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件用于电流测量
公开(公告)号：WO2002063316A1
公开(公告)日：2002-08-15
申请号：PCT/DE2002/000244
申请日：2002-01-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , ERNST, Stephan , FEILER, Wolfgang , QU, Ning
发明人： ERNST, Stephan , FEILER, Wolfgang , QU, Ning
IPC分类号： G01R15/20
CPC分类号： G01R15/202
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung, ein Stromsensor und ein Kraftfahrzeug vorgeschlagen, wobei die Halbleiteranordnung Sensormittel (300, 400) aufweist, derart, dass ein Magnetfeld durch die Sensormittel (300, 400) sensierbar ist, das durch einen stromdurchflossenen Leiter (408, 202) hervorgerufen wird, wobei der Sensorort (508, 504, 503) den elektrischen Leiter (408, 202) vollständig umschliesst.
摘要翻译：还提出了一种半导体器件，一个电流传感器和一个机动车辆，其中，所述半导体装置的传感器装置（300，400），使得由所述传感器装置（300,400）的磁场可以被感测到时，（408，202）由一个载流导体所引起是，其中，所述传感器的位置（508，504，503）的电导体（408，202）完全地包围。

24. 发明申请

WO2003043086A2 VERFAHREN ZUM ERFASSEN VON STRÖMEN IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM MULTI-ZELLEN-STROMSENSOR 审中-公开
标题翻译：一种用于在半导体元件检测中流保证的多单元功率传感器
公开(公告)号：WO2003043086A2
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/DE2002/003870
申请日：2002-10-11
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FEILER, Wolfgang , QU, Ning
发明人： FEILER, Wolfgang , QU, Ning
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L29/7815 , G01R19/0092 , H01L29/7803
摘要： Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Erfassen von Strömen in einem Halbleiterbauelement (100), wobei mindestens eine Stromsensorzelle (101) in einem aktiven Bereich (102) eines Halbleiterbauelements (100) angeordnet wird, wobei die mindestens eine Stromsensorzelle (101) an vorgebbaren lokalen Stellen in dem Halbleiterbauelement positionierbar ist, eine erste Source-Anschlusseinheit (111) der Stromsensorzelle (101) mit einem Bondanschluss (203) über Leiterbahnen (204) verbunden wird, mindestens ein Strom von einem Substrat (104) des Halbleiterbauelements (100) über die mindestens eine Stromsensorzelle (101), die erste Source-Anschlusseinheit (111) und ein Sensorwiderstandselement (113) zu einem Masseanschluss (116) durchgeleitet wird, und mindestens ein durch die mindestens eine Stromsensorzelle fließender Strom durch Abgreifen eines dem Strom entsprechenden Spannungsabfalls über dem Sensorwiderstandselement (113) erfasst wird.
摘要翻译：本发明提供一种用于在半导体器件（100）检测电流的方法，所述半导体器件（100）的有源区（102）的至少一个电流传感器单元（101）中，所述预定的本地地点的至少一个电流传感器单元（101）在该半导体器件可以被定位，第一源极端子单元（111），电流传感器单元（101），以经由导体的接合端子（203）（204）经由至少连接到所述半导体器件（100）的衬底（104）中的至少一个流电流传感器单元（101），第一源极端子单元（111）和传感器电阻元件（113）与接地端子（116）被传递，以及至少一个（由流经分接一个对应于在传感器电阻元件上的电压降的至少一个电流传感器单元电流 113）被检测到。

25. 发明申请

WO2002066997A1 VORRICHTUNG, STROMMESSER UND KRAFTFAHRZEUG 审中-公开
标题翻译：设备，电表和机动车
公开(公告)号：WO2002066997A1
公开(公告)日：2002-08-29
申请号：PCT/DE2002/000229
申请日：2002-01-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , HAUENSTEIN, Henning, M. , STRATMANN, Andreas , ERNST, Stephan , FEILER, Wolfgang , QU, Ning
发明人： HAUENSTEIN, Henning, M. , STRATMANN, Andreas , ERNST, Stephan , FEILER, Wolfgang , QU, Ning
IPC分类号： G01R15/20
CPC分类号： G01R15/207
摘要： Es wird eine Vorrichtung, ein Strommesser und ein Kraftfahrzeug vorgeschlagen, wobei die Messung der elektrischen Stromstärke in einem stromdurchflossenen elektrischen Leiter (1) mit wenigstens einem Sensormittel (15) durchgeführt wird, wobei der Leiter (1) einen ersten Abschnitt (10), einen zweiten Abschnitt (20), einen dritten Abschnitt (30) und einen vierten Abschnitt (40) aufweist, wobei eine erste Stromrichtung im ersten und dritten Abschnitt (10, 30) vorgesehen ist, wobei eine zweite Stromrichtung im zweiten und vierten Abschnitt (20, 40) vorgesehen ist und wobei die erste Stromrichtung und die zweite Stromrichtung antiparallel vorgesehen sind und wobei das Sensormittel (15) zwischen dem ersten, dem zweiten, dem dritten und dem vierten Abschnitt (10, 20, 30, 40) vorgesehen ist.
摘要翻译：它是一种装置，电流表和提出了一种机动车辆，其特征在于，电流的通电的电导体的测定（1）用至少一个传感器装置（15）中进行，其中，所述导体（1）的第一部分（10），一个第二部分（20），第三部分（30）和第四部分（40），其中，设置在所述第一和第三部分的第一电流方向（10，30），其中在所述第二和第四部分的第二电流方向（20， 40）被提供，并且其中所述第一电流方向，和第二电流方向是反平行的，并且其中在所述第一，第二，第三和第四部分（10，20，30，40）之间设置的传感器装置（15）。

26. 发明申请

WO2008022920A3 LASERLICHTQUELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2008022920A3
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/EP2007/058214
申请日：2007-08-08
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , VOGEL, Manfred , HERDEN, Werner , QU, Ning , RIDDERBUSCH, Heiko
发明人： VOGEL, Manfred , HERDEN, Werner , QU, Ning , RIDDERBUSCH, Heiko
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/024 , H01S3/0941
摘要： Die Erfindung betrifft eine Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 340d, 340e) mit einem Halbleiterlaserchip (341, 341a, 341b), der mehrere Laserlicht abstrahlende Emitter (342) aufweist. Erfindungsgemäß sind mindestens zwei Kühlelemente (345a, 345b, 345c) zur Kühlung des Halbleiterlaserchips (341, 341a, 341b) vorgesehen, die sich in Wärmekontakt mit zwei verschiedenen Oberflächen (341', 341") des Halbleiterlaserchips (341, 341a, 341b) befinden.

27. 发明申请

WO2011037665A2 METHODS AND APPARATUSES FOR USER-VERIFIABLE TRUSTED PATH IN THE PRESENCE OF MALWARE 审中-公开
标题翻译：用于恶意软件存在的用户可验证路由的方法和设备
公开(公告)号：WO2011037665A2
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/US2010/040334
申请日：2010-06-29
申请人： CARNEGIE MELLON UNIVERSITY , MCCUNE, Jonathan, M. , PERRIG, Adrian, M. , DATTA, Anupam , GILGOR, Virgil Dorin , QU, Ning
发明人： MCCUNE, Jonathan, M. , PERRIG, Adrian, M. , DATTA, Anupam , GILGOR, Virgil Dorin , QU, Ning
IPC分类号： G06F21/24
CPC分类号： G06F21/57 , G06F21/85
摘要： An apparatus and method for establishing a trusted path (152) between a user interface (150) and a trusted executable (312), wherein the trusted path (152) includes a hypervisor (316) and a driver shim (314). The method includes measuring (710) an identity of the hypervisor; comparing (712) the measurement of the identity of the hypervisor with a policy for the hypervisor; measuring (714) an identity of the driver shim; comparing (716) the measurement of the identity of the driver shim with a policy for the driver shim; measuring (718) an identity of the user interface; comparing (720) the measurement of the identity of the user interface with a policy for the user interface; and providing (722) a human-perceptible indication of whether the identity of the hypervisor, the identity of the driver shim, and the identity of the user interface correspond with the policy for the hypervisor, the policy for the driver shim, and the policy for the user interface, respectively.
摘要翻译：一种用于在用户接口（150）和可信任可执行程序（312）之间建立可信路径（152）的装置和方法，其中所述可信路径（152）包括管理程序（316）和驱动器垫片（314）。该方法包括测量（710）管理程序的身份; 比较（712）管理程序的身份的测量与管理程序的策略; 测量（714）驾驶员垫片的身份; 将（716）驾驶员垫片的身份测量与驾驶员垫片的策略进行比较; 测量（718）用户界面的身份; 将用户界面的身份的测量与用户界面的策略进行比较（720）; 以及提供（722）关于管理程序的身份，驱动程序垫片的身份以及用户界面的身份是否符合管理程序的策略，驱动程序垫片的策略以及策略（722）的人为可察觉的指示分别用于用户界面。

28. 发明申请

WO2019234653A1 AUTOMATED WORM LINE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019234653A1
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：PCT/IB2019/054678
申请日：2019-06-05
申请人： DERKS, Lou , QU, Ning
发明人： DERKS, Lou , QU, Ning
IPC分类号： C05F17/00 , C05F17/02
摘要： The invention relates to an automated worm line. The automated worm line (200) comprises a container station (10), one or more container conveyors (14), an organic material station (20), one or more organic material conveyors (24), for feeding organic material to empty containers (12a) to fill them with a defined amount of organic material, a worm filling station (30), one or more worm conveyors (34) for conveying worms to an organic material filled container (12b) to fill them of working worms (400a), a transfer station (50) for transferring organic material filled containers (12b) from the worm line, a storage station (60) for organic material filled containers (12b) where the filled containers (12b) are stored to for a time sufficient for the working worms (400a) to work the organic material, before being transferred back onto the worm line, a container emptying station (70), where the filled containers (12b) are emptied, a separating station, where worms are separated from compost and working worms are separated from worms for harvesting, one or more compost conveyors (74) for conveying the emptied worms (400) and worm compost (300) from the container emptying station (70) to the separating station (80), a worm collecting station (90), a compost collecting station (100); and one or more worm compost conveyors (84) to convey the worm compost (300) for collecting. It also relates to a method for the production of worms and worm compost.

29. 发明申请

WO2014195131A1 HOCHSPANNUNGS-TRENCH-JUNCTION-BARRIER-SCHOTTKYDIODE MIT P-SCHICHTEN UNTER DEM SCHOTTKY-KONTAKT 审中-公开
标题翻译：肖特基P层肖特基接触在高电压沟槽结势垒
公开(公告)号：WO2014195131A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/EP2014/060400
申请日：2014-05-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schottkydiode, aufweisend ein n + -Substrat (10), eine n-Epischicht (20), die eine Dicke ( D_epi ) aufweist, mindestens zwei in die n-Epischicht (20) eingebrachte Gräben (70), die jeweils eine Breite ( Wt )und eine Tiefe ( Dt ) aufweisen, Mesa-Bereiche (80) zwischen benachbarten Gräben (70), wobei die Mesa-Bereiche jeweils eine Breite ( Wm ) aufweisen, eine einen ohmschen Kontakt bildende und als Kathodenelektrode dienende erste Metallschicht (60) an der Rückseite (R) der Schottkydiode sowie eine einen ohmschen Kontakt zu den Gräben (70) und einen Schottky- Kontakt zu der n-Epischicht (20) bildende und als Anodenelektrode dienende zweite Metallschicht (50) an der Vorderseite (V) der Schottkydiode, wobei p-Schichten (90) mit einer Dicke ( D _p )und einer Dotierkonzentration ( N _p )direkt unter dem Schottky-Kontakt angeordnet sind, die zusammen mit der zweiten Metallschicht (50) und der n-dotierten Epischicht (20) ein Schottky-Kontaktsystem bilden.
摘要翻译：本发明涉及一种肖特基二极管，包括具有引入至少两个在n外延层（20）的沟槽（70）的厚度（D_epi）的n +型衬底（10），一个n外延层（20），每一个都具有宽度（w）和深度（DT），其台面区（80）相邻沟槽之间（70），所述台面区每个具有的宽度的欧姆接触形成和作为阴极电极的第一金属层（WM）（ 60）（在后侧R）的肖特基二极管和欧姆接触，以在沟槽（70）和一个肖特基接触形成并作为在所述前侧的阳极电极的第二金属层（50）（V n型外延层（20）的）肖特基二极管，其特征在于，具有厚度和掺杂浓度（N _p）p-层（90）（_p D）是下肖特基接触直接设置的，其与所述第二金属层（50）和n型掺杂的外延层一起（20 ）形成肖特基接触系统。

30. 发明申请

WO2014183897A1 MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： MOS场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2014183897A1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：PCT/EP2014/054643
申请日：2014-03-11
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： QU, Ning , TRAUTMANN, Achim , GRIEB, Michael
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/046 , H01L21/049 , H01L21/26513 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/66734
摘要： Erfindungsgemäß werden ein Substrat für einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor zur Verfügung gestellt. Das Substrat umfasst: eine n-dotierte epitaktische Driftzone (10), eine auf der Driftzone angeordnete p - -dotierte epitaktische erste Schicht (20), eine auf der ersten Schicht angeordnete hoch n-dotierte zweite Schicht (20) und einen durch p + -Implantation gebildeten Anschluss (41), wobei die erste Schicht (20) in elektrischem Kontakt mit dem Anschluss (41) steht und lateral zwischen dem Anschluss (41) und einem Graben angeordnet ist, wobei der Graben in der Driftzone, in derersten Schicht (20) und in der zweiten Schicht (30) gebildet ist. Das Substrat ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Implantationstiefe (P) der p + -Implantation mindestens so groß ist wie eine Tiefe des Grabens. Die tiefe p + -Implantation kann benachbarte Gräben so separieren, dass ein Feld nicht mehr an ein Gate-Oxid angreifen kann, da es um das Gate-Oxid herumgeleitet wird.
摘要翻译：根据本发明，提供了用于MOSFET的衬底，和一个MOSFET。所述衬底包括：n掺杂外延漂移区域（10），设置装置在所述漂移区域p - 掺杂的外延第一层（20），设置在所述第一层（20）和a至p +上的高n掺杂的第二层 - （41）形成的植入连接，其中所述第一层（20）与所述端子（41）和沟槽之间的端子（41）和横向的电接触，所述漂移区的沟槽，（在第一层20 形成），并在所述第二层（30）。基板的特征在于，在p +注入的注入深度（P）是至少为沟槽的深度一样大。深p +植入物可以在相邻的沟槽，分离，使得一个字段不能在栅极氧化作用，因为它是围绕栅极氧化物引导。

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