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    • 10. 发明申请
    • HALBLEITERANORDNUNG MIT EINEM SILIZIUMCARBID-SUBSTRAT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    • 随着对碳化硅衬底和方法功率半导体装置及其
    • WO2011009654A1
    • 2011-01-27
    • PCT/EP2010/057137
    • 2010-05-25
    • ROBERT BOSCH GMBHHEYERS, KlausPECK, Marco
    • HEYERS, KlausPECK, Marco
    • H01L21/04H01L29/24H01L29/872H01L21/76
    • H01L29/872H01L21/8213H01L29/1608H01L29/6606
    • Vorgeschlagen wird eine Halbleiteranordnung und ein Verfahren zur prozesstechnisch einfachen Herstellung einer lateralen elektrischen Isolation auf einem Siliziumcarbid-Substrat (1, 9). Das Verfahren ist für alle Randterminierungen von Leistungsbauelementen wie Schalter und Dioden, jedoch insbesondere für Schottky-Dioden (8) auf SiC geeignet. Durch elektrochemisches Ätzen wird bereichsweise eine poröse Siliziumcarbidschicht auf dem Substrat (1, 9) erzeugt, wobei die Ätzparameter und die Substratdotierung so gewählt werden, dass die porösen Bereiche (12, 13) mit einem vorgebbaren mittleren Verhältnis von Porendurchmesser und Porenwanddicke hergestellt werden. Die porösen Bereiche (12, 13) können durch eine thermische Oxidation in elektrisch isolierendes Siliziumdioxid umgewandelt werden, oder die Porenwanddicke wird so dünn eingestellt, dass die porösen Bereiche selbst isolierend werden.
    • 本发明公开了一种半导体器件和用于在碳化硅衬底上的横向电绝缘的工艺技术上简单制备方法(1,9)。 该方法适合于功率器件如开关和二极管,但特别适用于SiC肖特基二极管(8)的所有边缘终端。 在基板上的多孔质碳化硅层(1,9)部分通过电化学蚀刻,其中,所述蚀刻参数和所述衬底掺杂被选择为使得所述多孔区(12,13)中产生与孔径和孔壁的厚度的预定的平均比率产生。 多孔区(12,13)可以通过热氧化在电绝缘二氧化硅被转换,或在孔壁的厚度被调整成薄,使得多孔区域是自绝缘。