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1. 发明申请

WO2011037665A2 METHODS AND APPARATUSES FOR USER-VERIFIABLE TRUSTED PATH IN THE PRESENCE OF MALWARE 审中-公开
标题翻译：用于恶意软件存在的用户可验证路由的方法和设备
公开(公告)号：WO2011037665A2
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/US2010/040334
申请日：2010-06-29
申请人： CARNEGIE MELLON UNIVERSITY , MCCUNE, Jonathan, M. , PERRIG, Adrian, M. , DATTA, Anupam , GILGOR, Virgil Dorin , QU, Ning
发明人： MCCUNE, Jonathan, M. , PERRIG, Adrian, M. , DATTA, Anupam , GILGOR, Virgil Dorin , QU, Ning
IPC分类号： G06F21/24
CPC分类号： G06F21/57 , G06F21/85
摘要： An apparatus and method for establishing a trusted path (152) between a user interface (150) and a trusted executable (312), wherein the trusted path (152) includes a hypervisor (316) and a driver shim (314). The method includes measuring (710) an identity of the hypervisor; comparing (712) the measurement of the identity of the hypervisor with a policy for the hypervisor; measuring (714) an identity of the driver shim; comparing (716) the measurement of the identity of the driver shim with a policy for the driver shim; measuring (718) an identity of the user interface; comparing (720) the measurement of the identity of the user interface with a policy for the user interface; and providing (722) a human-perceptible indication of whether the identity of the hypervisor, the identity of the driver shim, and the identity of the user interface correspond with the policy for the hypervisor, the policy for the driver shim, and the policy for the user interface, respectively.
摘要翻译：一种用于在用户接口（150）和可信任可执行程序（312）之间建立可信路径（152）的装置和方法，其中所述可信路径（152）包括管理程序（316）和驱动器垫片（314）。该方法包括测量（710）管理程序的身份; 比较（712）管理程序的身份的测量与管理程序的策略; 测量（714）驾驶员垫片的身份; 将（716）驾驶员垫片的身份测量与驾驶员垫片的策略进行比较; 测量（718）用户界面的身份; 将用户界面的身份的测量与用户界面的策略进行比较（720）; 以及提供（722）关于管理程序的身份，驱动程序垫片的身份以及用户界面的身份是否符合管理程序的策略，驱动程序垫片的策略以及策略（722）的人为可察觉的指示分别用于用户界面。

2. 发明公开

EP2462507A2 METHODS AND APPARATUSES FOR USER-VERIFIABLE TRUSTED PATH IN THE PRESENCE OF MALWARE 有权
标题翻译：方法和装置SECUREBENUTZERPRÜFBARE的路径选择PRESENCE恶意软件
公开(公告)号：EP2462507A2
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：EP10819183.4
申请日：2010-06-29
申请人： Carnegie Mellon University
发明人： MCCUNE, Jonathan, M. , PERRIG, Adrian, M. , DATTA, Anupam , GILGOR, Virgil Dorin , QU, Ning
IPC分类号： G06F11/00
CPC分类号： G06F21/57 , G06F21/85
摘要： An apparatus and method for establishing a trusted path (152) between a user interface (150) and a trusted executable (312), wherein the trusted path (152) includes a hypervisor (316) and a driver shim (314). The method includes measuring (710) an identity of the hypervisor; comparing (712) the measurement of the identity of the hypervisor with a policy for the hypervisor; measuring (714) an identity of the driver shim; comparing (716) the measurement of the identity of the driver shim with a policy for the driver shim; measuring (718) an identity of the user interface; comparing (720) the measurement of the identity of the user interface with a policy for the user interface; and providing (722) a human-perceptible indication of whether the identity of the hypervisor, the identity of the driver shim, and the identity of the user interface correspond with the policy for the hypervisor, the policy for the driver shim, and the policy for the user interface, respectively.

3. 发明授权

EP2462507B1 METHODS AND APPARATUSES FOR USER-VERIFIABLE TRUSTED PATH IN THE PRESENCE OF MALWARE 有权
公开(公告)号：EP2462507B1
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：EP10819183.4
申请日：2010-06-29
申请人： Carnegie Mellon University
发明人： MCCUNE, Jonathan, M. , PERRIG, Adrian, M. , DATTA, Anupam , GILGOR, Virgil Dorin , QU, Ning
IPC分类号： G06F21/85 , G06F21/57

4. 发明申请

WO2012055627A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT SCHOTTKYDIODE 审中-公开
标题翻译：肖特基功率半导体装置
公开(公告)号：WO2012055627A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/065614
申请日：2011-09-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/404 , H01L29/417
摘要： Halbleiteranordnung einer S uper- T rench- S chottky- B arrier- D iode (STSBD), bestehend aus einem n+-Substrat 10, einer n-Epischicht 20, in die n-Epischicht 20 eingeätzten Gräben (Trenchs) 30 mit einer Breite Wt und einem Abstand zum n+-Substrat 10 D_epi , Mesa-Bereichen 40 zwischen den benachbarten Gräben 30 mit einer Breite Wm , einer Metallschicht an der Vorderseite des Chips 50 die ein Schottky-Kontakt ist und als Anodenelektrode dient, und einer Metallschicht an der Rückseite des Chips 60 die ein ohmscher Kontakt ist und als Kathodenelektrode dient, dadurch gekennzeichnet, dass sich an der Trenchwand mehrere Schottky-Kontakte 70 mit einer Weite D_sk und einem Anstand zwischen den Schottky-Kontakten D_gap sowie zwischen dem Schottky-Kontakt 50 als Anodenelektrode und dem ersten Schottky-Kontakt 70 befinden.
摘要翻译：超沟槽肖特基势垒二极管（STSBD），由n +衬底10，n型外延层20，在n型外延层进行蚀刻的半导体装置20周的槽（沟槽），其具有一个宽度Wt和从n +的距离30 具有宽度Wm，在芯片50中，肖特基接触的前侧的金属层和用作阳极的电极，并在芯片60的背面上的金属层，欧姆30的相邻沟槽之间基板10 D_epi，台面部分40 接触，并作为其特征在于，有在沟槽壁几个肖特基接触70具有宽度D_SK一个阴极电极和肖特基接触之间D_gap和肖特基接触50作为阳极电极与所述第一肖特基接触之间的正当性70 ，

5. 发明申请

WO2011057848A1 SCHOTTKYDIODE 审中-公开
标题翻译：肖特基
公开(公告)号：WO2011057848A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/EP2010/064003
申请日：2010-09-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/8611
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung einer Schottkydiode mit integrierter PN-Diode als Klammerelement beschrieben, die sich insbesondere als Z-Diode mit einer Durchbruchspannung von ca. 20V zum Einsatz in Kfz-Generatorsystem eignet. Dabei besteht die Halbleiteranordnung der Schottkydiode aus einer Kombination von Schottkydiode und PN-Diode. Die Durchbruchspannung der PN-Diode BV_pn ist sehr viel niedriger als die Durchbruchspannung der Schottkydiode BV _ schottkyt , wobei die Halbleiteranordnung mit hohen Strömen im Durchbruch betrieben werden kann.
摘要翻译：它与集成PN二极管作为夹紧元件，一个肖特基二极管，其特别适合作为具有约20V为在电动发电机系统一起使用的击穿电压的齐纳二极管的半导体装置进行说明。存在来自肖特基二极管和PN二极管的组合肖特基二极管的半导体器件。 PN二极管BV_pn的击穿电压大于所述肖特基二极管BV_schottkyt的击穿电压低得多，其特征在于，该半导体器件可与在孔中的高电流下操作。

6. 发明申请

WO2011015393A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT EINER SCHOTTKY-DIODE 审中-公开
标题翻译：与肖特基二极管功率半导体装置
公开(公告)号：WO2011015393A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/EP2010/058060
申请日：2010-06-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/66143
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode (TJBS) mit integrierter PN-Diode als Klammerelement, die sich insbesondere als Z-Diode mit einer Durchbruchspannung von ca. 20V zum Einsatz in Kfz-Generatorsystem eignet, beschrieben. Dabei besteht die TJBS aus einer Kombination von Schottky-Diode und PN-Diode. Für die Durchbruchspannungen gilt, dass die Durchbruchspannung der PN-Diode BV_pn niedriger ist als die Durchbruchspannung der Schottky-Diode BV_schottky . Daher kann die Halbleiteranordnung mit hohen Strömen im Durchbruch betrieben werden.
摘要翻译：它是具有沟槽结势垒肖特基二极管（TJBS）集成PN二极管作为夹紧元件，其特别适合作为具有约20V用于描述汽车发电机系统一起使用的击穿电压的齐纳二极管的半导体器件。有肖特基二极管和PN二极管的组合的TJBS。它适用于击穿电压，该PN二极管的击穿电压BV_pn大于肖特基二极管BV_schottky的击穿电压低。因此，半导体器件可以在突破高的电流来操作。

7. 发明申请

WO2009040279A1 HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件和方法及其
公开(公告)号：WO2009040279A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/EP2008/062346
申请日：2008-09-17
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/868 , H01L29/0611 , H01L29/0623 , H01L29/161 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung bestehend aus einem hoch n-dotiertes Siliziumsubstrat (1) und einer ersten n-Siliziumepitaxieschicht (22), die sich direkt an das hoch n-dotiertes Siliziumsubstrat (1)anschließt, mit einer p-dotierten SiGe-Schicht (3), die sich an eine zweite n-dotierte Siliziumepitaxieschicht (12) anschließt und eine Heteroübergang-Diodebildet, welche sich über der ersten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (22) befindet und bei der sich der pn-Übergang innerhalb der p-dotierten SiGe-Schicht (3) befindet, beschrieben. Dabei hat die erste n-Siliziumepitaxieschicht (22) eine höhere Dotierkonzentration als die zweite n-Siliziumepitaxieschicht (12). Zwischen den beiden n-dotierten Epitaxieschichten liegt mindestens eine p-dotierte Emitterwanne (9),die einen vergrabenen Emitter bildet, wobei sich sowohl ein pn-Übergang zur ersten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (22) als auch zur zweiten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (12) ausbildet und wobei die mindestens eine Emitterwanne (9) vollständig von den beiden Epitaxieschichten umschlossen ist.
摘要翻译：其次是由高n掺杂硅衬底（1）和第一n-硅外延层（22）的半导体装置直接延伸到高度n掺杂硅衬底（1）中，用p型掺杂的SiGe层（3 ），其邻近于第二n型掺杂的硅外延层（12）和异质结二极管的形式，其位于（第一n掺杂硅外延层22）上，并且其中所述p掺杂的SiGe层内的pn结（3）进行说明。这里，第一n-硅外延层（22）具有更高的掺杂浓度比所述第二n硅外延层（12）。两个n型掺杂外延层位于之间的至少一个p型掺杂的发射极槽（9），其形成掩埋发射极，与两个pn结到第一n掺杂硅外延层（22）和所述第二n型掺杂的硅外延层（12 ）和形成所述至少一个发射器槽（9），由两个外延层是完全封闭的。

8. 发明申请

WO2003043086A2 VERFAHREN ZUM ERFASSEN VON STRÖMEN IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM MULTI-ZELLEN-STROMSENSOR 审中-公开
标题翻译：一种用于在半导体元件检测中流保证的多单元功率传感器
公开(公告)号：WO2003043086A2
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/DE2002/003870
申请日：2002-10-11
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FEILER, Wolfgang , QU, Ning
发明人： FEILER, Wolfgang , QU, Ning
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L29/7815 , G01R19/0092 , H01L29/7803
摘要： Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Erfassen von Strömen in einem Halbleiterbauelement (100), wobei mindestens eine Stromsensorzelle (101) in einem aktiven Bereich (102) eines Halbleiterbauelements (100) angeordnet wird, wobei die mindestens eine Stromsensorzelle (101) an vorgebbaren lokalen Stellen in dem Halbleiterbauelement positionierbar ist, eine erste Source-Anschlusseinheit (111) der Stromsensorzelle (101) mit einem Bondanschluss (203) über Leiterbahnen (204) verbunden wird, mindestens ein Strom von einem Substrat (104) des Halbleiterbauelements (100) über die mindestens eine Stromsensorzelle (101), die erste Source-Anschlusseinheit (111) und ein Sensorwiderstandselement (113) zu einem Masseanschluss (116) durchgeleitet wird, und mindestens ein durch die mindestens eine Stromsensorzelle fließender Strom durch Abgreifen eines dem Strom entsprechenden Spannungsabfalls über dem Sensorwiderstandselement (113) erfasst wird.
摘要翻译：本发明提供一种用于在半导体器件（100）检测电流的方法，所述半导体器件（100）的有源区（102）的至少一个电流传感器单元（101）中，所述预定的本地地点的至少一个电流传感器单元（101）在该半导体器件可以被定位，第一源极端子单元（111），电流传感器单元（101），以经由导体的接合端子（203）（204）经由至少连接到所述半导体器件（100）的衬底（104）中的至少一个流电流传感器单元（101），第一源极端子单元（111）和传感器电阻元件（113）与接地端子（116）被传递，以及至少一个（由流经分接一个对应于在传感器电阻元件上的电压降的至少一个电流传感器单元电流 113）被检测到。

9. 发明申请

WO2013079304A1 HOCHSPANNUNGS-TRENCH-JUNCTION-BARRIER-SCHOTTKYDIODE 审中-公开
标题翻译：高压沟槽结势垒肖特基
公开(公告)号：WO2013079304A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/EP2012/072378
申请日：2012-11-12
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L29/0634 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schottkydiode, die ein n + -Substrat, eine n-Epischicht, mindestens zwei in die n-Epischicht eingebrachte p-dotierte Gräben, Mesabereiche zwischen benachbarten Gräben, eine als Kathodenelektrode dienende Metallschicht und eine als Anodenelektrode dienende weitere Metallschicht aufweist. Die Dicke der Epischicht ist größer als das Vierfache der Tiefe der Gräben.
摘要翻译：本发明涉及一种肖特基二极管，具有n +衬底，n外延层，至少两个引入到相邻的沟槽之间的n外延层的p掺杂沟槽台面，作为阴极电极的金属层和作为金属构成的阳极电极进一步层。外延层的厚度是沟槽大于四倍的深度。

10. 发明申请

WO2007135146A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND GLEICHRICHTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体部件和整流器布置
公开(公告)号：WO2007135146A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/EP2007/054939
申请日：2007-05-22
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/866 , H01L29/16 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/22 , H01L29/7371 , H01L29/866 , H01L29/872
摘要： Es werden Halbleitereinrichtungen, sogenannte Hetero-Junction-Dioden (HJD) und Gleichrichteranordnungen mit derartigen Halbleitereinrichtungen angegeben. Die Hetero- Junction-Dioden (HJD) setzen sich zusammen aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien, insbesondere Silizium-Germanium und Silizium, die jeweils unterschiedlich dotiert sind. Durch Wahl des Germaniumanteils sowie der Dichte der SiGe-Schicht lassen sich Eigenschaften wie Durchbruchspannung und Sperrstrom der Diode in gewissen Bereichen einstellen. Die Hetero-Junction-Dioden (HJD) sind in Gleichrichteranordnungen, beispielsweise für Generatoren in Kraftfahrzeugen eingesetzt, wobei zusätzlich zu den Hetero-Junction-Dioden (HJD) weitere Halbleiterelemente geschaltet sein können, beispielsweise Schottky-Dioden, Zenerdioden oder Feldplatten. Durch die geringe Flussspannung der Hetero-Junction-Dioden (HJD) wird der Wirkungsgrad sowie die Abgabeleistung im Leerlauf des Generators gegenüber herkömmlichen Halbleiterbrücken verbessert.
摘要翻译：有标有这样的半导体器件，半导体器件，所谓的异质结二极管（HJD）和整流器组件。异质结二极管（HJD）由不同的半导体材料，特别是硅 - 锗和硅中，每个不同地掺杂。由锗含量的选择和SiGe层属性的密度可击穿电压和在设定特定区域的二极管的阻断电流。异质结二极管（HJD）在整流装置中使用，例如用于在机动车发电机，除异质结二极管（HJD）其它半导体元件可以被连接，例如，肖特基二极管，齐纳二极管或场板。由于异质结二极管（HJD）发电机空转期间的效率和功率输出的低正向电压超过常规半导体桥被改善。

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