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1. 发明申请

WO2002086432A1 VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG VON TEMPERATUREN AN HALBLEITERBAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：用于确定温度对半导体元件
公开(公告)号：WO2002086432A1
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：PCT/DE2002/001436
申请日：2002-04-18
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , HAUENSTEIN, Henning, M.
发明人： HAUENSTEIN, Henning, M.
IPC分类号： G01K11/00
CPC分类号： G01K11/00
摘要： Zur Bestimmung einer Temperatur an einem Halbleiterbauelement (1) wird eine Abfragelichtwelle (7) auf einen Messpunkt an dem Halbleiterbauelement eingestrahlt, eine von dem Messpunkt abgestrahlte Antwortlichtwelle (8, 8') erfasst und die Temperatur des Messpunkt anhand einer Temperaturabhängigen Eigenschaft (R) der Antwortlichtwelle (8, 8') ermittelt.
摘要翻译：为了确定一个半导体部件的温度（1）照射的查询光波（7）至所述半导体器件上的测量点，从测量点的响应光的轴（8,8“）所发出的光被检测和测量点的基础上的依赖于温度的特性（R）的温度确定的响应光的轴（8,8“）。

2. 发明申请

WO02056045A2 DEVICE FOR SENSING A MAGNETIC FIELD, A MAGNETIC FIELD METER AND AN AMMETER 审中-公开
标题翻译： DEVICE FOR磁敏，磁性刀架和电流表
公开(公告)号：WO02056045A2
公开(公告)日：2002-07-18
申请号：PCT/DE0104854
申请日：2001-12-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , HAUENSTEIN HENNING M
发明人： HAUENSTEIN HENNING M
IPC分类号： G01R15/20 , G01R33/06 , H01L29/82 , G01R33/00
CPC分类号： G01R33/06 , G01R15/20
摘要： The invention relates to a device, a magnetic field meter and to an ammeter. The device is characterized in that it is provided with a first magnetic field sensor means (1, 101), a second magnetic field sensor means (201), and with a third magnetic field sensor means (301). A first output quantity (110) of the first magnetic field sensor means (101) is provided as a first input quantity (200). A second output quantity (120) of the first magnetic field sensor means (101) is provided as a second input quantity (300). The first input quantity (200) is provided as an input quantity for the second magnetic field sensor means (201), and the second input quantity (300) is provided as an input quantity for the third magnetic field sensor means (301).
摘要翻译：公开了一种设备，一个磁强计和安培计，其特征在于，该装置的特征在于，设置的第一磁场传感器装置（1，101），第二磁场传感器装置（201）和第三磁场传感器装置（301），其中，第一输出变量（ 110设置）的第一磁场传感器装置（101）作为第一磁场传感器装置（101）作为第二输入变量（300），的第一输入变量（120）的方法，其中所述第一输入变量（200）（作为第二磁场传感器的输入变量装置提供201）和其中，所述第二输入变量（300）被设置为用于所述第三磁场传感器装置（301）的输入变量。

3. 发明申请

WO2007130643A9 DIE-ON-LEADFRAME (DOL) WITH HIGH VOLTAGE ISOLATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2007130643A9
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：PCT/US2007010950
申请日：2007-05-04
申请人： INT RECTIFIER CORP , HAUENSTEIN HENNING M , MARCINKOWSKI JACK , LIN HENY
发明人： HAUENSTEIN HENNING M , MARCINKOWSKI JACK , LIN HENY
IPC分类号： H01L23/24
CPC分类号： H01L23/49861 , H01L23/049 , H01L23/4951 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/10253 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： A high voltage semiconductor module has a leadframe with spaced pads which is connected to a heat sink plate by a curable insulation layer on the top of the plate. Semiconductor die may be soldered to the leadframe pads before or after assembly to the plate. The insulation layer may be a curable epoxy or a B stage IMS plate.

4. 发明申请

WO2007139852A2 HIGHLY EFFICIENT BOTH-SIDE-COOLED DISCRETE POWER PACKAGE, ESPECIALLY BASIC ELEMENT FOR INOVATIVE POWER MODULES 审中-公开
标题翻译：高功率双端冷却离散功率封装，特别是功率模块的基本元件
公开(公告)号：WO2007139852A2
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：PCT/US2007012328
申请日：2007-05-23
申请人： INT RECTIFIER CORP , HAUENSTEIN HENNING M
发明人： HAUENSTEIN HENNING M
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/3121 , H01L23/3733 , H01L24/97 , H01L2224/73153 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： Two DBC wafers have patterned first conductive surfaces which receive a semiconductor die in sandwich fashion. Lead frame terminally extending into the package interior and are connected to the die terminals. The outer conductive surfaces of each of the wafers are available for two-sided cooling of the semiconductor.
摘要翻译：两个DBC晶片具有以三明治方式接收半导体管芯的第一导电表面。引线框架终端延伸到封装内部并连接到管芯端子。每个晶片的外部导电表面可用于半导体的双面冷却。

5. 发明申请

WO2007120769A2 LOW INDUCTANCE BOND-WIRELESS CO-PACKAGE FOR HIGH POWER DENSITY DEVICES, ESPECIALLY FOR IGBTS AND DIODES 审中-公开
标题翻译：适用于高功率密度器件的低电感无线无线封装，特别适用于IGBTS和DIODES
公开(公告)号：WO2007120769A2
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/US2007009037
申请日：2007-04-13
申请人： INT RECTIFIER CORP , HAUENSTEIN HENNING M
发明人： HAUENSTEIN HENNING M
IPC分类号： H01L29/76
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/13 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/074 , H01L25/18 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/73153 , H01L2224/732 , H01L2224/83051 , H01L2224/83101 , H01L2224/838 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： A power semiconductor package that includes at least two semiconductor devices electrically coupled to one another through a common metallic web.
摘要翻译：一种功率半导体封装，其包括通过公共金属网而彼此电耦合的至少两个半导体器件。

6. 发明申请

WO2002066997A1 VORRICHTUNG, STROMMESSER UND KRAFTFAHRZEUG 审中-公开
标题翻译：设备，电表和机动车
公开(公告)号：WO2002066997A1
公开(公告)日：2002-08-29
申请号：PCT/DE2002/000229
申请日：2002-01-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , HAUENSTEIN, Henning, M. , STRATMANN, Andreas , ERNST, Stephan , FEILER, Wolfgang , QU, Ning
发明人： HAUENSTEIN, Henning, M. , STRATMANN, Andreas , ERNST, Stephan , FEILER, Wolfgang , QU, Ning
IPC分类号： G01R15/20
CPC分类号： G01R15/207
摘要： Es wird eine Vorrichtung, ein Strommesser und ein Kraftfahrzeug vorgeschlagen, wobei die Messung der elektrischen Stromstärke in einem stromdurchflossenen elektrischen Leiter (1) mit wenigstens einem Sensormittel (15) durchgeführt wird, wobei der Leiter (1) einen ersten Abschnitt (10), einen zweiten Abschnitt (20), einen dritten Abschnitt (30) und einen vierten Abschnitt (40) aufweist, wobei eine erste Stromrichtung im ersten und dritten Abschnitt (10, 30) vorgesehen ist, wobei eine zweite Stromrichtung im zweiten und vierten Abschnitt (20, 40) vorgesehen ist und wobei die erste Stromrichtung und die zweite Stromrichtung antiparallel vorgesehen sind und wobei das Sensormittel (15) zwischen dem ersten, dem zweiten, dem dritten und dem vierten Abschnitt (10, 20, 30, 40) vorgesehen ist.
摘要翻译：它是一种装置，电流表和提出了一种机动车辆，其特征在于，电流的通电的电导体的测定（1）用至少一个传感器装置（15）中进行，其中，所述导体（1）的第一部分（10），一个第二部分（20），第三部分（30）和第四部分（40），其中，设置在所述第一和第三部分的第一电流方向（10，30），其中在所述第二和第四部分的第二电流方向（20， 40）被提供，并且其中所述第一电流方向，和第二电流方向是反平行的，并且其中在所述第一，第二，第三和第四部分（10，20，30，40）之间设置的传感器装置（15）。

7. 发明申请

WO2007120769B1 LOW INDUCTANCE BOND-WIRELESS CO-PACKAGE FOR HIGH POWER DENSITY DEVICES, ESPECIALLY FOR IGBTS AND DIODES 审中-公开
标题翻译：适用于高功率密度器件的低电感无线无线封装，特别适用于IGBTS和DIODES
公开(公告)号：WO2007120769B1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/US2007009037
申请日：2007-04-13
申请人： INT RECTIFIER CORP , HAUENSTEIN HENNING M
发明人： HAUENSTEIN HENNING M
IPC分类号： H01L23/02
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/13 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/074 , H01L25/18 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/73153 , H01L2224/732 , H01L2224/83051 , H01L2224/83101 , H01L2224/838 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： A power semiconductor package that includes at least two semiconductor devices electrically coupled to one another through a common metallic web.
摘要翻译：一种功率半导体封装，其包括通过公共金属网而彼此电耦合的至少两个半导体器件。

8. 发明申请

WO2007139852A9 HIGHLY EFFICIENT BOTH-SIDE-COOLED DISCRETE POWER PACKAGE, ESPECIALLY BASIC ELEMENT FOR INOVATIVE POWER MODULES 审中-公开
标题翻译：高功率双端冷却离散功率封装，特别是功率模块的基本元件
公开(公告)号：WO2007139852A9
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/US2007012328
申请日：2007-05-23
申请人： INT RECTIFIER CORP , HAUENSTEIN HENNING M
发明人： HAUENSTEIN HENNING M
IPC分类号： H01L23/52 , H01L29/40
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/3121 , H01L23/3733 , H01L24/97 , H01L2224/73153 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： Two DBC wafers have patterned first conductive surfaces which receive a semiconductor die in sandwich fashion. Lead frame terminally extending into the package interior and are connected to the die terminals. The outer conductive surfaces of each of the wafers are available for two-sided cooling of the semiconductor.
摘要翻译：两个DBC晶片具有以三明治方式接收半导体管芯的第一导电表面。引线框架终端延伸到封装内部并连接到管芯端子。每个晶片的外部导电表面可用于半导体的双面冷却。

9. 发明申请

WO2007130643A3 DIE-ON-LEADFRAME (DOL) WITH HIGH VOLTAGE ISOLATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2007130643A3
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/US2007/010950
申请日：2007-05-04
申请人： INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION , HAUENSTEIN, Henning, M. , MARCINKOWSKI, Jack , LIN, Heny
发明人： HAUENSTEIN, Henning, M. , MARCINKOWSKI, Jack , LIN, Heny
IPC分类号： H01L23/24
摘要： A high voltage semiconductor module has a leadframe with spaced pads which is connected to a heat sink plate by a curable insulation layer on the top of the plate. Semiconductor die may be soldered to the leadframe pads before or after assembly to the plate. The insulation layer may be a curable epoxy or a B stage IMS plate.

10. 发明申请

WO2007130643A2 DIE-ON-LEADFRAME (DOL) WITH HIGH VOLTAGE ISOLATION 审中-公开
标题翻译：带高压隔离器的DIE-ON-LEADFRAME（DOL）
公开(公告)号：WO2007130643A2
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/US2007010950
申请日：2007-05-04
申请人： INT RECTIFIER CORP , HAUENSTEIN HENNING M , MARCINKOWSKI JACK , LIN HENY
发明人： HAUENSTEIN HENNING M , MARCINKOWSKI JACK , LIN HENY
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/24 , H01L23/48 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/49861 , H01L23/049 , H01L23/4951 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/10253 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： A high voltage semiconductor module has a leadframe with spaced pads which is connected to a heat sink plate by a curable insulation layer on the top of the plate. Semiconductor die may be soldered to the leadframe pads before or after assembly to the plate. The insulation layer may be a curable epoxy or a B stage IMS plate.
摘要翻译：高压半导体模块具有带有间隔垫的引线框架，该引线框架通过板顶部的可固化绝缘层连接到散热板。半导体管芯可以在组装到板之前或之后焊接到引线框焊盘。绝缘层可以是可固化环氧树脂或B阶段IMS板。

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