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21. 发明专利

DE102006053597A1 未知
公开(公告)号：DE102006053597A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：DE102006053597
申请日：2006-11-14
申请人： DENSO CORP
发明人： KOMURA ATSUSHI , TAMURA MUNEO , SUGIURA KAZUHIKO , FUNATO HIROTSUGU , MARUYAMA YUMI , FUJII TETSUO , KOHNO KENJI
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/40
摘要： A method for dicing a semiconductor substrate includes: forming a reforming layer in the substrate by irradiating a laser beam on the substrate; forming a groove on the substrate along with a cutting line; and applying a force to the substrate in order to cutting the substrate at the reforming layer as a starting point of cutting. The groove has a predetermined depth so that the groove is disposed near the reforming layer, and the force provides a stress at the groove.

22. 发明专利

DE102005059773A1 未知
公开(公告)号：DE102005059773A1
公开(公告)日：2006-06-22
申请号：DE102005059773
申请日：2005-12-14
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： B81C1/00
摘要： A method of manufacturing a micro-structure includes dry-etching a sacrificial layer provided to a silicon substrate to form structures the sacrificial layer reacting with etching gas to generate reaction products including H2O, wherein the dry-etching includes etching the sacrificial layer and removing H2O as one of the reaction products generated through the etching step of the sacrificial layer, wherein the etching and the removing of H2O are repetitively performed.

23. 发明专利

DE102004043233A1 未知
公开(公告)号：DE102004043233A1
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：DE102004043233
申请日：2004-09-07
申请人： DENSO CORP
发明人： ASAMI KAZUSHI , OOHARA JUNJI , MUTO HIROSHI , SUGIURA KAZUHIKO , FUKADA TSUYOSHI , TAKEUCHI YUKIHIRO
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/306 , H01L29/80 , H05K3/06
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device having a movable portion includes the steps of: forming a trench on a semiconductor layer so that the trench reaches an insulation layer; and forming a movable portion by etching a sidewall of the trench so that the semiconductor layer is separated from the insulation layer. The steps of forming the trench and forming the movable portion are performed by a reactive ion etching method. The insulation layer disposed on the bottom of the trench is prevented from charging positively in the step of forming the trench. The insulation layer disposed on the bottom of the trench is charged positively in the step of forming the movable portion.

24. 发明专利

DE112017003379B4 Halbleiterchip und Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112017003379B4
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：DE112017003379
申请日：2017-06-29
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , IWASHIGE TOMOHITO , KAWAI JUN
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/62 , H01L23/373 , H01L23/40 , H01L23/58 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： Halbleitervorrichtung, die aufweist:einen Halbleiterchip (2), der einen Elektrodenabschnitt (19, 24) hat, undein Verbindungsglied (5 bis 7), das elektrisch mit dem Elektrodenabschnitt (19, 24) verbunden ist, um ein Fließen eines elektrischen Stroms in dem Halbleiterchip (2) durch das Verbindungsglied (5 bis 7) zu ermöglichen, wobeidas Verbindungsglied (5 bis 7) ein schützendes Material enthält, das einen positiven Temperaturkoeffizienten eines spezifischen Widerstands hat, wobei der positive Temperaturkoeffizient des spezifischen Widerstands einen größeren Wert in einem Temperaturbereich, der höher als eine Schwellentemperatur ist, als in einem Temperaturbereich, der niedriger als die Schwellentemperatur ist, hat, wobei die Schwellentemperatur eine vorbestimmte Temperatur ist, die niedriger als eine Zersetzungstemperatur des Halbleiterchips (2) ist,das Verbindungsglied (5 bis 7) ein Basismaterial, das einen spezifischen Widerstand hat, der niedriger als der des schützenden Materials ist, zusätzlich zu dem schützenden Material enthält,das Verbindungsglied (5 bis 7) eine schützende Schicht (30b) und eine Basisschicht (30a) enthält, unddie schützende Schicht (30b) aus dem schützenden Material gefertigt ist und die Basisschicht (30a) aus dem Basismaterial gefertigt ist,das Verbindungsglied (5 bis 7) durch einen Stapel aus der schützenden Schicht (30b) und der Basisschicht (30a) konfiguriert ist,das Verbindungsglied (5 bis 7) durch einen Stapel aus der schützenden Schicht (30b), die eine Vielzahl an schützende Schichten aufweist, und der Basisschicht (30a), die eine Vielzahl an Basisschichten aufweist, konfiguriert ist, in dem die Vielzahl an Basisschichten in einer Stapelrichtung der Vielzahl an schützenden Schichten und der Vielzahl an Basisschichten miteinander verbunden sind.

25. 发明专利

DE112017005657T5 HALBLEITERVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112017005657T5
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：DE112017005657
申请日：2017-11-02
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , IWASHIGE TOMOHITO , KAWAI JUN
IPC分类号： H01L21/52 , B22F1/00 , B22F7/04 , H01B1/22 , H01L23/48
摘要： Eine Vorrichtung enthält: ein Montageelement (2), das eine Elektrode (21, 22) aufweist; ein leitendes Element (1, 3), das der Elektrode (21, 22) zugewandt ist, und ein Verbindungselement (5, 6), das zwischen der Elektrode (21, 22) und dem leitenden Element (1, 3) angeordnet ist und die Elektrode (21, 22) und das leitende Element (1, 3) elektrisch und mechanisch verbindet. Das Verbindungselement (5, 6) besteht aus einem gesinterten Körper, bei dem ein zusätzliches Teilchen (9), das ein Metallatom enthält, das eine höhere Aggregationsenergie als ein Ag-Atom aufweist, zu einem Ag-Teilchen (8) hinzugefügt ist.

26. 发明专利

DE112015005217T5 HALBLEITERVORRICHTUNG UND ELEKTRONISCHES BAUTEIL, WELCHES DIESE VERWENDET 未知
公开(公告)号：DE112015005217T5
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：DE112015005217
申请日：2015-10-16
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO TAKEO , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/36 , H05K7/20
摘要： Eine Halbleitervorrichtung weist auf: einen Wärmeverteiler (10); ein Halbleiterelement (20) auf dem Wärmeverteiler; und ein Verbindungsteil (30), das zwischen dem Wärmeverteiler und dem Halbleiterelement angeordnet ist. Der Wärmeverteiler ist in der Reihenfolge von erster Wärmeverteiler, zweiter Wärmeverteiler und erster Wärmeverteiler in einer Richtung einer Ebene des Wärmeverteilers angeordnet. Jeder der ersten und zweiten Wärmeverteiler enthält eine Mehrzahl anisotroper wärmeleitfähiger Ebenen mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Die anisotrope wärmeleitfähige Ebene des ersten Wärmeverteilers ist parallel zu sowohl einer Stapelrichtung und einer ersten Richtung senkrecht zur Stapelrichtung. Die anisotrope wärmeleitfähige Ebene des zweiten Wärmeverteilers ist parallel zu sowohl der Stapelrichtung und einer zweiten Richtung senkrecht zur Stapelrichtung. Ein Vorstehbereich des Halbleiterelements überlappt den zweiten Wärmeverteiler.

27. 发明专利

DE102009055283A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102009055283A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：DE102009055283
申请日：2009-12-23
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , FUJII TETSUO , YOKURA HISANORI
IPC分类号： B81C3/00 , B81B1/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01C19/56 , G01C19/5656 , G01C19/5663 , G01C19/5769 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L29/84
摘要： Eine Halbleitervorrichtung weist einen Sensorabschnitt (10), einen Abdeckabschnitt (20) und eine ionenimplantierte Schicht (55) auf. Der Sensorabschnitt (10) besitzt einen Sensoraufbau (14-16) an einem Oberflächenabschnitt einer Oberfläche (10a). Der Abdeckabschnitt (20) besitzt eine erste und eine zweite Oberfläche (20a, 20b), die zueinander entgegengesetzt sind, und weist eine Durchgangselektrode (25c) auf. Die Oberfläche (10a) des Sensorabschnitts (10) ist so an die erste Oberfläche (20a) des Abdeckabschnitts (20) angefügt, dass der Sensoraufbau (14-16) zwischen dem Sensorabschnitt (10) und dem Abdeckabschnitt (20) versiegelt ist. Die ionenimplantierte Schicht (55) befindet sich auf der zweiten Oberfläche (20b) des Abdeckabschnitts (20). Die Durchgangselektrode (25c) erstreckt sich von der ersten Oberfläche (20a) zur zweiten Oberfläche (20b) und liegt durch die ionenimplantierte Schicht (55) hindurch frei.

28. 发明专利

DE102009018266A1 未知
公开(公告)号：DE102009018266A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：DE102009018266
申请日：2009-04-21
申请人： DENSO CORP
发明人： SUZUKI SHIGENORI , YOKURA HISANORI , YOKOYAMA KENICHI , FUJII TETSUO , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01C19/56 , G01C19/5769 , G01L1/14 , G01P15/125 , H01L29/84

29. 发明专利

DE102006052693B4 未知
公开(公告)号：DE102006052693B4
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：DE102006052693
申请日：2006-11-08
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , YOKOYAMA KENICHI , TAMURA MUNEO
IPC分类号： H01L21/50 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01C19/56 , G01C19/5769 , G01P15/08 , H01L29/84
摘要： A method of manufacturing a semiconductor sensor includes a forming step, a preparing step, a fixing step and a separating step. In the forming step, a plurality of caps made of resin is formed on a supporting substrate through a separable agent. Each of the caps has a cavity therein. In the preparing step, a semiconductor wafer is prepared, on which a plurality of sensor elements are formed. In the fixing step, the caps are fixed to the semiconductor wafer. Each cavity of the caps corresponds to each of the sensor elements. In the separating step, the separable agent and the supporting substrate are separated from the caps so as to leave the caps on the semiconductor wafer.

30. 发明专利

DE102008000261A1 Semiconductor device has cap electrical conductivity regions that function as draw-out electrical conductivity regions of cap substrate, are electrically connected to movable and fixed base semiconductor regions of base substrate 未知
公开(公告)号：DE102008000261A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：DE102008000261
申请日：2008-02-08
申请人： DENSO CORP
发明人： FUJII TETSUO , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/48 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/50
摘要： The device (100) has insulation separation trench (31) that penetrates cap substrate (C1) formed with several cap electrical conductivity regions (Ce1,Ce2). The cap substrate is bonded together facing predetermined region (R1) in surface layer portion of base substrate (B1) so that trench (23) of base substrate is sealed with concave portion (32) on cap substrate. The cap regions function as draw-out electrical conductivity regions and are electrically connected to movable and fixed base semiconductor regions (Bs1,Bs2). An independent claim is included for semiconductor device manufacturing method.

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