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1. 发明专利

DE112017003379T5 Halbleiterchip und Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112017003379T5
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：DE112017003379
申请日：2017-06-29
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , IWASHIGE TOMOHITO , KAWAI JUN
IPC分类号： H01L23/62 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/40 , H01L23/58 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Halbleiterchip (2), der einen Elektrodenabschnitt (19, 24) und ein Verbindungsglied (5 bis 7), das mit dem Elektrodenabschnitt (19,24) elektrisch verbunden ist, um ein Fließen eines elektrischen Stroms in dem Halbleiterchip (2) durch das Verbindungsglied (5 bis 7) zu ermöglichen, hat. Das Verbindungsglied (5 bis 7) enthält ein schützendes Material, das einen positiven Temperaturkoeffizienten eines spezifischen Widerstands hat und der positive Temperaturkoeffizient des spezifischen Widerstands hat einen größeren Wert in einem Temperaturbereich, der höher als eine Schwellentemperatur ist, als in einem Temperaturbereich, der niedriger als die Schwellentemperatur ist, wobei die Schwellentemperatur eine vorbestimmte Temperatur ist, die niedriger als eine Zersetzungstemperatur bzw. Ausfalltemperatur des Halbleiterchips (2) ist.

2. 发明专利

DE102004043233B4 Verfahren zum Herstellen eines beweglichen Abschnitts einer Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102004043233B4
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：DE102004043233
申请日：2004-09-07
申请人： DENSO CORP
发明人： ASAMI KAZUSHI , OOHARA JUNJI , MUTO HIROSHI , SUGIURA KAZUHIKO , FUKADA TSUYOSHI , TAKEUCHI YUKIHIRO
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/306 , H01L29/80 , H05K3/06
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Vorbereiten eines Halbleitersubstrats (10), das eine Isolationsschicht (13) und eine Halbleiterschicht (12) aufweist, wobei die Isolationsschicht (13) innerhalb des Substrats (10) angeordnet ist und die Halbleiterschicht (12) auf einer Oberfläche des Substrats (10) angeordnet ist; Ausbilden einer Maske (100), die ein vorbestimmtes Muster aufweist, auf der Halbleiterschicht (12); Ausbilden eines Grabens (14) auf der Halbleiterschicht (12) durch Ätzen der Halbleiterschicht (12) durch die Maske (100), wobei der Graben (14) von der Oberfläche der Halbleiterschicht (12) angeordnet ist und die Isolationsschicht (13) erreicht; und Ausbilden eines beweglichen Abschnitts (20, 21, 22, 24) durch Ätzen einer Seitenwand des Grabens (14), die in der Nähe des Bodens des Grabens (14) angeordnet ist, in eine Richtung, die parallel zu der Isolationsschicht (13) ist, so dass die Halbleiterschicht (12) von der Isolationsschicht (13) getrennt wird, wobei die Schritte des Ausbildens des Grabens (14) und des beweglichen Abschnitts (20, 21, 22, 24) durch ein reaktives Ionenätzverfahren derart durchgeführt werden, dass das Substrat (10) in eine Vakuumkammer (200) eingesetzt wird und ein reaktives Gas in die Kammer (200) eingebracht wird, um in den Plasmazustand überzugehen, das reaktive Ionenätzverfahren auf eine derartige Weise durchgeführt wird, dass ein Ätzschritt und ein Abscheidungsschritt abwechselnd und wiederholt durchgeführt werden, der Ätzschritt derart ist, dass ein Ätzgas in dem Plasmazustand die Halbleiterschicht (12) ätzt, und der Abscheidungsschritt derart ist, dass ein Abscheidungsgas in dem Plasmazustand einen Schutzfilm (50) auf der Innenwand des Grabens (14) abscheidet, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Schritt des Ausbildens des Grabens (14) und des Ausbildens des beweglichen Abschnitts (20, 21, 22, 24) derart eine unterschiedliche Ätzbedingung aufweist, dass ein Schutzeffekt des Schutzfilms (50) in dem Schritt des Ausbildens des beweglichen Abschnitts (20, 21, 22, 24) schwächer als in dem Schritt des Ausbildens des Grabens (14) ist, wobei die Ätzbedingung jeweils derart festgelegt ist, dass ...

3. 发明专利

DE112006001152B8 Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung mit Elementabschnitt 未知
公开(公告)号：DE112006001152B8
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：DE112006001152
申请日：2006-04-25
申请人： DENSO CORP
发明人： OGINO MASAHIRO , MURATA MINORU , SUGIURA KAZUHIKO , FUJII TETSUO
IPC分类号： B81B5/00 , B81C1/00 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L21/60

4. 发明专利

DE10321482B4 Verbesserung von Membraneigenschaften einer Halbleiteranordnung 未知
公开(公告)号：DE10321482B4
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：DE10321482
申请日：2003-05-13
申请人： DENSO CORP
发明人： KAWASAKI EISHI , YOKURA HISANORI , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , G01L9/00 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L29/84
摘要： Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitersubstrat (10), einen Hohlraum (20), der auf einer Seite des Halbleitersubstrats (10) gebildet ist, und eine Membran (30) aufweist, die auf der einen Seite des Halbleitersubstrats (10) angeordnet ist und den Hohlraum (20) abdeckt und hermetisch verschließt, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: a) Bilden einer Opferschicht (60) an einer Position, an welcher der Hohlraum (20) auf der einen Seite des Halbleitersubstrats (10) gebildet werden soll; b) Bilden eines Membranschutzfilms (32) für einen Ätzvorgang auf der Oberfläche der Opferschicht (60); c) Bilden eines ersten Films (34), der zu der Membran (30) werden soll, auf der einen Seite des Halbleitersubstrats (10), so dass die Opferschicht (60) abgedeckt wird; d) Strukturieren des ersten Films (34) so, dass ein Durchgangsloch (34a) gebildet wird, das sich in der Dickenrichtung des ersten Films (34) erstreckt; e) Bilden eines zweiten Films (36), der dazu...

5. 发明专利

DE102009018266B4 Sensor zur Erfassung einer physikalischen Grösse und Verfahren zu dessen Fertigung 未知
公开(公告)号：DE102009018266B4
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：DE102009018266
申请日：2009-04-21
申请人： DENSO CORP
发明人： SUZUKI SHIGENORI , YOKURA HISANORI , YOKOYAMA KENICHI , FUJII TETSUO , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01C19/56 , G01C19/5769 , G01L1/14 , G01P15/125 , H01L29/84
摘要： Sensor zur Erfassung einer physikalischen Größe, mit:- einem Sensorsubstrat (21, 31, 41, 71, 81, 101), das ein erstes Tragesubstrat (9), einen ersten Isolierfilm (10) und eine erste Halbleiterschicht (11, 11 a) aufweist, die in dieser Reihenfolge geschichtet sind, wobei das erste Tragesubstrat (9) mit p-leitenden Störstellen dotiert ist, der erste Isolierfilm (10) aus einem Oxidfilm aufgebaut ist, der mit einem Fremdstoff dotiert ist, der als p-leitend definiert ist, und die erste Halbleiterschicht (11, 11a) mit p-leitenden Störstellen dotiert ist;- einem Kappensubstrat (22, 32, 42, 52, 62, 72, 82, 102), das ein zweites Tragesubstrat (22a) aufweist, das auf der ersten Halbleiterschicht (11, 11a) angeordnet und mit p-leitenden Störstellen dotiert ist; und- mehreren Elektroden (3d, 4b), die getrennt voneinander angeordnet sind, wobei- die physikalische Größe auf der Grundlage einer Kapazität zwischen den mehreren Elektroden (3d, 4b) erfasst wird,- die mehreren Elektroden (3d, 4b) in der ersten Halbleiterschicht (11, 11a) angeordnet sind, und- der erste Isolierfilm (10) unter einer der mehreren Elektroden (3d, 4b) zumindest teilweise entfernt ist.

6. 发明专利

DE112017004644T5 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben 未知
公开(公告)号：DE112017004644T5
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：DE112017004644
申请日：2017-09-07
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , IWASHIGE TOMOHITO , KAWAI JUN
IPC分类号： H01L21/52
摘要： Eine Halbleitervorrichtung weist auf: ein Halbleiterelement (1), das eine Fläche (1a) und eine andere Fläche (1b), die der einen Fläche (1a) gegenüberliegt, aufweist und eine Elektrode (2) auf der anderen Fläche (1b) aufweist; eine Anbringungseinheit (6), die eine elektrische Leitfähigkeit aufweist und so angeordnet ist, dass sie der Elektrode (2) gegenüberliegt; und eine Verbindungseinheit (3), die zwischen dem Halbleiterelement (1) und der Anbringungseinheit (6) angeordnet ist, um das Halbleiterelement (1) und die Anbringungseinheit (6) mechanisch und elektrisch zu verbinden. Die Verbindungseinheit (3) weist ein Formteil (4), das mit einer Vielzahl von Löchern (4b) geformt ist, die in einer Stapelrichtung des Halbleiterelements (1) und der Anbringungseinheit (6) durchdringen, und einen Silbersinterkörper (5), der in jedem der Vielzahl von Löchern (4b) angeordnet ist, auf. Das Halbleiterelement (1) und die Anbringungseinheit (6) sind durch den Silbersinterkörper (5) mechanisch verbunden.

7. 发明专利

DE102006053597B4 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Schneiden eines Halbleitersubstrats 未知
公开(公告)号：DE102006053597B4
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：DE102006053597
申请日：2006-11-14
申请人： DENSO CORP
发明人： KOMURA ATSUSHI , TAMURA MUNEO , SUGIURA KAZUHIKO , FUNATO HIROTSUGU , MARUYAMA YUMI , FUJII TETSUO , KOHNO KENJI
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/40
摘要： Ein Verfahren zum Schneiden eines Halbleitersubstrats (21), aufweisend: Bilden einer Spaltschicht (K) in dem Substrat (21) durch Richten eines Laserstrahls (L) auf das Substrat (21); Bilden einer Vertiefung (22, 24, 32, 34) auf dem Substrat (21) entlang einer Schnittlinie (DL); Aufbringen einer Kraft auf das Substrat (21), um das Substrat (21) an der Spaltschicht (K) als Ausgangspunkt des Schnitts zu trennen, wobei die Vertiefung (22, 24, 32, 34) eine bestimmte Tiefe derart erhält, dass die Vertiefung (22, 24, 32, 34) bis auf eine bestimmte Distanz an die Spaltschicht (K) heranreicht, und die Kraft in der Vertiefung (22, 24, 32, 34) eine Belastung erzeugt, wobei weiterhin besagte Distanz zwischen der Vertiefung (22, 24, 32, 34) und der Spaltschicht (K) gleich oder kleiner als 30 μm ist und die Vertiefung (22, 24, 32, 34) mit einer Bodenfläche versehen wird, welche im Querschnitt halbkreisförmig oder dreiecksförmig ist oder...

8. 发明专利

DE112006001152T5 未知
公开(公告)号：DE112006001152T5
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：DE112006001152
申请日：2006-04-25
申请人： DENSO CORP
发明人： OGINO MASAHIRO , MURATA MINORU , SUGIURA KAZUHIKO , FUJII TETSUO
IPC分类号： H01L21/60 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L29/84

9. 发明专利

DE102006053596A1 未知
公开(公告)号：DE102006053596A1
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：DE102006053596
申请日：2006-11-14
申请人： DENSO CORP
发明人： KOMURA ATSUSHI , TAMURA MUNEO , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/301
摘要： A dicing sheet frame, which is used when a semiconductor wafer adhered to a dicing sheet is cut into chips, includes a plurality of frame parts and a connecting device. The plurality of frame parts supports the dicing sheet. The connecting device connects the plurality of frame parts such that the plurality of frame parts has an annular shape.

10. 发明专利

DE102014206572A1 SILIZIUMCARBIDHALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR DIESELBE 未知
公开(公告)号：DE102014206572A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：DE102014206572
申请日：2014-04-04
申请人： DENSO CORP
发明人： KAWAI JUN , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L29/45 , H01L21/268 , H01L21/283 , H01L29/161 , H01L29/78
摘要： Eine Siliziumcarbidhalbleitervorrichtung beinhaltet: ein Halbleitersubstrat (1, 2, 3a, 3b, 4a, 4b), das aus Siliziumcarbideinkristall gefertigt ist und eine Hauptoberfläche und eine Rückseite aufweist; und eine ohmsche Elektrode (11), die eine der Hauptoberfläche und der Rückseite des Halbleitersubstrats ohmsch kontaktiert. Eine Grenze zwischen der ohmschen Elektrode und der einen der Hauptoberfläche und der Rückseite des Halbleitersubstrats ist mit einem Element abgeschlossen, das eine größere Elektronegativität nach Pauling als Silizium und eine Bindungsenergie mit Silizium aufweist, die größer als eine Bindungsenergie von Si-H ist.

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