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1. 发明专利

DE102010002798B4 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit Schottky-Sperrschichtdiode und Verfahren zu deren Fertigung 未知
公开(公告)号：DE102010002798B4
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：DE102010002798
申请日：2010-03-12
申请人： DENSO CORP , TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： YAMAMOTO TAKEO , ENDO TAKESHI , OKUNO EIICHI , FUJIWARA HIROKAZU , KONISHI MASAKI , KATSUNO TAKASHI , WATANABE YUKIHIKO
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47
摘要： Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit einer Schottky-Sperrschichtdiode, wobei die Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung aufweist: – ein Siliziumkarbidsubstrat (1) ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Oberfläche (1a) und einer der ersten Oberfläche (1a) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (1b); – eine Siliziumkarbid-Driftschicht (2) ersten Leitfähigkeitstyps auf der ersten Oberfläche (1a) des Substrats (1), wobei die Driftschicht (2) eine geringere Störstellenkonzentration als das Substrat (1) aufweist; – eine Schottky-Elektrode (4) auf der Driftschicht (2), wobei die Schottky-Elektrode (4) in einem Zellbereich der Driftschicht (2) einen Schottky-Kontakt mit einer Oberfläche der Driftschicht (2) bildet; und – eine ohmsche Elektrode (5) auf der zweiten Oberfläche (1b) des Substrats (1), wobei – die Schottky-Elektrode (4) eine Oxidschicht (4a) aufweist, die in direktem Kontakt mit der Oberfläche der Driftschicht (2) steht und aus einem Oxid eines ersten Metalls aufgebaut ist, – das erste Metall Molybdän, Titan, Nickel oder eine Legierung von wenigstens zwei dieser Elemente ist, – die...

2. 发明专利

DE102010002798A1 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit Schottky-Sperrschichtdiode und Verfahren zu deren Fertigung 未知
公开(公告)号：DE102010002798A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：DE102010002798
申请日：2010-03-12
申请人： DENSO CORP , TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： YAMAMOTO TAKEO , ENDO TAKESHI , OKUNO EIICHI , FUJIWARA HIROKAZU , KONISHI MASAKI , KATSUNO TAKASHI , WATANABE YUKIHIKO
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47
摘要： Eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit einer Schottky-Sperrschichtdiode weist ein Siliziumkarbidsubstrat (1) ersten Leitfähigkeitstyps, eine Siliziumkarbid-Driftschicht (2) ersten Leitfähigkeitstyps auf einer ersten Oberfläche (1a) des Substrats (1), eine Schottky-Elektrode (4), die einen Schottky-Kontakt mit der Driftschicht (2) bildet, und eine ohmsche Elektrode (5) auf einer zweiten Oberfläche (1b) des Substrats (1) auf. Die Schottky-Elektrode (4) weist eine Oxidschicht (4a) in direktem Kontakt mit der Driftschicht (2) auf. Die Oxidschicht (4a) ist aus einem Oxid von Molybdän, Titan, Nickel oder einer Legierung von wenigstens zwei dieser Elemente aufgebaut.

3. 发明专利

DE102009011450A1 未知
公开(公告)号：DE102009011450A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：DE102009011450
申请日：2009-03-03
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO TAKEO , ENDO TAKESHI , WATANABE YUKIHIKO , KATSUNO TAKASHI , ISHIKO MASAYASU , FUJIWARA HIROKAZU , KONISHI MASAKI
IPC分类号： H01L29/872
摘要： A diode includes the following: an n type semiconductor region; a p type semiconductor region provided in a part of a front face of the n type semiconductor region; an anode electrode (front face electrode) which adjoins a front face of the n type semiconductor region and a front face of the p type semiconductor region while at least forming a Schottky junction on a front face of the n type semiconductor region; and an insulating region which has a right-hand side (first side) and a left-hand side (second side) adjacent to the n type semiconductor region, the right-hand side facing a second n type semiconductor region which is located below the Schottky junction, the left-hand side facing a first n type semiconductor region which is located below a pn junction between the n type semiconductor region and the p type semiconductor region.

4. 发明专利

DE102009013781A1 未知
公开(公告)号：DE102009013781A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：DE102009013781
申请日：2009-03-18
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO TAKEO , ENDO TAKESHI , OKUNO EIICHI , KONISHI MASAKI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/872

5. 发明专利

DE112015005217B4 Halbleitervorrichtung und elektronisches Bauteil, welches diese verwendet 未知
公开(公告)号：DE112015005217B4
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：DE112015005217
申请日：2015-10-16
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO TAKEO , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/36 , H05K7/20
摘要： Halbleitervorrichtung, aufweisend:einen Wärmeverteiler mit einer Oberfläche;ein Halbleiterelement, welches auf der einen Oberfläche des Wärmeverteilers angeordnet ist; undein Verbindungsteil, das zwischen dem Wärmeverteiler und dem Halbleiterelement angeordnet ist und den Wärmeverteiler und das Halbleiterelement thermisch und elektrisch miteinander verbindet, wobei:der Wärmeverteiler wenigstens zwei erste Wärmeverteiler und wenigstens einen zweiten Wärmeverteiler enthält;die ersten Wärmeverteiler und der zweite Wärmeverteiler in der Reihenfolge erster Wärmeverteiler, zweiter Wärmeverteiler und erster Wärmeverteiler in einer Richtung einer Ebenenrichtung der einen Oberfläche des Wärmeverteilers angeordnet sind;jeder der ersten Wärmeverteiler und der zweite Wärmeverteiler so gebildet ist, dass er eine Mehrzahl von Schichten enthält, die aufeinander gestapelt sind und eine Wärmeleitfähigkeit in einer gewissen Ebenenrichtung haben, die höher als eine Wärmeleitfähigkeit in einer Richtung senkrecht zu der gewissen Ebenenrichtung ist;eine Oberfläche eines jeden der ersten Wärmeverteiler und des zweiten Wärmeverteilers, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit hat, als eine anisotrope wärmeleitfähige Ebene definiert ist und jede der ersten Wärmeleiter und der zweite Wärmeleiter eine Mehrzahl von anisotropen wärmeleitfähigen Ebenen enthält;jeder der ersten Wärmeleiter so angeordnet ist, dass die Mehrzahl von anisotropen wärmeleitfähigen Ebenen parallel zu sowohl einer Stapelrichtung des Wärmeverteilers und dem Halbleiterelement und einer ersten Richtung senkrecht zur Stapelrichtung ist;der zweite Wärmeverteiler so angeordnet ist, dass die Mehrzahl von anisotropen wärmeleitfähigen Ebenen parallel zu sowohl der Stapelrichtung und einer zweiten Richtung senkrecht zur Stapelrichtung und unterschiedlich zur ersten Richtung ist;ein Bereich des Wärmeverteilers, der gebildet ist durch Vorstehenlassen des Halbleiterelements an der einen Oberfläche des Wärmeverteilers, als Vorstehbereich definiert ist; undder Vorstehbereich zumindest den zweiten Wärmeverteiler überlappt;der Wärmeverteiler weiterhin ein leitfähiges Bauteil enthält, welches einen elektrischen Widerstandswert hat, der niedriger als derjenige der Mehrzahl von Schichten ist;das leitfähige Bauteil in der einen Oberfläche des Wärmeverteilers angeordnet ist; unddas leitfähige Bauteil den Vorstehbereich in einer Ebene des Wärmeverteilers senkrecht zur Stapelrichtung überlappt.

6. 发明专利

DE102008019370B4 SiC-Halbleitervorrichtung mit Schottky-Sperrschichtdiode 未知
公开(公告)号：DE102008019370B4
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：DE102008019370
申请日：2008-04-17
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO TAKEO , SUZUKI NAOHIRO , OKUNO EIICHI
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/47
摘要： SiC-Halbleitervorrichtung mit:- einem Substrat (1) aus Siliciumcarbid eines ersten Leitfähigkeitstyps, das eine Hauptoberfläche (1a) und eine der Hauptoberfläche (1a) gegenüberliegende Rückseitenoberfläche (1b) aufweist;- einer Driftschicht (2) aus Siliciumcarbid des ersten Leitfähigkeitstyps, die auf der Hauptoberfläche (1a) des Substrats (1) angeordnet ist, wobei eine Störstellenkonzentration der Driftschicht (2) geringer als die des Substrats (1) ist;- einer Isolierschicht (3), die auf der Driftschicht (2) angeordnet ist und eine Öffnung aufweist, wobei ein Teil des Substrats (1) und ein Teil der Driftschicht (2) als Zelle definiert sind, die zwischen der Öffnung der Isolierschicht (3) und der Rückseitenoberfläche (1b) des Substrats (1) angeordnet ist;- einer ohmschen Elektrode (5), die auf der Rückseitenoberfläche (1b) des Substrats (1) angeordnet ist;- einer Schottky-Elektrode (4), die über die Öffnung der Isolierschicht (3) an die Driftschicht (2) grenzt;- einer Schottky-Sperrschichtdiode (10), die durch die ohmsche Elektrode (5), die Schottky-Elektrode (4) und die Zelle gebildet wird;- einer Abschlussstruktur, die an einem Außenumfang der Zelle angeordnet ist und eine Resurf-Schicht (6) aufweist, die in einem Oberflächenteil der Driftschicht (2) angeordnet ist, wobei die Resurf-Schicht (6) die Zelle umgibt; und- einer Mehrzahl von Schichten eines zweiten Leitfähigkeitstyps (8), die in einem anderen Oberflächenteil der Driftschicht (2) angeordnet ist, an die Schottky-Elektrode (4) grenzt, von der Resurf-Schicht (6) umgeben wird und getrennt voneinander angeordnet ist, wobei- die Mehrzahl von Schichten des zweiten Leitfähigkeitstyps ein mittleres Element (8a) aufweist, das an einer Mitte eines Kontaktbereichs zwischen der Schottky-Elektrode (4) und der Driftschicht (2) angeordnet ist;- die Mehrzahl von Schichten des zweiten Leitfähigkeitstyps ferner eine Mehrzahl von Ringelementen (8b-8e) aufweist, von denen jedes das mittlere Element (8a) umgibt;- jedes Ringelement (8b-8e) im Wesentlichen punktsymmetrisch bezüglich einer Mitte des mittleren Elements (8a) an dem Kontaktbereich angeordnet ist,- eines der Mehrzahl von Ringelementen (8b-8e) als äußerstes Ringelement (8e) definiert ist, das am weitesten vom mittleren Element (8a) entfernt angeordnet ist;- die Mehrzahl von Ringelementen (8b-8e), mit Ausnahme des äußersten Ringelements (8e), als eine Mehrzahl von inneren Ringelementen (8b-8d) definiert ist;- eine zweidimensionale Ebene, die durch die Mitte des Kontaktbereichs und senkrecht zur Hauptoberfläche (1a) des Substrats (1) verläuft, als erste Ebene definiert ist;- eine Mehrzahl von Querschnitten entsprechend der Mehrzahl von inneren Ringelementen (8b-8e) entlang der ersten Ebene als eine Mehrzahl von inneren Ringquerschnitten definiert ist;- die Mehrzahl von Schichten (8) des zweiten Leitfähigkeitstyps derart aufgebaut ist, dass eine Anordnung der Mehrzahl von inneren Ringquerschnitten auf der ersten Ebene zwischen einem Querschnitt des mittleren Elements (8a) und einem Querschnitt des äußersten Ringelements (8e) auf der ersten Ebene symmetrisch ist; und- das äußerste Ringelement (8e) an einen Innenumfang der Resurf-Schicht (6) grenzt oder in die Resurf-Schicht (6) eingebettet ist.

7. 发明专利

DE102010063806B8 Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102010063806B8
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：DE102010063806
申请日：2010-12-21
申请人： DENSO CORP , TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： KONISHI MASAKI , FUJIWARA HIROKAZU , ENDO TAKESHI , YAMAMOTO TAKEO , WATANABE YUKIHIKO , KATSUNO TAKESHI
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/266 , H01L29/161 , H01L29/872

8. 发明专利

GB2427071B Semiconductor device having SiC substrate and method for manufacturing the same 未知
公开(公告)号：GB2427071B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：GB0611229
申请日：2006-06-07
申请人： DENSO CORP , UNIV NEWCASTLE
发明人： YAMAMOTO TAKEO , KUMAR MALHAN RAJESH , TAKEUCHI YUUICHI , VASSILEVSKI KONSTATIN , WRIGHT NICHOLAS
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/24 , H01L29/45

9. 发明专利

DE102008026140A1 未知
公开(公告)号：DE102008026140A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：DE102008026140
申请日：2008-05-30
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO TAKEO , OKUNO EIICHI
IPC分类号： H01L29/872
摘要： A silicon carbide semiconductor device includes a substrate; a drift layer having a first conductivity type; an insulating layer; a Schottky electrode; an ohmic electrode; a resurf layer; and second conductivity type layers. The drift layer and the second conductivity type layers provide multiple PN diodes. Each second conductivity type layer has a radial width with respect to a center of a contact region between the Schottky electrode and the drift layer. A radial width of one of the second conductivity type layers is smaller than that of another one of the second conductivity type layers, which is disposed closer to the center of the contact region than the one of the second conductivity type layers.

10. 发明专利

DE102008021430A1 未知
公开(公告)号：DE102008021430A1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：DE102008021430
申请日：2008-04-29
申请人： DENSO CORP
发明人： OKUNO EIICHI , YAMAMOTO TAKEO
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47
摘要： A semiconductor device having a junction barrier Schottky diode includes: a SiC substrate; a drift layer on the substrate; an insulation film on the drift layer having an opening in a cell region; a Schottky barrier diode having a Schottky electrode contacting the drift layer through the opening of the insulation film and an ohmic electrode on the substrate; a terminal structure having a RESURF layer surrounding the cell region; and multiple second conductive type layers on an inner side of the RESURF layer. The second conductive type layers and the drift layer provide a PN diode. The Schottky electrode includes a first Schottky electrode contacting the second conductive type layers with ohmic contact and a second Schottky electrode contacting the drift layer with Schottky contact.

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