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21. 发明申请

WO2007116038A1 PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS AVEC TRAITEMENTS THERMIQUES A BASSES TEMPERATURES 审中-公开
标题翻译：在低温下用热处理组装衬底的方法
公开(公告)号：WO2007116038A1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：PCT/EP2007/053428
申请日：2007-04-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BENEYTON, Rémi , MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Frank , RIEUTORD, François , LE TIEC, Yannick
发明人： BENEYTON, Rémi , MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Frank , RIEUTORD, François , LE TIEC, Yannick
IPC分类号： C09J5/00
CPC分类号： C09J5/06
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un collage entre un premier et un deuxième substrat (2, 4), comportant : a) une étape de préparation des surfaces (6, 8) à assembler, b) un assemblage de ces deux surfaces, par collage moléculaire direct, c) une étape de traitement thermique, comportant un maintien de la température dans la plage 50°C - 100°C pendant au moins une heure.
摘要翻译：本发明涉及一种在第一和第二基底（2,4）之间制备粘结剂的方法，包括：a）准备待组装的表面（6,8）的步骤，b）将这两个表面，通过直接分子键合，c）热处理步骤，包括在50℃至100℃范围内的温度保持至少1小时。

22. 发明申请

WO2005064320A1 DISPOSITIF ET PROCEDE D’OBSERVATION D’UNE INTERFACE DE COLLAGE 审中-公开
标题翻译：用于观察接合界面的装置和方法
公开(公告)号：WO2005064320A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/FR2004/003361
申请日：2004-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , TRACIT TECHNOLOGIES Centr'alp , MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
发明人： MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： G01N21/88
CPC分类号： G01N21/8806
摘要： L'invention concerne un procédé de caractérisation de l'interface entre un premier élément (2), tel qu'un substrat ou une couche mince, et un deuxième élément (4), tel qu'un substrat ou une couche mince, comportant : - éclairer le premier élément avec un rayonnement (10) pour lequel il est au moins partiellement transparent, - détecter le rayonnement réfléchi par l'interface.
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征诸如衬底或薄层的第一元件（2）与诸如衬底或薄层的第二元件（4）之间的界面的方法。根据所述方法，第一元件由其至少部分透明的辐射（10）照射，然后检测由界面反射的辐射。

23. 发明申请

WO2005019094A1 STRUCTURE EMPILÉE, ET PROCÉDÉ POUR LA FABRIQUER 审中-公开
标题翻译：堆积结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2005019094A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/FR2004/001858
申请日：2004-07-15
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , MARGAIL, Jacques
发明人： MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , MARGAIL, Jacques
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/001 , B81C2201/112 , H01L21/76251 , H01L21/76256
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure empilée. Ce procédé comprend les étapes suivantes : a) on prend une première plaque (1), par exemple en silicium, et une seconde plaque (5), par exemple elle aussi en silicium, telles qu'au moins une desdites première (1) et seconde (5) plaques présente, au moins en partie, une surface (2; 7) incompatible avec un collage sur l'autre plaque ; b) on réalise une couche sacrificielle (3; 8), par exemple en oxyde de silicium, sur une partie au moins de la surface (2) de la première plaque et/ou de la surface (7) de la seconde plaque (5), et c) on colle les deux plaques (1; 5) entre elles. Ladite incompatibilité au collage peut par exemple résulter de la nature physico-chimique de cette surface ou d'un revêtement appliqué sur cette surface, ou résulter d'une rugosité (r 2 , r 7 ) supérieure à un seuil prédéterminé. L'invention concerne également une structure empilée fabriquée au moyen d'un procédé selon l'invention.
摘要翻译：本发明涉及一种堆叠结构的制造方法。本发明的方法包括以下步骤：a）使用例如由硅制成的第一板（1）和例如由硅制成的第二板（5），使得在至少部分地，所述第一（1）和第二（5）板中的至少一个具有不能结合到另一个板的表面（2; 7） b）在第一板的表面（2）和/或第二板的表面（7）的至少一部分上提供例如由氧化硅制成的表面层（3; 8）（5）; 和c）将两个板（1; 5）彼此粘合。上述粘合不相容性例如可以由施加于其上的表面或涂层的物理化学性质或大于预定阈值的粗糙度值（r'2，r'7）产生。本发明还涉及使用本发明方法制造的堆叠结构。

24. 发明申请

WO2004112125A1 PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE TRES MINCE PAR AMINCISSEMENT PAR AUTO-PORTAGE PROVOQUE 审中-公开
标题翻译：通过诱导自我支持来生产薄层薄膜的方法
公开(公告)号：WO2004112125A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/FR2004/050212
申请日：2004-06-03
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , LAGAHE, Chrystelle , BATAILLOU, Benoit
发明人： MORICEAU, Hubert , LAGAHE, Chrystelle , BATAILLOU, Benoit
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un procéde d'obtention d'une couche mince en un premier matériau sur un substrat en un deuxieme matériau dit substrat final, comprenant les étapes suivantes - fixation d'une couche épaisse de premier matériau sur le substrat final selon une interface, - implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau pour créer une zone fragilisée délimitant, entre l'interface et la zone fragilisée, ladite couche mince, - dépôt sur la couche épaisse de premier matériau d'une couche d'un troisième matériau dite couche d’ auto-portage, - fracture au sein de la structure constituée par le substrat final, la couche épaisse de premier matériau et la couche de troisième matériau, au niveau de la zone fragilisée pour fournir le substrat supportant ladite couche mince.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在第二材料的基底上生产称为最终基底的第一材料的薄层的方法，包括以下步骤：沿着界面将第一材料的薄层固定到最终的基底上，在第一材料的薄层中注入气态物质以在脆弱区和所述薄层的界面之间产生限定的易碎区，在称为自支撑层的第一材料的薄层上沉积第三层，以及在包括最终基底的结构内，在脆弱区域的第一材料的薄层和第三材料层，以提供支撑薄层的基底。

25. 发明申请

WO2004059711A1 PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS MIXTES ET STRUCTURE AINSI OBTENUE 审中-公开
标题翻译：生产混合基材的方法和获得的结构
公开(公告)号：WO2004059711A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/FR2003/003867
申请日：2003-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L21/76264 , H01L21/187 , H01L21/76275
摘要： Pour fabriquer un substrat mixte, on prépare deux substrats (10, 12) présentant des faces respectives destinées à être liées l'une à l'autre et constitués essentiellement, au niveau de ces faces, de parties cristallines et pour au moins l'une de ces faces, de zones formées d'un matériau différent de ceux constitutifs des parties cristallines, on met ces faces en regard et on les relie au niveau d'un interface par collage moléculaire en sorte de former des zones massives dans lesquelles les faces en regard sont essentiellement cristallines et des zones empilées dans lesquelles l'une au moins des faces en regard est essentiellement constituée du matériau différent, et on effectue un traitement thermique de consolidation du collage moléculaire. Lors de la préparation des substrats (10, 12) ou lors de la liaison des faces, on crée audit interface des pièges (11A) à impuretés (il peut s'agir des zones isolantes) tels que toute portion de cet interface faisant partie d'une zone massive soit à au plus une distance donnée d'un tel piège, tandis que la mise en regard des faces se fait avec un écart en désalignement, entre les parties cristallines des deux substrats, inférieur à un seuil donné.
摘要翻译：本发明涉及混合基板的制造方法。本发明的方法在于制备具有要连接在一起的各个面的两个基底（10,12）。衬底基本上包括在上述面上的结晶部分，并且在至少一个所述面上，由与用于形成结晶部分的材料不同的材料制成的区域。根据本发明，这些面彼此相对设置并且通过分子粘合在界面处连接，以形成（i）其中相对面基本上是结晶的体积区域和（ii）堆叠区域，其中至少一个基本上由上述不同的材料制成。当正在准备衬底（10,12）时，或者当接合面时，在界面处产生杂质阱（11A）（例如隔离区），使得形成体区的一部分的所述界面的任何部分设置在大多数距离一个这样的陷阱。此外，这些面彼此相对设置，两个基板的晶体部分之间的偏移小于给定阈值。

26. 发明申请

WO2008040782A1 DISPOSITIF DE SEPARATION D'UNE STRUCTURE EMPILEE ET PROCEDE ASSOCIE. 审中-公开
标题翻译：用于分离堆叠结构的装置和相关方法
公开(公告)号：WO2008040782A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/EP2007/060548
申请日：2007-10-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , SARTORI, Sylvie , MONTMAYEUL, Philippe , MORALES, Christophe
发明人： MORICEAU, Hubert , SARTORI, Sylvie , MONTMAYEUL, Philippe , MORALES, Christophe
IPC分类号： B28D5/00 , H01L21/00
CPC分类号： B28D5/0011 , B28D5/0029 , Y10T156/11 , Y10T156/1972
摘要： L'invention concerne un dispositif de séparation, en deux parties distinctes, d'un empilement (5) comprenant une première partie, une seconde partie et une zone fragilisée interposée entre lesdites première et seconde parties, et une zone d'insertion, située en périphérie de l'empilement au niveau ou à proximité de la zone fragilisée, s' étendant sur tout ou partie de la périphérie de l'empilement. Le dispositif comprend au moins un séparateur (4) apte à pénétrer dans la zone d' insertion selon une distance de pénétration jusqu'à venir en contact avec la première partie de l'empilement en au moins un premier point de contact, situé en périphérie de l'empilement, et à venir en contact avec la seconde partie de l'empilement en au moins un second point de contact, situé en périphérie de l'empilement. Le dispositif comprend en outre des moyens d' entra*nement aptes à amener le séparateur à pénétrer dans la zone d'insertion jusqu'à ladite distance de pénétration et aptes à animer ledit séparateur et l'empilement d'un mouvement relatif. Le séparateur est configuré de manière à ce que la distance entre le premier point de contact et le second point de contact augmente au cours du mouvement relatif, les premier et second points de contact demeurant en périphérie de l'empilement au cours du mouvement relatif.
摘要翻译：本发明涉及一种用于分离成两个分离部分的装置，包括第一部分，第二部分和介于所述第一和第二部分之间的弱化区域的堆叠（5）以及设置在所述第一部分和第二部分的周边上的插入区域堆叠在弱化区域处或附近，并且在堆叠周边的一部分或整体上延伸。该装置包括至少一个分离器（4），其能够沿着穿透距离穿透到插入区域中，以便至少在位于堆叠的周边上的第一接触点处接触堆叠的第一部分并且为了接触堆叠的第二部分至少在位于堆叠的周边上的第二接触点处。该装置还包括驱动装置，用于沿着所述穿透距离将分离器驱动到插入区域中，并且用于对所述分离器和堆叠施加相对运动。分离器构造成使得在相对运动期间第一接触点和第二接触点之间的距离增加，在相对运动期间第一和第二接触点保留在堆叠的周边上。

27. 发明申请

WO2006045979A1 PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DE L'ENERGIE D'ADHESION 审中-公开
标题翻译：用于测量粘合能量的方法和装置
公开(公告)号：WO2006045979A1
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：PCT/FR2005/050891
申请日：2005-10-24
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RIEUTORD, François , MORICEAU, Hubert , BATAILLOU, Benoît
发明人： RIEUTORD, François , MORICEAU, Hubert , BATAILLOU, Benoît
IPC分类号： G01N23/20 , G01N19/04
CPC分类号： G01N23/20 , G01N19/04
摘要： L'adhérence entre deux couches, en particulier deux couches minces d'un dispositif microélectronique, est une donnée importante. Il a été trouvé que le taux de fermeture de l'interface permettait de déterminer, de façon non destructrice, une mesure de l'énergie d'adhésion. Un procédé et un dispositif utilisant une grandeur caractéristique de ce taux sont décrits, en particulier utilisant la réflexion des rayons X à faible incidence et la densité électronique à l'interface.
摘要翻译：两层之间的粘附特别是微电子器件的两个薄层是重要的元件。发现界面的封闭率使得可以以非破坏性的方式确定粘合能量的测量。在本发明中公开了一种使用所述速率的特征变量的方法和装置，特别是使用低入射X射线的反射和界面处的电子密度。

28. 发明申请

WO2005057639A1 SURFACE TREATMENT FOR MULTI-LAYER WAFERS FORMED FROM LAYERS OF MATERIALS CHOSEN FROM AMONG SEMICONDUCTING MATERIALS 审中-公开
标题翻译：从半导体材料的材料层中形成的多层膜的表面处理
公开(公告)号：WO2005057639A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/IB2004/004326
申请日：2004-12-10
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl , MORICEAU, Hubert , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , FOURNEL, Franck
发明人： RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl , MORICEAU, Hubert , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02032 , H01L21/76254 , Y10S438/974
摘要： This invention relates to a process for treatment of a multi-layer wafer with materials having differential thermal characteristics, the process comprising a high temperature heat treatment step that can generate secondary defects, characterised in that this process includes a wafer surface preparation step before the high temperature heat treatment step.
摘要翻译：本发明涉及一种用具有不同热特性的材料处理多层晶片的方法，该方法包括可产生二次缺陷的高温热处理步骤，其特征在于该方法包括在高温之前的晶片表面制备步骤温度热处理步骤。

29. 发明申请

WO2005024934A1 SCELLEMENT METALLIQUE MULTIFONCTION 审中-公开
标题翻译：多用途金属密封
公开(公告)号：WO2005024934A1
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/FR2004/002219
申请日：2004-09-01
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , KERDILES, Sébastien , LETERTRE, Fabrice , MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe
发明人： KERDILES, Sébastien , LETERTRE, Fabrice , MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une couche mince (104) en matériau semi-conducteur sur un substrat (107), dit substrat final, comportant : - la formation de ladite couche en matériau semi-conducteur, sur un support, dit support initial (101), - l'assemblage de la couche mince (104) et du substrat final (107), par collage métallique, - la séparation mécanique du support initial (101) et de la couche mince (107). On obtient ainsi un substrat intermédiaire qui peut être utilisé pour la fabrication de divers composants tels que des diodes électroluminescentes ou des diodes laser. Ce procédé permet la réalisation d'une couche mince sur un substrat final à partir d'un substrat de départ qui peut être recyclé grâce à un démontage mécanique non destructif.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在最终基板（107）上制造薄层（104）的方法，所述最终基板（107）包括在初始载体（101）上形成所述半导体层，将所述薄层（104）和最终基板（107）组装金属接合，并且在机械分离初始载体和薄层（107），从而获得可用于产生诸如电致发光二极管或激光二极管的不同组分的中间基板。本发明的方法使得可以从最初的基底在最终的基底上产生薄层，该初始基底可通过非破坏性的机械拆卸来回收。

30. 发明申请

WO2005004232A1 PROCEDE D'OBTENTION CONCOMITANTE D'UNE PAIRE DE SUBSTRATS RECOUVERTS D'UNE COUCHE UTILE 审中-公开
标题翻译：同时获得有用层覆盖的基板对的方法
公开(公告)号：WO2005004232A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/FR2004/001368
申请日：2004-06-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , GHYSELEN, Bruno , AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoït , MAZURE, Carlos , MORICEAU, Hubert
发明人： GHYSELEN, Bruno , AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoït , MAZURE, Carlos , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10S438/977
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures (51,52) comprenant chacune une couche utile (110,120) reportée sur un substrat (71,2). Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à : a) préparer une structure de rang 1 comprenant une couche utile reportée sur un substrat support (2), b) former une zone de fragilisation à l'intérieur de ladite couche utile, de façon à y définir une couche utile avant (110) et une couche utile arrière (120), c) faire adhérer un substrat raidisseur (71) sur la ladite couche utile avant (110), d) procéder au détachement de l'empilement de couches le long de la zone de fragilisation, pour obtenir deux structures de rang 2, la première (51) comprenant ledit substrat support (2) et ladite couche utile arrière (120) et la seconde (52) comprenant ledit substrat raidisseur (71) et ladite couche utile avant (110). Applications dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique.
摘要翻译：本发明涉及一种用于同时获得至少一对结构（51,52）的方法，每个结构（51,52）具有放置在基底（71,2）上的有用层（110,120）。该方法的特征在于包括以下步骤：a）制备具有放置在支撑衬底（2）上的有用层的行结构（1）; b）在所述有用层内形成脆性区域，由此限定前部有用层（110）和后部有用层（120）; c）将加强基底（71）粘附到所述前部有用层（110）上; d）沿着脆化区域去除层叠层，以便获得两个行结构（2），第一（51）包含支撑基底（2）和后部有用区域（120），第二（52）包含加强基板（71）和前部有用层（110）。本发明用于电子学，光电子学或光学领域。

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