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21. 发明专利

TW201727702A 半導體發光元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201727702A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106116374
申请日：2013-07-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林俊宇 , LIN,CHUN-YU , 倪慶懷 , NI,CHING-HUAI , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH , 邱新智 , CHIU,HSIN-CHIH , 呂志強 , LU,CHIH-CHIANG , 林敬倍 , LIN,CHING-PEI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00
摘要：一種半導體發光元件的製作方法，包含提供一第一基板、提供一半導體磊晶疊層、提供一第一黏著層連接第一基板及半導體磊晶疊層、圖案化半導體磊晶疊層為複數磊晶單元並使彼此自第一基板上分離，其中上述複數磊晶單元包含複數第一磊晶單元，其中每一第一磊晶單元具有一第一幾何形狀及一第一面積、複數第二磊晶單元，其中每一第二磊晶單元具有一第二幾何形狀及一第二面積、提供一第二基板，具有一表面、轉移上述複數第二磊晶單元至第二基板之表面上、切割第一基板以形成複數第一半導體發光元件，其中每一個第一半導體發光元件包含至少一第一磊晶單元、以及切割第二基板以形成複數第二半導體發光元件，其中每一個第二半導體發光元件包含至少一第二磊晶單元、其中，第一幾何形狀與第二幾何形狀不相同或第一面積與第二面積不相同。
简体摘要：一种半导体发光组件的制作方法，包含提供一第一基板、提供一半导体磊晶叠层、提供一第一黏着层连接第一基板及半导体磊晶叠层、图案化半导体磊晶叠层为复数磊晶单元并使彼此自第一基板上分离，其中上述复数磊晶单元包含复数第一磊晶单元，其中每一第一磊晶单元具有一第一几何形状及一第一面积、复数第二磊晶单元，其中每一第二磊晶单元具有一第二几何形状及一第二面积、提供一第二基板，具有一表面、转移上述复数第二磊晶单元至第二基板之表面上、切割第一基板以形成复数第一半导体发光组件，其中每一个第一半导体发光组件包含至少一第一磊晶单元、以及切割第二基板以形成复数第二半导体发光组件，其中每一个第二半导体发光组件包含至少一第二磊晶单元、其中，第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。

22. 发明专利

TWI588499B 發光裝置之測試方法及設備有权
简体标题：发光设备之测试方法及设备
公开(公告)号：TWI588499B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102108793
申请日：2013-03-12
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：趙堂鐘 , CHAO, TANG CHUNG , 曾培翔 , TSENG, PEI HSIANG , 郭佳寬 , KUO, JIA KUAN , 吳冠宏 , WU, GUAN HUNG , 蘇遠豪 , SU, YUAN HAO , 何啓新 , HO, CHI HSIN , 許嘉良 , HSU, CHIA LIANG , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG
IPC分类号： G01R31/26

23. 发明专利

TWI549170B 選擇性轉移半導體元件的方法有权
简体标题：选择性转移半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI549170B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW102127217
申请日：2013-07-29
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林俊宇 , LIN, CHUN YU , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 簡崇訓 , CHIEN, CHUNG HSUN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 顧浩民 , KU, HAO MIN , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH
IPC分类号： H01L21/30

24. 发明专利

TW201521245A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201521245A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103124091
申请日：2014-07-11
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林坤德 , LIN, KUN DE , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 詹燿寧 , CHAN, YAO NING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林俊宇 , LIN, CHUN YU , 楊宗憲 , YANG, TSUNG HSIEN
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/46
摘要：一種半導體發光元件，包含：一半導體疊層具有一側邊、一第一表面、及一相對於第一表面之第二表面，其中半導體疊層更包含一導通孔從第一表面往第二表面延伸；一透明導電層位於第二表面上；一第一銲接部及一第二銲接部位於第一表面上，並與半導體疊層電性連接；以及一絕緣層位於第一銲接部與半導體疊層之間及第二銲接部與半導體疊層之間。
简体摘要：一种半导体发光组件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面之第二表面，其中半导体叠层更包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电性连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。

25. 发明专利

TW201505084A 選擇性轉移半導體元件的方法审中-公开
简体标题：选择性转移半导体组件的方法
公开(公告)号：TW201505084A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102127217
申请日：2013-07-29
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林俊宇 , LIN, CHUN YU , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 簡崇訓 , CHIEN, CHUNG HSUN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 顧浩民 , KU, HAO MIN , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH
IPC分类号： H01L21/30
摘要：一種選擇性分離半導體元件的方法，係包含下列步驟：a.提供一基板具有一第一表面及一第二表面；b.提供複數個半導體磊晶疊層位於第一表面上，其中任一複數個半導體磊晶疊層包含一第一半導體磊晶疊層與一第二半導體磊晶疊層，且第二半導體磊晶疊層與第一半導體磊晶疊層隔開，其中第一半導體磊晶疊層與基板之間之黏著力不同於第二半導體磊晶疊層與基板之間之黏著力；c.自基板選擇性地分離第一半導體磊晶疊層或第二半導體磊晶疊層。
简体摘要：一种选择性分离半导体组件的方法，系包含下列步骤：a.提供一基板具有一第一表面及一第二表面；b.提供复数个半导体磊晶叠层位于第一表面上，其中任一复数个半导体磊晶叠层包含一第一半导体磊晶叠层与一第二半导体磊晶叠层，且第二半导体磊晶叠层与第一半导体磊晶叠层隔开，其中第一半导体磊晶叠层与基板之间之黏着力不同于第二半导体磊晶叠层与基板之间之黏着力；c.自基板选择性地分离第一半导体磊晶叠层或第二半导体磊晶叠层。

26. 发明专利

TW201503404A 發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201503404A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW102124330
申请日：2013-07-05
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 詹燿寧 , CHAN, YAO NING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 邱新智 , CHIU, HSIN CHIH , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 許嘉良 , HSU, CHIA LIANG , 張峻賢 , CHANG, CHUN HSIEN
IPC分类号： H01L33/00
摘要：本發明係揭露一種發光元件之製造方法，包括：提供一第一基板及複數個半導體疊層塊於上述第一基板上，各上述複數個半導體疊層塊包括一第一電性半導體層、一發光層位於上述第一電性半導體層之上、以及一第二電性半導體層位於上述發光層之上，其中該第一基板上更包括一分隔道分隔兩相鄰之半導體疊層塊且上述分隔道具有一寬度小於10μm；以及實行一第一分離步驟，包括分離上述複數之半導體疊層塊中之一第一半導體疊層塊與上述第一基板，且上述第一基板存留有一第二半導體疊層塊。
简体摘要：本发明系揭露一种发光组件之制造方法，包括：提供一第一基板及复数个半导体叠层块于上述第一基板上，各上述复数个半导体叠层块包括一第一电性半导体层、一发光层位于上述第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于上述发光层之上，其中该第一基板上更包括一分隔道分隔两相邻之半导体叠层块且上述分隔道具有一宽度小于10μm；以及实行一第一分离步骤，包括分离上述复数之半导体叠层块中之一第一半导体叠层块与上述第一基板，且上述第一基板存留有一第二半导体叠层块。

27. 发明专利

TW201415534A 半導體發光元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201415534A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102123757
申请日：2013-07-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林俊宇 , LIN, CHUN YU , 倪慶懷 , NI, CHING HUAI , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 邱新智 , CHIU, HSIN CHIH , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林敬倍 , LIN, CHING PEI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00
摘要：一種半導體發光元件的製作方法，包含提供一第一基板、提供一半導體磊晶疊層、提供一第一黏著層連接第一基板及半導體磊晶疊層、圖案化半導體磊晶疊層為複數磊晶單元並使彼此自第一基板上分離，其中上述複數磊晶單元包含複數第一磊晶單元，其中每一第一磊晶單元具有一第一幾何形狀及一第一面積、複數第二磊晶單元，其中每一第二磊晶單元具有一第二幾何形狀及一第二面積、提供一第二基板，具有一表面、轉移上述複數第二磊晶單元至第二基板之表面上、切割第一基板以形成複數第一半導體發光元件，其中每一個第一半導體發光元件包含至少一第一磊晶單元、以及切割第二基板以形成複數第二半導體發光元件，其中每一個第二半導體發光元件包含至少一第二磊晶單元、其中，第一幾何形狀與第二幾何形狀不相同或第一面積與第二面積不相同。
简体摘要：一种半导体发光组件的制作方法，包含提供一第一基板、提供一半导体磊晶叠层、提供一第一黏着层连接第一基板及半导体磊晶叠层、图案化半导体磊晶叠层为复数磊晶单元并使彼此自第一基板上分离，其中上述复数磊晶单元包含复数第一磊晶单元，其中每一第一磊晶单元具有一第一几何形状及一第一面积、复数第二磊晶单元，其中每一第二磊晶单元具有一第二几何形状及一第二面积、提供一第二基板，具有一表面、转移上述复数第二磊晶单元至第二基板之表面上、切割第一基板以形成复数第一半导体发光组件，其中每一个第一半导体发光组件包含至少一第一磊晶单元、以及切割第二基板以形成复数第二半导体发光组件，其中每一个第二半导体发光组件包含至少一第二磊晶单元、其中，第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。

28. 发明专利

TW201743465A 發光二極體裝置审中-公开
简体标题：发光二极管设备
公开(公告)号：TW201743465A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106133021
申请日：2013-04-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳怡名 , CHEN,YI-MING , 顧浩民 , KU,HAO-MIN , 呂志強 , LU,CHIH-CHIANG , 徐子傑 , HSU,TZU CHIEH
IPC分类号： H01L33/10
摘要：一種發光二極體裝置，包含：一發光疊層包含一第一型半導體層、一第二型半導體層及一活性層形成在該第一型半導體層與該第二型半導體層間且發出一光線；以及一反射結構形成於該第一型半導體層上並具有一第一界面與一第二界面，該光線於該第一界面所產生之全反射角大於該光線於該第二界面所產生之全反射角，且該第一型半導體層透過該第一界面與該反射結構電性連接；其中，該第一界面的面積大於該第二界面的面積。
简体摘要：一种发光二极管设备，包含：一发光叠层包含一第一型半导体层、一第二型半导体层及一活性层形成在该第一型半导体层与该第二型半导体层间且发出一光线；以及一反射结构形成于该第一型半导体层上并具有一第一界面与一第二界面，该光线于该第一界面所产生之全反射角大于该光线于该第二界面所产生之全反射角，且该第一型半导体层透过该第一界面与该反射结构电性连接；其中，该第一界面的面积大于该第二界面的面积。

29. 发明专利

TWI599070B 具有平整表面的電流擴散層的發光元件有权
简体标题：具有平整表面的电流扩散层的发光组件
公开(公告)号：TWI599070B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW101102730
申请日：2012-01-19
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：吳俊毅 , WU, CHUN YI , 王振奎 , WANG, TSEN KUEI , 陶青山 , TAO, CHING SAN , 廖文祿 , LIAO, WEN LUH , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 彭鈺仁 , PENG, YU REN , 許嘉良 , HSU, CHIA LIANG , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/18 , H01L33/22

30. 发明专利

TW201628213A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201628213A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104101418
申请日：2015-01-16
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：邱新智 , CHIU, HSIN CHIH , 陳世益 , CHEN, SHIH I , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/505
摘要：一種半導體發光元件，包含一磊晶疊層具有一第一半導體層、一第二半導體層以及一主動層位於該第一半導體層以及該第二半導體層之間用以產生一光波；以及一主要出光面位於該第一半導體層之上，該光波穿透過該主要出光面；其中，該主要出光面包含一第一出光區域、一第二出光區域以及一最大近場發光強度，該第一出光區域內的近場發光強度分佈介於該最大近場發光強度的70%到100%之間，該第二出光區域內的近場發光強度分佈介於該最大近場發光強度的0%到70%之間。
简体摘要：一种半导体发光组件，包含一磊晶叠层具有一第一半导体层、一第二半导体层以及一主动层位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间用以产生一光波；以及一主要出光面位于该第一半导体层之上，该光波穿透过该主要出光面；其中，该主要出光面包含一第一出光区域、一第二出光区域以及一最大近场发光强度，该第一出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的70%到100%之间，该第二出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的0%到70%之间。

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