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21. 发明公开

KR1020120117484A 유도결합 플라즈마 처리장치 无效
标题翻译：电感耦合等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020120117484A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110035265
申请日：2011-04-15
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 조생현 , 이향주 , 김진홍
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01Q1/366 , H05H1/46 , H05H2001/2412 , H05H2001/4667
摘要： PURPOSE: An inductively coupled plasma processing apparatus is provided to prevent damage to a dielectric by dispersing stress added to the dielectric. CONSTITUTION: A chamber body(110) has an opening formed on an upper portion. A dielectric(150) is installed in order to cover the opening of the chamber body. The dielectric includes one or more through holes(210). A substrate supporter(130) is installed to the chamber body in order to support a substrate(10). An antenna(160) is installed on an upper portion of the dielectric in order to form an induction field in a process space. A ceiling portion(170) is arranged on the upper portion of the chamber body. A plurality of dielectric supporting members(220) is inserted into a through hole(210) of the dielectric. The plurality of dielectric supporting members is combined with the ceiling portion in order to support the dielectric.
摘要翻译：目的：提供电感耦合等离子体处理装置，通过分散施加在电介质上的应力来防止电介质损坏。构成：室主体（110）具有形成在上部的开口。安装电介质（150）以覆盖室主体的开口。电介质包括一个或多个通孔（210）。衬底支撑件（130）安装到腔室主体以便支撑衬底（10）。在电介质的上部安装天线（160），以便在处理空间中形成感应场。在室主体的上部设置有顶部（170）。多个电介质支撑构件（220）插入电介质的通孔（210）中。多个电介质支撑构件与天花板部分结合以支撑电介质。

22. 发明授权

KR101180778B1 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半切割装置的方法
公开(公告)号：KR101180778B1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：KR1020090101290
申请日：2009-10-23
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 권영수 , 박소연
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 저유전 전구체와 함께 질소 함유 가스를 유입하여 저유전막을 형성함으로써 저유전막의 경도 및 인장 강도 등의 기계적 특성을 향상시킬 수 있고, 이에 따라 이후 CMP 등의 공정에서 저유전막의 손상을 방지할 수 있다.
저유전막, DEMS, 질소, 경도, 인장 강도

23. 发明授权

KR101132262B1 가스 분사 조립체 및 이를 이용한 박막증착장치 有权
标题翻译： 가스분사조립체및이를이용한박막증착장치
公开(公告)号：KR101132262B1
公开(公告)日：2012-04-02
申请号：KR1020070086843
申请日：2007-08-29
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 서태욱 , 박상준 , 이호영 , 김영준
IPC分类号： H01L21/20
摘要： A gas injecting assembly and an apparatus for depositing a thin film using the same are provided to deposit the thin film with uniform thickness by spraying gas on the whole surface of the substrate uniformly. A gas injection assembly(50) includes a lead plate and a plurality of spray plates. The lead plate has a circular plate and is detachably coupled to the upper part of a reactor(10). A plurality of gas inlets are formed in the lead plate to pass through the lead plate. The gas inlet is arranged one by one in a region where the gas spray units are installed in the lead plate. After the gas inputted through the gas inlet is diffused in an upper diffusion space, the gas is sprayed to the lower diffusion space through a plurality of through holes formed in a diffusion plate. The gas sprayed from the lower diffusion space is sprayed to a substrate support unit(20) through a plurality of gas spray hole of the spray plate.
摘要翻译：提供一种气体注入组件和使用该组件的用于沉积薄膜的设备，以通过均匀地向基板的整个表面上喷射气体来沉积具有均匀厚度的薄膜。气体注入组件（50）包括铅板和多个喷射板。铅板具有圆形板并可拆卸地连接到反应器（10）的上部。多个气体入口形成在铅板中以穿过铅板。气体入口在气体喷射单元安装在铅板中的区域中一个接一个地布置。在通过气体入口输入的气体在上部扩散空间中扩散之后，气体通过形成在扩散板中的多个通孔喷射到下部扩散空间。从下扩散空间喷射的气体通过喷射板的多个气体喷射孔喷射到基板支撑单元（20）。

24. 外观设计

KR3006247640000S 有权
公开(公告)号：KR3006247640000S
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR3020100025462
申请日：2010-06-10
申请人： 주식회사 원익홀딩스
设计人： 주광술 , 김영효

25. 外观设计

KR3006247630000S 有权
公开(公告)号：KR3006247630000S
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR3020100025461
申请日：2010-06-10
申请人： 주식회사 원익홀딩스
设计人： 주광술 , 김영효

26. 发明公开

KR1020110115068A 태양전지용 결정계 실리콘 기판의 표면처리방법 및 태양전지 제조방법 无效
标题翻译：太阳能电池用硅基板的表面处理方法及太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：KR1020110115068A
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：KR1020100114477
申请日：2010-11-17
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 김병준
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 결정계 실리콘 기판의 표면을 처리하는 태양전지용 결정계 실리콘 기판의 표면처리방법 및 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 결정계 실리콘 잉곳에서 슬라이싱된 결정계 실리콘 기판을 산성수용액으로 식각하여 기판의 외면에 다수의 제1요철들을 형성하는 제1표면처리단계와; 상기 제1표면처리단계를 통해 상기 제1요철들이 형성된 기판의 외면 중 반사방지막이 형성될 표면을 드라이 에칭하여 상기 제1요철보다 크기가 작은 제2요철들을 형성하는 제2표면처리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 결정계 실리콘 기판의 표면처리방법을 개시한다.

27. 发明公开

KR1020110099567A 정전척 无效
公开(公告)号：KR1020110099567A
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：KR1020100018666
申请日：2010-03-02
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 박용균
IPC分类号： H01L21/687 , B23Q3/15 , H02N13/00
摘要： 베이스부재와 제1절연층이 접촉되는 부분에서 응력이 발생되는 것을 최소화한 정전척이 개시된다. 이를 위한, 정전척은 베이스부재와, 베이스부재 상에 형성된 제1절연층과, 제1절연층 상에 형성된 전극층과, 전극층 상에 형성된 제2절연층을 포함하고, 베이스부재는 제1물질로 이루어진 제1베이스부와, 제1베이스부 상에 형성되고, 제1물질보다 열팽창률이 작은 제2물질로 이루어진 제2베이스부를 포함한다. 이에 따라, 정전척이 열을 전달받아 제1절연층과 제2베이스부가 열팽창되더라도, 제2베이스부의 열팽창률이 제1베이스부의 열팽창률보다 작다. 그러므로, 제1절연층이 제1베이스부 상에 형성되는 경우보다 열팽창률의 차이를 최소화할 수 있으므로, 제2베이스부와 제1절연층이 접촉되는 부분에서 발생되는 응력을 최소화하여 제2베이스부보다 상대적으로 강성이 작은 제1절연층에 크랙이 발생되거나 제1절연층이 파손되는 것을 방지할 수 있다.

28. 发明授权

KR101058748B1 정전척 및 그 제조방법 有权
标题翻译：静电吸盘及其制造方法
公开(公告)号：KR101058748B1
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020080092409
申请日：2008-09-19
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 박용균 , 조생현
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
摘要： 본 발명은 정전기력을 이용하여 기판을 흡착 고정하는 정전척 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 복수 개의 전극부로 분할 형성되고, 상기 복수 개의 전극부들이 동일 극성을 가지도록 DC전원과 연결되는 전극층;을 포함함으로써, 정전기력이 신속하게 발생/해제될 수 있고, 전압차를 방지할 수 있는 정전척 및 그 제조방법을 제시한다.
정전척, 진공처리장치, 기판, 전극층, DC전원
摘要翻译：静电吸盘及其制造方法技术领域本发明涉及利用静电力吸附固定基板的静电吸盘及其制造方法。特别地，本发明被分割形成为多个电极，其中所述多个电极部电极层中的一个连接到DC电源，从而具有相同的极性;可以通过包括可开/关被快速产生的静电力，以防止电压差及其制造方法。

29. 发明授权

KR101058810B1 진공처리장치의 리프트 핀 구동장치 有权
公开(公告)号：KR101058810B1
公开(公告)日：2011-08-23
申请号：KR1020080005348
申请日：2008-01-17
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 김태영
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 로딩 및 언로딩하는 리프트 핀을 승하강시키는 진공처리장치의 리프트 핀 구동장치에 관한 것이다.
본 발명은 진공처리챔버 내에 설치된 기판지지대에 상하방향으로 승강 가능하게 설치되는 다수개의 리프트 핀들과; 회전력을 발생시키는 구동력발생부와; 상기 구동력발생부와 상기 리프트 핀들 사이에 설치되어 상기 구동력발생부에서 발생되는 회전운동을 직선운동으로 변환시켜 상기 리프트 핀들을 승하강시키는 리프트핀구동부를 포함하는 진공처리장치의 리프트 핀 구동장치를 개시한다.
진공처리장치, 반도체, 리프트 핀

30. 发明公开

KR1020110076472A 플라즈마 발생장치 有权
标题翻译：用于产生等离子体的装置
公开(公告)号：KR1020110076472A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090133196
申请日：2009-12-29
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 유성진
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/76825
摘要： 안테나를유전체플레이트로부터일정거리이격시키는플라즈마발생장치가개시된다. 플라즈마발생장치는안테나와, 안테나의하측에배치된유전체플레이트를포함하며, 안테나와유전체플레이트사이에개재된이격부재를포함한다. 이에따라, 안테나가유전체플레이트로부터일정거리이격된상태로배치됨으로써, 안테나와유전체플레이트사이에서의아킹발생을방지할수 있다. 그러므로, 종래의플라즈마발생장치에서문제가되었던안테나가파손되거나또는안테나및 유전체플레이트가아킹으로인해오염되는것을방지할수 있다.
摘要翻译：目的：提供一种用于产生等离子体的装置，以通过将天线与电介质板分开来防止天线和电介质板的污染以及天线的损坏。构成：准备天线（110）。电介质板（120）布置在天线的下侧。分离单元（130）插入在天线和电介质板之间。天线包括多个天线线。分离单元包括支撑一部分天线的负载部件。接触防止单元还包括在分离单元中，并且插入在第一天线线路和第二天线线路之间。

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