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    • 11. 发明申请
    • CMOS image sensors with light shielding patterns and methods of forming the same
    • 具有遮光图案的CMOS图像传感器及其形成方法
    • US20080142919A1
    • 2008-06-19
    • US11974981
    • 2007-10-17
    • Jong-Cheol Shin
    • Jong-Cheol Shin
    • H01L31/0216H01L31/18
    • H01L27/14623
    • An image sensor includes a semiconductor substrate including an active pixel region and an optical black region, a wiring pattern on the active pixel region and on the optical black region, and a light shielding pattern on the wiring pattern in the optical black region, the light shielding pattern including an opening therein. A dummy pattern is in the optical black region and is spaced apart from the light shielding pattern. The dummy pattern blocks light incident through the openings of the light shielding patter. An inter-metal dielectric layer fills spaces between the patterns, and a passivation layer is on the inter-metal dielectric layer. The dummy pattern includes an opening therein, and a hydrogen diffusion path is provided from the passivation layer, through the opening in the light shielding pattern and the opening in the dummy pattern, to the semiconductor substrate. The dummy pattern may be on the same level as the wiring pattern.
    • 图像传感器包括:半导体衬底,包括有源像素区域和光学黑色区域,有源像素区域和光学黑色区域上的布线图案,以及光学黑色区域中的布线图案上的遮光图案, 屏蔽图案包括其中的开口。 虚拟图案在光学黑色区域中并且与遮光图案间隔开。 虚拟图案阻挡通过遮光图案的开口入射的光。 金属间介电层填充图案之间的空间,钝化层位于金属间介电层上。 虚拟图案包括开口,并且从钝化层通过遮光图案中的开口和虚设图案中的开口向半导体衬底提供氢扩散路径。 虚设图案可以与布线图案处于同一水平。