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11. 发明申请

WO2009090236A1 PROCESS OF TREATING DEFECTS DURING THE BONDING OF WAFERS 审中-公开
标题翻译：在水泥粘结过程中处理缺陷的过程
公开(公告)号：WO2009090236A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：PCT/EP2009/050480
申请日：2009-01-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard
发明人： LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/2007
摘要： The invention concerns a process of preparing a thin layer to be transferred onto a substrate (8) having a surface topology, and therefore variations in altitude or level, in a direction perpendicular to a plane defined by the thin layer, this process comprising the formation, on the thin layer, of a layer (4) of adhesive material, the thickness of which enables to carry out a plurality of polishing steps of its surface in order to eliminate any defect or void (24, 26), or almost any defect or void, in preparation for an assembly via a molecular kind of bonding with the substrate (8).
摘要翻译：本发明涉及一种制备要转移到具有表面拓扑结构的衬底（8）的薄层的方法，因此在垂直于由薄层限定的平面的方向上的高度或水平的变化，该方法包括地层在薄层上的粘合剂材料层（4），其厚度能够执行其表面的多个抛光步骤，以消除任何缺陷或空隙（24,26）或几乎任何缺陷或空隙，以通过与衬底（8）的分子类型的结合来制备组件。

12. 发明申请

WO2009077538A2 PROCESS OF ASSEMBLY WITH BURIED MARKS 审中-公开
标题翻译：装配标记的程序
公开(公告)号：WO2009077538A2
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/EP2008/067652
申请日：2008-12-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/50 , H01L21/762
CPC分类号： H01L23/544 , B81C3/002 , B81C2203/051 , H01L21/187 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a process of forming an assembly of at least two substrates with at least one alignment mark, comprising the following steps: a) a step of forming of at least one alignment mark (10) on or in a first substrate (4) or a layer formed on this substrate, b) a first step of assembly of this first substrate, or of a layer formed on this first substrate, with a second substrate (2) or a layer formed on this second substrate, c) a step of thinning of at least a peripheral portion of at least one of the two substrates, in order to have at least one of said alignment marks appear.
摘要翻译：本发明涉及一种用至少一个对准标记形成至少两个基板的组件的方法，包括以下步骤：a）在第一基板（4）上或第一基板（4）上形成至少一个对准标记）或形成在该衬底上的层，b）将第一衬底或形成在该第一衬底上的层与第二衬底（2）或形成在该第二衬底上的层组装的第一步骤，c）使两个基板中的至少一个的至少一个周边部分变薄的步骤，以便具有至少一个所述对准标记出现。

13. 发明申请

WO2008090428A1 SURFACE ROUGHENING PROCESS 审中-公开
标题翻译：表面粗糙化工艺
公开(公告)号：WO2008090428A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/IB2008/000086
申请日：2008-01-10
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle , SOUSBIE, Nicolas
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle , SOUSBIE, Nicolas
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00952 , B81B3/001 , B81C2201/115
摘要： The invention relates to a process of forming a rough interface (12) in a semiconductor substrate (2), comprising: the formation, on a surface (4) of said substrate, of a zone of irregularities (8) in or on an oxide or a material (6) that may be oxidized, the formation of roughnesses in or on the semiconductor substrate (2) by thermal oxidation of or through this material or this oxide (6) and a part of the semiconductor substrate.
摘要翻译：本发明涉及在半导体衬底（2）中形成粗糙界面（12）的方法，包括：在所述衬底的表面（4）上形成在氧化物中或氧化物上的不规则区域（8）或可能被氧化的材料（6），通过或通过该材料或该氧化物（6）和半导体衬底的一部分的热氧化在半导体衬底（2）中或之上形成粗糙度。

14. 发明申请

WO2008090426A1 PROCESS FOR FORMING AND CONTROLLING ROUGH INTERFACES 审中-公开
标题翻译：用于形成和控制粗糙接口的过程
公开(公告)号：WO2008090426A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/IB2008/000081
申请日：2008-01-10
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle , SOUSBIE, Nicolas
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle , SOUSBIE, Nicolas
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B3/001 , B81C1/00952 , B81C2201/115
摘要： The invention relates to a process for forming a semiconductor component with a buried rough interface comprising: a) the formation of a rough interface (22) of predetermined roughness R2 in a first semiconductor substrate (16), with: * the selection of a semiconductor substrate (16), presenting a surface (14) with roughness R1>R2, * a thermal oxidation step for this substrate until an oxide -semiconductor interface (22) of roughness R2 is obtained, b) preparation of the oxidized surface of this first semiconductor substrate in view of assembly with a second substrate, c) the assembly of the surface of the oxide and of the second substrate.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成具有掩埋粗糙界面的半导体部件的方法，包括：a）在第一半导体衬底（16）中形成预定粗糙度R2的粗糙界面（22），其中：*选择半导体衬底（16），具有粗糙度R1> R2的表面（14），*用于该衬底的热氧化步骤，直到获得粗糙度R2的氧化物 - 半导体界面（22），b）制备该第一半导体衬底，与第二衬底组装，c）氧化物和第二衬底的表面的组装。

15. 发明授权

EP1586115B1 A LAYER TRANSFER METHOD 有权
标题翻译：层转移程序
公开(公告)号：EP1586115B1
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：EP04704241.1
申请日：2004-01-22
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/762 , C09J5/00
CPC分类号： H01L21/76259 , C09J5/00 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of removing a peripheral zone (62) of adhesive while using a layer of adhesive (6) in the process of assembling and transferring a layer (41) of material coming from a source substrate (4) and placed on a support substrate (5). The method is remarkable in that it consists in bonding the two substrates (4 and 5) together by means of an intermediate layer of curable adhesive (6), in curing only that zone (61) of the layer of adhesive (6) which extends facing the front face (43) of said layer (41) of material to be transferred, in removing the zone (62) of non-cured adhesive, and in detaching said layer (41) to be transferred from the remainder (42) of the source substrate. The invention is applicable to fabricating a composite substrate in the fields of electronics, optoelectronics, or optics.

16. 发明公开

EP1586115A1 A LAYER TRANSFER METHOD 有权
标题翻译：层转移程序
公开(公告)号：EP1586115A1
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：EP04704241.1
申请日：2004-01-22
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/762 , C09J5/00
CPC分类号： H01L21/76259 , C09J5/00 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of removing a peripheral zone (62) of adhesive while using a layer of adhesive (6) in the process of assembling and transferring a layer (41) of material coming from a source substrate (4) and placed on a support substrate (5). The method is remarkable in that it consists in bonding the two substrates (4 and 5) together by means of an intermediate layer of curable adhesive (6), in curing only that zone (61) of the layer of adhesive (6) which extends facing the front face (43) of said layer (41) of material to be transferred, in removing the zone (62) of non-cured adhesive, and in detaching said layer (41) to be transferred from the remainder (42) of the source substrate. The invention is applicable to fabricating a composite substrate in the fields of electronics, optoelectronics, or optics.

17. 发明公开

EP1543553A1 A LAYER TRANSFER METHOD 有权
标题翻译： LAYERS过户手续
公开(公告)号：EP1543553A1
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：EP03763890.5
申请日：2003-07-16
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies , Commissariat A L'Energie Atomique
发明人： ASPAR, Bernard , BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/18 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要： The invention concerns a method for transferring a layer of material (41) deriving from a source substrate (4) onto a support substrate (5), comprising at least the steps consisting in : depositing additional material (6) on at least one of the front faces of the source substrate (4) and the support substrate (5) and applying said two substrates (4, 5) against each other; then detaching said layer to be transferred (41) from the source substrate (4) along a zone of weakness (43) by applying a stress of mechanical origin. This method is remarkable in that prior to the step of depositing the material (6), at least one recess (56) for receiving excess additional material (6) is formed in at least one of the two substrates (4, 5), said recess opening onto the front face of said substrate. Application to the fabrication of a composite substrate in the fields of electronics, optoelectronics and optics.

18. 发明公开

EP1435111A1 PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES CONTENANT DES MICROCOMPOSANTS 有权
标题翻译：用于生产薄层，微组件包含
公开(公告)号：EP1435111A1
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：EP02785528.7
申请日：2002-10-08
申请人： Commissariat A L'Energie Atomique , S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L2221/68322
摘要： The invention concerns a method for making (1) thin layers (5) containing microcomponents (6) using a substrate. Said method comprises in particular, for each layer (5), the following steps: a) local implantation of at least a gaseous species in said substrate (1) perpendicular to a plurality of implantation zones defined on the surface of the substrate (1), avoiding, by adequate selection of the depth and the shape of said implantation zones, degradation of said surface of the substrate (1) during the step b); b) producing microcomponents (6) in the surface layer (5) of the substrate (1) delimited by the implanting depth; and c) separating the substrate (1) in two parts, one part containing the surface layer (5) including said microcomponents (6), and the other the rest of the substrate (1). The invention is useful for producing microcomponents to be integrated on supports different from those used for their manufacture.

19. 发明申请

WO2003083930A1 PROCEDE DE MANIPULATION DE COUCHES SEMICONDUCTRICES POUR LEUR AMINCISSEMENT 审中-公开
标题翻译：用于处理半导体层的方法，以同样的方式
公开(公告)号：WO2003083930A1
公开(公告)日：2003-10-09
申请号：PCT/FR2003/000954
申请日：2003-03-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc , CLERC, Jean-Frédéric
发明人： ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc , CLERC, Jean-Frédéric
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L21/2007 , B81C1/0038 , B81C2201/0191 , B81C2203/036 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L2221/68359 , Y10S438/977
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention d'une couche mince à partir d'une plaque comprenant une face avant présentant un relief donné et une face arrière, comprenant les étapes consistant à :a) se procurer une poignée support possédant une face servant de face de collage ;b) préparer la face avant de la plaque, cette préparation comprenant une planarisation incomplète de la face avant de la plaque, pour obtenir une énergie de collage E0 comprise entre une première valeur, correspondant à l'énergie de collage minimum compatible avec l'étape postérieure d'amincissement, et une deuxième valeur, correspondant à l'énergie de collage maximale compatible avec l'opération postérieure de désolidarisation, l'énergie de collage E0 étant telle que E0 equals; E, E étant l'énergie de collage qui serait obtenue si la face avant de la plaque était complètement planarisée, étant le rapport entre la surface planarisée incomplètement de la face avant de la plaque et la surface de la face avant de la plaque si elle était planarisée complètement ;c) solidariser, par adhésion moléculaire, la face avant de la plaque sur la face de collage de la poignée support ;d) amincir la plaque à partir de sa face arrière jusqu'à obtenir la couche mince ;e) reporter la couche mince sur un support d'utilisation, impliquant la désolidarisation d'avec la poignée support.
摘要翻译：本发明涉及一种从具有给定浮雕和后侧的具有前侧的板获得薄层的方法，所述方法包括以下步骤：a）获得包括用作粘合侧的一侧的支撑手柄 ; b）制备板的正面，使得其部分平面化，以获得位于与随后的变薄阶段相容的最小结合能相对应的第一值之间的结合能E0和对应于最大结合的第二值能量与随后的剥离操作相容，结合能E0使得E0 =αE，E是如果板的前侧完全平面化将获得的结合能，而α是部分平面化表面的板的前侧，如果它是完全平面的，板的正面的表面; c）通过分子结合将板的前侧结合到支撑柄的接合表面; d）将板从其后侧开始变薄，直到获得薄层; 和e）薄层从支撑手柄剥离并转移到支撑体上。

20. 发明申请

WO2006070160A1 PROCEDE DE DETOURAGE D'UNE STRUCTURE OBTENUE PAR ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUES 审中-公开
标题翻译：用于调整由两板组装获得的结构的方法
公开(公告)号：WO2006070160A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/FR2005/051128
申请日：2005-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TRACIT TECHNOLOGIES , ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
发明人： ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T156/10
摘要： L'invention concerne un procédé de détourage d'une structure obtenue par fixation d'une première plaque sur une deuxième plaque selon des faces de contact et amincissement de la première plaque, au moins l'une d'entre la première plaque et la deuxième plaque étant chanfreinée et exposant ainsi le bord de la face de contact de la première plaque, le détourage concernant la première plaque. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) sélection de la deuxième plaque parmi des plaques présentant une résistance à l'attaque chimique prévue à l'étape b) suffisante par rapport à la première plaque pour permettre la réalisation de l'étape b) ; b) après fixation de la première plaque sur la deuxième plaque, attaque chimique du bord de la première plaque de façon à former dans la première plaque un piédestal reposant entièrement sur la face de contact de la deuxième plaque et supportant le reste de la première plaque ; c) amincissement de la première plaque jusqu'à atteindre et entamer le piédestal pour fournir une partie amincie de la première plaque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于修整通过将第一板固定在接触面上的第二板上并使第一板变薄而获得的结构的方法，所述第一板和第二板中的至少一个被倒角并因此使接触边缘暴露面对第一块板块，表示修剪关于第一块板。该方法包括以下步骤：a）从具有对步骤b）中计划的化学侵蚀的抗性的那些板中选择第二板，其足以与第一板相关以允许步骤b）进行，b）之后将第一板固定到第二板上，执行第一板的边缘的化学侵蚀，以便在第一板上形成基座，其完全搁置在第二板的接触面上并且支撑第一板的其余部分， c）第一板的变薄以便刚刚到达和分解成基座，以提供第一板的变薄的部分。

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