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    • 12. 发明申请
    • SCHALTUNGSMODUL
    • 电路模块
    • WO2008017537A2
    • 2008-02-14
    • PCT/EP2007/055868
    • 2007-06-14
    • ROBERT BOSCH GMBHREICHENBACH, RalfBUCK, Thomas
    • REICHENBACH, RalfBUCK, Thomas
    • B60C23/0411G01L9/0022H02N2/18
    • Die Erfindung betrifft ein Schaltungsmodul, insbesondere ein Reifensensor- modul, das mindestens aufweist: ein Substrat (2a, 2b), auf oder in dem mindestens ein Bauelement (6, 11, 12, 13) angebracht ist, ein Piezo-Element (3), das mindestens einen Einspannbereich (3a, 3b) und mindestens einen Schwingbereich (3b, 3a) aufweist, wobei das Piezo- Element (3) in seinem Einspannbereich (3a, 3b) an dem Substrat oder einem an dem Substrat befestigten Mittel eingespannt ist und sein Schwingbereich (3b, 3a) schwingfähig aufgenommen ist, an dem Piezo-Element (3) vorgesehene Kontaktierungen (10) zur Abnahme einer Piezo-Spannung, und eine Stromversorgungsschaltung (12, 13), die die von dem Piezo-Element (3) erzeugte Piezo-Spannung aufnimmt und als Spannungsquelle zur Stromver- sorgung des Schaltungsmoduls (1) dient. Vorzugsweise ist das Piezo-Element (3) zwischen mindestens zwei Substrat- Elemente (2a, 2b) eingespannt, die mindestens eine Kavität (5) ausbilden, in der der mindestens eine Schwingbereich (3b, 3a) des Piezo-Elementes (3) auslenkbar aufgenommen und in seinem Schwingweg begrenzt ist.
    • 本发明涉及一种电路模块,特别是Reifensensor-模块,至少包括:一个基底(2A,2B)安装其上或其中的至少一个部件(6,11,12,13),压电元件(3) 包括至少一个夹紧区域(3A,3B)和至少一个振荡区域(图3b,图3a),其特征在于,压电元件(3)在它的夹持区域(3A,3B)被夹持到所述基片或附着到衬底的装置,和 是振荡区域(图3b,3a)的摆动加入,所提供的压电元件(3)触点(10),用于接受压电电压的上,并且压电元件的电源电路(12,13)(3) 接收所产生的压电电压,并作为在电路模块(1)的电力供应的电压源。 优选地,压电元件(3)的至少两个基板构件之间(2A,2B)被夹紧,形成所述至少一个腔体(5),其中所述至少一个振荡区域中的压电元件的(图3b,图3a)(3)可被偏转 加入,并在其位移的限制。
    • 13. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKRONADELN IN EINEM SI-HALBLEITERSUBSTRAT
    • 用于在硅基半导体衬底生产微型针数
    • WO2008003564A1
    • 2008-01-10
    • PCT/EP2007/055691
    • 2007-06-11
    • ROBERT BOSCH GMBHSTUMBER, MichaelREICHENBACH, RalfFEYH, Ando
    • STUMBER, MichaelREICHENBACH, RalfFEYH, Ando
    • B81C1/00A61M37/00
    • B81C1/00111A61M37/0015A61M2037/0053B81B2201/055B81B2203/0361B81C2201/0115
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mikronadeln in einem Si-Halbleitersubstrat, umfassend die folgenden Schritte: a) Aufbringen einer zusammenhängenden Maskierungsschicht (1) auf der äusseren Oberfläche eines Si-Halbleitersubstrats (6); b) Strukturieren der Maskierungsschicht (1), wobei in der Maskierungsschicht (1) eine Vielzahl diskreter durchgehender Löcher (2) mit einem Durchmesser im Bereich von ≥ 0,5 μm bis ≥ 100 μm ausgebildet werden; c) Erzeugen von Ausnehmungen (8) in dem Si-Halbleitersubstrat (6) durch isotropes Ätzen, indem Ätzmittel durch die diskreten Löcher (2) in der Maskierungsschicht (1) hindurchtritt, wobei die Ausnehmungen ausgehend von den diskreten Löchern (2) radial geätzt werden, wobei das Verhältnis von Ätztiefe zu seitlicher Unterätzweite der erzeugten Ausnehmungen (8) im Bereich von 1: 1 bis 4: 1 liegt; d) Abbrechen des Ätzvorgangs nachdem sich Mikronadeln mit mehreckigen Spitzen zwischen benachbarten Löchern (2) ausgebildet haben; e) optional Abtrennen oder Vereinzeln der Mikronadeln von dem Si- Halbleitersubstat (6).
    • 本发明涉及一种用于生产在Si半导体衬底的微针的方法,包括以下步骤:在Si半导体衬底(6)的外表面上a)施加的连续掩蔽层(1); b)中图案化所述掩模层(1),其中,在所述掩蔽层(1)是多个离散的通孔(2)与直径在= 0.5微米至100微米=形成的范围内; c)产生的凹部(8)在所述Si半导体衬底(6)通过各向同性蚀刻由离散的孔使蚀刻剂(2)(在掩模层1),其特征在于,在开始的凹部(从离散孔2)径向地蚀刻 是,其特征在于,蚀刻深度的比率到外侧产生的凹部的底切的宽度(8)在从1:1至4:1; D)取消具有多边形峰微针后(在蚀刻工艺相邻的孔2之间)已经形成; e)任选地分离或分割所述硅Halbleitersubstat(6)的微针。
    • 14. 发明申请
    • MIKROMECHANISCHES VERFAHREN UND ENTSPRECHENDE ANORDNUNG ZUM BONDEN VON HALBLEITERSUBSTRATEN SOWIE ENTSPRECHENDER GEBONDETER HALBLEITERCHIP
    • 微机械方法及其与半导体衬底和相应结合半导体芯片结合的相应配置
    • WO2011057850A3
    • 2011-05-19
    • PCT/EP2010/064009
    • 2010-09-23
    • ROBERT BOSCH GMBHTRAUTMANN, AchimREICHENBACH, Ralf
    • TRAUTMANN, AchimREICHENBACH, Ralf
    • B81C3/00
    • Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Verfahren und eine entsprechende Anordnung zum Bonden von Halbleitersubstraten sowie einen entsprechenden gebondeten Halbleiterchip. Die Anordnung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem Chipmuster mit einer Vielzahl von Halbleiterchips (1), welche jeweils einen Funktionsbereich (4) und einen den Funktionsbereich (4) umgebenden Randbereich (4a) aufweisen, wobei im Randbereich (4a) beabstandet vom Funktionsbereich (4) ein Bondrahmen (2) aus einer Bondlegierung aus mindestens zwei Legierungskomponenten vorgesehen ist. Innerhalb des vom Bondrahmen (2) umgebenen Teils (4a2) des Randbereichs (4a) zwischen dem Bondrahmen (2) und dem Funktionsbereich (4) ist mindestens ein Stopprahmen (7; 7a, 7b; 7b'; 70) aus mindestens einer der Legierungskomponenten vorgesehen, der derart gestaltet ist, dass bei einem Auftreffen einer Schmelze der Bondlegierung beim Bonden auf den Stopprahmen (7; 7a, 7b; 7b'; 70) ein Erstarren der Bondlegierung auftritt.
    • 本发明提供了用于键合半导体衬底以及相应键合半导体芯片的微机械方法和相应布置。 该组件包括具有具有多个半导体芯片的芯片图案的半导体衬底(1)每一个都具有功能区域(4)和一个功能性区域(4)周围的边缘区域(4a)中,其中,在从所述功能区域的距离在边缘区域(4a)的(4) 提供由至少两种合金成分的接合合金制成的接合框(2)。 接合框架(2)与所述功能区域之间的边缘区域(4a)的接合框(2)部分(4A2)内封闭的(4)是至少一种停止帧(7; 7A,7B;图7b“; 70)的合金成分的中的至少一个 提供,其被配置为使得在接合到所述接合合金的停止帧凝固过程中合金键的熔体的冲击发生(7; 70 7A,7B ;;图7b“)。
    • 17. 发明申请
    • MIKRODOSIERVORRICHTUNG ZUM DOSIEREN VON KLEINSTMENGEN EINES MEDIUMS
    • 微剂量计量微中等量
    • WO2009040165A1
    • 2009-04-02
    • PCT/EP2008/059796
    • 2008-07-25
    • ROBERT BOSCH GMBHREICHENBACH, Ralf
    • REICHENBACH, Ralf
    • F04B43/04
    • F04B43/043F04B43/028F04B43/046
    • Mikrodosiervorrichtung zum Dosieren von Kleinstmengen eines Mediums, mit einer Einlasseinrichtung (1), einer Auslasseinrichtung (2), einer Pumpeinrichtung (3) und einem von der Einlasseinrichtung (1) zur Auslasseinrichtung (2) führenden Medienkanal (15), wobei die Einlasseinrichtung (1) eine Einlassöffnung (4) und ein Einlassventil (5) mit einem Einlassventilkolben (6), die Auslasseinrichtung (2) eine Auslassöffnung (7) und ein Auslassventil (8) mit einem Auslassventilkolben (9) und die, Pumpeinrichtung (3) einen Pumpkolben (10) aufweist. Der Einlassventilkolben (6), der Auslassventilkolben (9) und der Pumpkolben (10) sind auf einer gemeinsamen Membranschicht (12) angeordnet. Die Mikrodosiervorrichtung hat den Vorteil, dass sie einfach und kostengünstig hergestellt werden kann.
    • 用于计量的少量的介质的微剂量装置,具有入口装置(1),出口(2),泵装置(3)和一个从所述入口装置(1)到所述出口(2),从而导致介质通道(15),所述入口装置(1 )具有入口开口(4)和入口阀(5)具有入口阀活塞(6),所述出口(2)的出口开口(7)和排气门(8)用Auslassventilkolben(9)和,泵装置(3)包括一泵活塞 (10)。 入口阀柱塞(6),所述Auslassventilkolben(9)和所述泵活塞(10)被布置在共同的膜层(12)上。 微剂量具有的优点是可以很容易地且廉价地制造的优点。
    • 19. 发明申请
    • HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE MIKROELEKTRONISCHE MEDIENSENSORANORDNUNG UND MIKROELEKTRONISCHE MEDIENSENSORANORDNUNG
    • PROCESS微型电子媒介传感器布置和微型电子媒体传感器装置
    • WO2017016703A1
    • 2017-02-02
    • PCT/EP2016/061766
    • 2016-05-25
    • ROBERT BOSCH GMBH
    • REICHENBACH, Ralf
    • B81C1/00
    • B81C1/00896B81B2201/0264B81C2201/053H01L2224/73204
    • Die Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Bauelementanordnung und eine entsprechende mikroelektronische Bauelementanordnung. Das Herstellungsverfahren umfasst hierbei die Schritte, wonach ein Sensor mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche sowie zumindest einer Seitenfläche bereitgestellt wird, wobei die erste Oberfläche zumindest bereichsweise eine Detektionsfläche aufweist. In einem nächsten Schritt wird ein Opfermaterial auf die erste Oberfläche des Sensors aufgebracht, wobei die Detektionsfläche zumindest bereichsweise von dem Opfermaterial bedeckt wird und sich das Opfermaterial zu der Seitenfläche des Sensors erstreckt. Ferner wird ein Träger mit einer Montagefläche bereitgestellt. Danach wird der Sensor auf dem Träger elektrisch verbunden, wobei die erste Oberfläche des Sensors und die Montagefläche des Trägers einander gegenüberliegend einen Abstand aufweisen. Anschließend wird das Opfermaterial entfernt, wobei die Detektionsfläche zumindest teilweise frei von dem Opfermaterial wird.
    • 本发明提供了一种制造微电子器件组件和相应的微电子器件组件的方法。 在这种情况下的制造方法包括以下步骤,根据其提供了具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,以及至少一个侧表面上的传感器,其中所述第一表面区域,包括至少一个检测表面到。 在下一步骤中,牺牲材料沉积在传感器的第一表面,其中所述检测表面至少部分地由牺牲材料覆盖所述牺牲材料延伸到所述传感器的侧表面上。 此外,载体上设置有安装表面。 此后,在载体上的传感器电连接,其中所述传感器的所述第一表面,其距离为具有彼此相对的载体的安装表面。 随后,在牺牲材料被移除,其中所述检测表面是所述牺牲材料的至少部分自由。
    • 20. 发明申请
    • MEMS-BAUELEMENT MIT EINER STRESSENTKOPPLUNGSSTRUKTUR UND BAUTEIL MIT EINEM SOLCHEN MEMS-BAUELEMENT
    • 用这样的MEMS元件应力解耦组成和结构MEMS元件
    • WO2015185455A1
    • 2015-12-10
    • PCT/EP2015/061984
    • 2015-05-29
    • ROBERT BOSCH GMBH
    • CLASSEN, JohannesREINMUTH, JochenHATTASS, MirkoREICHENBACH, RalfPUYGRANIER, Antoine
    • B81B7/00
    • B81B7/0048B81B2207/012B81B2207/07H01L2224/16225
    • Es werden Maßnahmen vorgeschlagen, die auf einfache Weise und zuverlässig zur mechanischen Entkopplung eines MEMS-Funktionselements aus dem Aufbau eines MEMS-Bauelements beitragen. Das MEMS-Bauelement (110) umfasst mindestens ein auslenkbares Funktionselement (14), das in einem Schichtaufbau (12) auf einem MEMS-Substrat (11) realisiert ist, so dass zwischen dem Schichtaufbau (12) und dem MEMS-Substrat (11) zumindest im Bereich des Funktionselements (14) ein Zwischenraum (15) besteht. Erfindungsgemäß ist im MEMS-Substrat eine Stressentkopplungsstruktur (17) in Form einer sacklochartigen Grabenstruktur (171) ausgebildet, die zu dem Zwischenraum (15) zwischen dem Schichtaufbau (12) und dem MEMS-Substrat (11) geöffnet ist und sich nur bis zu einer vorgegebenen Tiefe ins MEMS-Substrat (11) erstreckt, so dass das MEMS-Substrat (11) zumindest im Bereich der Grabenstruktur (171) rückseitig geschlossen ist.
    • 有迹象表明,有助于容易且可靠地用于MEMS器件的结构的MEMS功能元件的机械去耦提出的措施。 的MEMS装置(110)包括其在MEMS衬底(11)上的层结构(12)实现的,至少一个可偏转的功能元件(14),以使层结构(12)和MEMS衬底(11)之间 至少在所述功能元件(14)的空间(15)的区域中。 在一个盲孔状的严重结构(171)的形式,根据本发明的MEMS衬底适于将所述中间空间(15)(12)和MEMS衬底(11)的应力去耦结构(17)的层结构之间,并且最多只有一个开 预定深度到MEMS衬底(11),从而使MEMS衬底(11)至少在严重的结构(171)的区域中的后部封闭。