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11. 发明申请

WO2012001059A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2012001059A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/060931
申请日：2011-06-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BIEBERSDORF, Andreas , BERGENEK, Krister , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： BIEBERSDORF, Andreas , BERGENEK, Krister , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50 , F21V5/002 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauteil (100) angegeben, mit - zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (1); - zumindest einem Konverterelement (2), welches zur Konversion der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung dient; - zumindest einem Filtermittel (3), welches Filterpartikel (31) umfasst oder mit diesen gebildet ist, wobei - das Filtermittel (3) zumindest einen vorgebbaren Wellenlängenbereich der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung stärker streut und/oder absorbiert als einen von dem vorgegebenen Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich, und - die Filterpartikel (31) einen d 50 -Wert, in Q 0 gemessen, von wenigstens 0,5 nm bis höchstens 500 nm und/oder - die Filterpartikel (31) zumindest stellenweise fadenartig ausgebildet sind und in einem fadenartigen Bereich (31A) einen Durchmesser (D) aufweisen, der wenigstens 0,5 nm und höchstens 500 nm beträgt.
摘要翻译：本发明提供一种光电器件（100），具有： - 至少一个发射辐射的半导体元件（1）; - 至少一个转换元件（2），其用于从所述半导体部件（1）的电磁辐射发射的光转换; - 至少一个滤波器装置（3）包括所述过滤器的颗粒（31）或与其一起，其特征在于形成 - 散射滤波器装置（3）的半导体器件中的至少一个预先确定的波长范围内的（1）的电磁辐射发射的更强和/或吸收的作为一个在预定的波长范围不同的波长范围，以及 - 具有d 50值，所述过滤器的颗粒（31）在Q0测量的至少0.5纳米，和至多500nm和/或 - 形成（31）的地方，线状至少过滤颗粒和细丝状的具有区域（31A）的直径（D），这是在500nm以下为至少0.5nm和。

12. 发明申请

WO2012136459A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND DERART HERGESTELLTES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和这样的组件MADE
公开(公告)号：WO2012136459A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2012/054598
申请日：2012-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE, Markus , MOOSBURGER, Jürgen , JEREBIC, Simon
发明人： MAUTE, Markus , MOOSBURGER, Jürgen , JEREBIC, Simon
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/486 , H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于制造光电子器件（10）的方法。提供了一种具有合适的活性层用于产生辐射和在载体上的（1）被配置在半导体芯片（2）。在半导体芯片（2）和/或所述支撑件（1），一分散材料（3）至少部分地施加。分散材料（3）包括一基体材料（31）和在其中嵌入的颗粒（32）。中的分散材料（3）的应用程序之前修改一（1）从背离半导体芯片的芯片边缘（22）远离所述承载器（2），使得分散的材料（3）当施加到芯片边缘（22）至少部分地分离成它的组分，此外，在此方式（10）所制造的装置被指定。

13. 发明申请

WO2012013426A1 LICHTQUELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LICHTQUELLE 审中-公开
标题翻译：光源和一种用于生产光源
公开(公告)号：WO2012013426A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/EP2011/060346
申请日：2011-06-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： F21K99/00
CPC分类号： F21K9/232 , F21K9/238 , F21V3/00 , F21V7/05 , F21V7/10 , F21V7/22 , F21V23/005 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H05K3/284 , H05K2201/2054
摘要： Es wird eine Lichtquelle angegeben, die einen Träger (1) mit einer Montagefläche (10), zumindest einem Licht emittierenden Halbleiterbauelement (2) auf der Montagefläche (10), das eine vom Träger (1) weg gewandte Lichtabstrahlfläche (20) aufweist, und eine Reflektorschicht (3) auf dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement (2) und der Montagefläche (10), die ein Matrixmaterial mit reflektierenden Partikeln aufweist und die eine Öffnung (30) über der Lichtabstrahlfläche (20) aufweist, umfasst. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光源，其包含载体（1）发射的安装表面（10），至少一个光半导体元件（2）的安装面（10）上，所述一个从所述载体（1）关断面向发光面（20），和所述发光半导体装置（2）上的反射层（3）和安装面（10），其包括具有反射颗粒的基质材料和具有发光表面（20）上方的开口（30）。此外，制造光源的方法中指示。

14. 发明申请

WO2010054618A1 VERBUNDSUBSTRAT FÜR EINEN HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：复合基板用于半导体芯片
公开(公告)号：WO2010054618A1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：PCT/DE2009/001500
申请日：2009-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , STAUSS, Peter , PLÖSSL, Andreas
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , STAUSS, Peter , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02491 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L2924/0002 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verbundsubstrat (1) für einen Halbleiterchip (6) angegeben. Das Verbundsubstrat (1) umfasst eine erste Deckschicht (2), die ein Halbleitermaterial enthält, eine zweite Deckschicht (4), und eine Kernschicht (3), die zwischen der ersten Deckschicht (2) und der zweiten Deckschicht (4) angeordnet ist, wobei die Kernschicht (3) einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist als die Deckschichten (2, 4). Ferner wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (6) mit einem derartigen Verbundsubstrat (1) angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种用于半导体芯片（6）的复合基板（1）。复合基板（1）包括第一外层（2）包含半导体材料，第二层（4），并且所述第一外层（2）和所述第二外层（4）被布置之间的芯层（3），其中，核心层（3）具有比外层更大的热膨胀系数（2,4）。此外，光电子半导体芯片（6）具有这样的复合衬底（1）中指定。

15. 发明申请

WO2010017790A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARES, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：表面贴装，光电子半导体组件
公开(公告)号：WO2010017790A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：PCT/DE2009/000884
申请日：2009-06-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZITZLSPERGER, Michael , WEGLEITER, Walter , MOOSBURGER, Jürgen , BARCHMANN, Bernd , AHLSTEDT, Magnus , ZEILER, Thomas
发明人： ZITZLSPERGER, Michael , WEGLEITER, Walter , MOOSBURGER, Jürgen , BARCHMANN, Bernd , AHLSTEDT, Magnus , ZEILER, Thomas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren, optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses eine Montagefläche (10) an einer Bauteilunterseite, einen um eine Ausnehmung (9) umlaufenden Gehäusegrundkörper (4), der einen Teil der Montagefläche (10) bildet, und mindestens zwei elektrische Anschlussstücke (2), die ebenfalls einen Teil der Montagefläche (10) bilden und die den Gehäusegrundkörper (4) lateral nicht überragen. Die Ausnehmung (9) reicht hierbei bis zu den Anschlussstücken (2). Des Weiteren umfasst das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen strahlungsemittierenden, optoelektronischen Halbleiterchip (3), der sich in der Ausnehmung (9) befindet und über die Anschlussstücke (2) elektrisch kontaktiert und auf mindestens einem Anschlussstück (2) aufgebracht ist. Außerdem weist das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Abschirmkörper (5) auf, der sich zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (4) befindet, wobei der Abschirmkörper (5) eine vom Halbleiterchip (3) emittierte Strahlung vom Gehäusegrundkörper (4) abschirmt.
摘要翻译：在至少一个实施例中，表面安装，所述光电子半导体器件（1），包括在组件底座，所述安装表面（10），环绕的凹部（9），壳体基体（4），其形成在安装表面（10）的一部分，和至少两个电连接片（2），其也形成在安装表面（10）的一部分，并且不突出超过壳体基体（4）横向。所述凹部（9）在这种情况下达到所述连接件（2）延伸。此外，半导体器件（1）包括至少一个辐射发射光电子半导体芯片（3），它位于所述凹部（9）和连接件（2）的电接触，并在至少一个连接被施加片（2）。此外，至少，在半导体上的屏蔽体组分（1）（5）（3）和壳体基体（4）位于所述半导体芯片，其特征在于，所述屏蔽（5）通过将半导体芯片（3）从所述外壳基体的辐射发射的一个（4）之间盾牌。

16. 发明授权

EP2901479B1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 有权
公开(公告)号：EP2901479B1
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：EP13763262.6
申请日：2013-09-19
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L25/075 , H01L23/00 , H01L25/00 , H01L33/50 , H01L33/54
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/24 , H01L25/50 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00

17. 发明申请

WO2021239443A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2021239443A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：PCT/EP2021/062179
申请日：2021-05-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： B23K1/002 , B23K35/26 , H01L23/00 , H01L23/10 , H01L23/492 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01S5/022 , H01S5/0237
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (100) umfasst dieses einen Schritt A), in dem ein erstes Element (1) und ein zweites Element (2) bereitgestellt werden. Zumindest eines der Elemente umfasst eine elektronische Komponente (3). Die Elemente weisen jeweils eine Verbindungsstelle (10, 20) auf. Auf der Verbindungsstelle zumindest eines Elements ist eine Verbindungsschicht (4) aufgebracht. Auf der Verbindungsstelle zumindest eines Elements ist eine ferromagnetische Schicht (5) aufgebracht. In einem Schritt B) werden das erste Element (1) und das zweite Element (2) aufeinandergelegt, so dass die Verbindungsstellen (10, 20) einander gegenüberliegen und so dass die ferromagnetische Schicht (5) und die Verbindungsschicht (4) übereinander liegen. In einem Schritt C) wird die ferromagnetische Schicht (5) induktiv erwärmt, wobei die Verbindungsschicht (4) aufgeschmolzen wird. In einem Schritt D) wird die Verbindungsschicht (4) ausgehärtet, wodurch das erste Element (1) und das zweite Element (2) stoffschlüssig miteinander verbunden werden.

18. 发明申请

WO2016074891A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VORRICHTUNG MIT EINEM OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其装置的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2016074891A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/EP2015/074353
申请日：2015-10-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/15 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/62
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Emissionsbereich (3), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, und mit einem Schutzdiodenbereich (4) angegeben, wobei - das Halbleiterbauelement einen Kontakt (6) zur externen elekt rischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements (1) aufweist; - der Kontakt einen ersten Kontaktbereich (61) aufweist, der mit dem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden ist; - der Kontakt einen zweiten Kontaktbereich (62) aufweist, der von dem erst en Kontaktbereich beabstandet ist und mit dem Schutzdiodenbereich elektrisch leitend verbunden ist; und - der erste Kontaktbereich und der zweite Kontaktbereich mittels eines gemeinsamen Endes (95) einer Verbindungsleitung (9) extern elektrisch kontaktierb ar sind. Weiterhin wird eine Vorrichtung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement angegeben.
摘要翻译：它是具有发射区域的光电子半导体器件（1）（3）具有第一半导体层（21），第二半导体层（22）和布置在所述第一半导体层和用于产生辐射的第二半导体层之间的半导体层序列（2）设置在有源区（20），并用一个保护二极管区域（4），其特征在于， - 所述半导体器件具有用于半导体器件（1）的外部接触elekt步骤（6）的接触; - 接触具有被导电地与发射区连接的第一接触区（61）; - 接触具有第二接触区域（62），其从第一接触面积S间隔开，并且导电地连接到保护二极管区; 和 - 通过连接线的公共端（95）的装置中的第一接触区域和第二接触区域（9）的外部电kontaktierb是AR。此外，提供了一种装置具有的光电子半导体器件。

19. 发明申请

WO2015124719A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERBAUTEILE UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：用于生产光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2015124719A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/053602
申请日：2015-02-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GÖÖTZ, Britta , SINGER, Frank , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/005 , H01L33/505 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile (100) angegeben, wobei ein Träger (1) mit einer Trägerhauptseite (11) bereitgestellt wird. Ferner werden mehrere vereinzelte optoelektronische Halbleiterchips (2) bereitgestellt, wobei die Halbleiterchips (2) jeweils eine Hauptemissionsseite (21) und eine der Hauptemissionsseite (21) gegenüberliegende Kontaktseite (22) aufweisen. Die vereinzelten Halbleiterchips (2) werden anschließend auf die Trägerhauptseite (11) aufgebracht, sodass jeweils die Kontaktseite (22) der Trägerhauptseite (11) zugewandt ist. In Bereichen zwischen den Halbleiterchips wird ein Maskenrahmen (3) aufgebracht, wobei der Maskenrahmen (3) ein Gitter aus Trennwänden (31) ist. In Draufsicht auf die Trägerhauptseite (11) ist jeder Halbleiterchip (2) ringsum von den Trennwänden (31) umgeben. Die Halbleiterchips (2) werden mit einem Konversionsmaterial (4) so vergossen, dass sich auf den Halbleiterchips (2) jeweils ein Konversionselement (41) bildet. Das Konversionselement (41) bedeckt dabei zumindest teilweise die Hauptemissionsseite (21) des jeweiligen Halbleiterchips (2). Anschließend wird der Träger (1) entfernt. In einem weiteren Schritt werden die optoelektronischen Halbleiterbauteile (100) aus dem Maskenrahmen (3) herausgelöst, wobei der Maskenrahmen (3) zerstört wird.
摘要翻译：提供了一种用于生产具有一个支撑主体侧光电半导体部件（100），一个载体（1）的方法（11）设置。此外，提供了多个独立的光电子半导体芯片（2），其中，所述半导体芯片（2）每一个都具有一个主发光侧（21）和所述接触侧（22）相对的主发射侧（21）中的一个。然后，将单片化的半导体芯片（2）被施加到所述载体主侧（11），以使每个所述接触面（22）面向载体主侧（11）。在半导体芯片之间的区域，一个荫罩框架（3）被施加，其中，所述荫罩框架（3）是分隔壁的网格（31）。在每一个半导体芯片的载体主侧（11）的俯视图（2）是由圆周围的分隔壁（31）。半导体芯片（2）的密封，使得半导体芯片（2）在每种情况下形成的转换元件（41）转换材料（4）。覆盖其至少部分相应的半导体芯片的主发射侧（21）的转换元件（41）（2）。然后，将载体（1）被删除。在进一步的步骤中，荫罩框架（3）的光电子半导体器件（100）被释放时，其特征在于，上述荫罩框架（3）被破坏。

20. 发明申请

WO2015110460A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2015110460A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：PCT/EP2015/051115
申请日：2015-01-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , PLÖSSL, Andreas , RODE, Patrick , NAGEL, Peter , SCHOLZ, Dominik
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/50 , H01L31/02327 , H01L31/147 , H01L31/18 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2224/96 , H01L2933/0033 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder der Halbleiterchips einen Trägerkörper (12) und einen auf einer Oberseite (22) des Trägerkörpers angeordneten Halbleiterkörper (4) aufweist; c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips auf dem Hilfsträger, wobei die Halbleiterchips in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper vom Trägerkörper aus gesehen dem Hilfsträger zugewandt sind; d) Ausbilden einer Streuschicht (18) zumindest in Bereichen zwischen den Halbleiterkörpern benachbarter Halbleiterchips; e) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (20); f) Entfernen des Hilfsträgers (2); und g) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100).
摘要翻译：一种用于制造规定的多个光电子半导体器件（100），包括以下步骤的方法：a）提供一辅助载体（2）; b的）提供多个半导体芯片（10），每个半导体芯片的承载体（12）和一个（在支撑体布置半导体主体（4）的上侧22）; c）中固定在临时载体上的多个半导体芯片，在横向方向（L）的半导体芯片彼此，并且其中所述半导体本体被从面向基座的支撑体看出间隔开; d）形成在相邻的半导体芯片的半导体本体之间的区域的至少一个扩散层（18）; e）形成的复合壳体主体（20）; f）移除所述辅助载体（2）; 和g）复合壳体（切割成多个光电子半导体器件100）的。

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