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11. 发明申请

WO2011101280A1 HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE 审中-公开
标题翻译：半导体二极管及其制造方法半导体二极管
公开(公告)号：WO2011101280A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/EP2011/051925
申请日：2011-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , MAUTE, Markus , REUFER, Martin , ZULL, Heribert
发明人： ALBRECHT, Tony , MAUTE, Markus , REUFER, Martin , ZULL, Heribert
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Eine Halbleiterdiode weist eine ersten Halbleiterschicht (102) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps mit einer Dotierung auf. Die zweite Halbleiterschicht weist einen mit der ersten Halbleiterschicht verbundenen vertikalen Durchkontaktierungsbereich (106) auf, in der die Dotierung derart verändert ist, dass der Durchkontaktierungsbereich (106) den ersten Leitungstyp aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiterdiode beschrieben.
摘要翻译：的半导体二极管包括第一导电类型并且具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层的第一半导体层（102）。所述第二半导体层具有连接到所述第一半导体层通过连接区域（106）垂直，其中所述掺杂发生改变，使得通过具有所述第一导电类型的连接区域（106）的输出。提供了一种制造这种半导体二极管中描述的方法。

12. 发明申请

WO2011009821A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTMITTELS UND LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译：用于生产灯泡和灯具
公开(公告)号：WO2011009821A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060345
申请日：2010-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , MAUTE, Markus , HERRMANN, Siegfried
发明人： HAHN, Berthold , MAUTE, Markus , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/16 , F21K99/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/50
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen einer Vielzahl von Leuchtdioden (4), wobei jede Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger (44) und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper (41, 42, 43) aufweist, jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper (41, 42, 43) getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper (41, 42, 43) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) auf dem strahlungsdurchlässigen Träger (44) angeordnet sind, Bereitstellen eines Chip-Verbundes (1) aus CMOS-Chips (10), wobei jeder CMOS-Chip (10) an seiner Oberseite (10a) zumindest zwei Anschlussstellen (2) aufweist, Verbinden zumindest einer der Leuchtdioden (4) mit einem der CMOS-Chips (10), wobei die Leuchtdiode (4) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) an der Oberseite (10a) des CMOS-Chips (10) angeordnet wird und jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle (2) des CMOS-Chips (10) verbunden wird.
摘要翻译：本发明提供一种方法用于生产荧光物质的方法，包括以下步骤：提供多个发光二极管（4），其中每个发光二极管，包括每一个辐射透射的支撑件（44）和至少两个空间上分离的半导体基体（41，42，43）半导体主体（41，42，43）被设置用于在所述辐射透射支座的顶部（44a）上产生电磁辐射，所述半导体主体（41，42，43）彼此独立地控制，和半导体本体（41，42，43）（44 有）（在辐射透射的支撑件44）被布置，提供了一个芯片复合材料（1）制成的CMOS芯片（10），每个CMOS芯片（10）（在其顶部侧10 a）至少两个连接点（2），连接的发光二极管（4）配有一个CMOS芯片（10）的至少一个，其中所述发光二极管（4）在透射辐射的支撑件（44）的顶部的顶部（44A）（10A ）CMOS芯片（10）的设置，并且每个具有CMOS芯片（2）的结发光二极管的半导体本体（41，42，43）的（10）连接。

13. 发明申请

WO2012171817A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片的多个
公开(公告)号：WO2012171817A2
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/EP2012/060393
申请日：2012-06-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , REUFER, Martin , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony
发明人： REUFER, Martin , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, das zumindest die folgenden Verfahrensschritte umfasst: - Bereitstellen zumindest eines Halbleiterkörpers (1); - Einbringen von zumindest einem Graben (2) mittels zumindest eines Strukturierungsprozesses (3) in den Halbleiterkörper (1), wobei - der Graben (2) in einer vertikalen Richtung (V) die aktive Zone (12) durchbricht; - Anwendung zumindest eines Reinigungsprozesses (4) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2), wobei - der Reinigungsprozess (4) zumindest einen Plasmareinigungsprozess (33) umfasst, und - der Plasmareinigungsprozess (44) eine Anzahl und/oder eine räumliche Ausdehnung von Strukturierungsrückständen (333) an freiliegenden Stellen des Halbleiterkörpers (1) zumindest im Bereich des Grabens (2) zumindest verringert; - Aufbringen zumindest einer Passivierungsschicht (5) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2).
摘要翻译：一种用于制造多个给定光电半导体芯片的方法，包括至少以下步骤： - 提供至少一个半导体本体（1）; - （2）通过在半导体本体的至少一个图案化工艺（3）的装置将至少一个沟槽（1），其中 - 所述槽（2）在垂直方向（V）突破了有源区（12）; - 至少在至少一个清洁过程（4）的应用在半导体本体的暴露的部分（1）在所述沟槽的区域（2），其中 - 所述清洁工艺（4）包括至少一个等离子清洁工艺（33），以及 - 所述等离子清洁工艺（44）包括一个数字和 /或在半导体本体（1）至少在所述沟槽的区域（2）被至少减少外露部分结构化残留物（333）的空间范围; - 在所述沟槽的区域上的半导体主体（1）的外露部分施加至少至少一个钝化层（5）（2）。

14. 发明申请

WO2012136459A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND DERART HERGESTELLTES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和这样的组件MADE
公开(公告)号：WO2012136459A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2012/054598
申请日：2012-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE, Markus , MOOSBURGER, Jürgen , JEREBIC, Simon
发明人： MAUTE, Markus , MOOSBURGER, Jürgen , JEREBIC, Simon
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/486 , H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于制造光电子器件（10）的方法。提供了一种具有合适的活性层用于产生辐射和在载体上的（1）被配置在半导体芯片（2）。在半导体芯片（2）和/或所述支撑件（1），一分散材料（3）至少部分地施加。分散材料（3）包括一基体材料（31）和在其中嵌入的颗粒（32）。中的分散材料（3）的应用程序之前修改一（1）从背离半导体芯片的芯片边缘（22）远离所述承载器（2），使得分散的材料（3）当施加到芯片边缘（22）至少部分地分离成它的组分，此外，在此方式（10）所制造的装置被指定。

15. 发明申请

WO2011012446A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2011012446A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/EP2010/060077
申请日：2010-07-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
发明人： MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0025
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, umfassend - einen Halbleiterkörper (1), der einen ersten (1A) und einen zweiten Bereich (1B) aufweist; - eine aktive Zone (2) innerhalb des Halbleiterkörpers (1), die im Betrieb des Leuchtdiodenchips (100) elektromagnetische Strahlung durch eine Strahlungsauskoppelfläche (11) emittiert, die zumindest stellenweise durch eine erste Hauptfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) gebildet ist; - zumindest einen Graben (3) in dem Halbleiterkörper (1), wobei im Bereich des Grabens Teile des Halbleiterkörpers (1) entfernt sind, wobei - der zumindest eine Graben (3) zumindest bis zur aktiven Zone (2) reicht, - der zumindest eine Graben (3) den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt, und - der zweite Bereich (1B) den zumindest einen Graben (3) und den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt.
摘要翻译：它是指定的发光二极管芯片，包括： - 一个半导体主体（1），具有第一（1A）和第二区域（1B）; - 通过辐射在电磁辐射的LED芯片（100）的操作发出所述半导体主体（1）内的活性区域（2），其通过所述半导体主体（1）的第一主表面（111）形成至少局部地（11）; - 至少一个沟槽（3）在半导体本体（1）与半导体本体的部分（1）的在沟槽的区域中除去， - 所述至少一个沟槽（3），至少直到所述有源区（2）延伸， - 至少的沟槽（3）完全包围在横向方向上的第一区域（1A），以及 - 第二部分（1B）完全包围所述至少一个沟槽（3）和在横向方向上的第一区域（1A）。

16. 发明申请

WO2017009331A1 BAUELEMENT MIT VERBESSERTEN AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN 审中-公开
标题翻译：具有改进的AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN COMPONENT
公开(公告)号：WO2017009331A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066525
申请日：2016-07-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MAUTE, Markus , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , SCHWARZ, Thomas , SABATHIL, Matthias , WIRTH, Ralph , LINKOV, Alexander , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (L) eingerichtet ist. Das Bauelement weist außerdem eine elektrische Kontaktschicht (61) auf einer Strahlungsaustrittsfläche auf, wobei das Bauelement in unmittelbarer Umgebung der elektrischen Kontaktschicht eine Abschirmungsstruktur (4) enthält, die dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf die Kontaktschicht zu verhindern.
摘要翻译：据上述（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2），具有载体的组件（100），其中，具有在装置的操作过程中的活性层（23），该组（L），用于产生电磁辐射的半导体主体是。该装置还包括适于产生从所述接触层上的有源层的电磁辐射所产生的的冲击上的辐射出射表面上的电接触层（61），其中，在所述电接触层的附近，该装置包括一个屏蔽结构（4）预防。

17. 发明申请

WO2014195420A1 LEUCHTDIODE MIT PASSIVIERUNGSSCHICHT 审中-公开
标题翻译：与钝化发光二极管
公开(公告)号：WO2014195420A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/EP2014/061732
申请日：2014-06-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VOM DORP, Sabine , MAUTE, Markus
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/24 , H01L27/156 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer Halbleiterschichtenfolge (130) auf einem Ausgangssubstrat (120) und ein Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (130), wobei eine Halbleiterstruktur (230, 232) in Form einer Erhebung mit einer umlaufenden Mantelfläche (239) ausgebildet wird, indem Material der Halbleiterschichtenfolge (130) in einem die Halbleiterstruktur (230, 232) umgebenden Bereich wenigstens bis zu einer Tiefe entfernt wird, dass die aktive Zone (133) der Halbleiterschichtenfolge (130) an der umlaufenden Mantelfläche (239) freiliegt. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden einer Passivierungsschicht (150), wobei die Passivierungsschicht (150) auf der umlaufenden Mantelfläche (239) der Halbleiterstruktur (230, 232) angeordnet ist, ein Ausbilden einer Anschlussstruktur im Bereich der Halbleiterstruktur (230, 232) mit wenigstens einer Durchkontaktierung (260) nach dem Ausbilden der Passivierungsschicht (150), ein Verbinden der Anschlussstruktur mit einem Trägersubstrat (125), und ein Entfernen des Ausgangssubstrats (120). Die Erfindung betrifft des Weiteren einen optoelektronischen Halbleiterchip.
摘要翻译：本发明涉及一种制造光电半导体芯片的方法。该方法包括形成一个起始衬底（120）上的半导体层序列（130）和图案化所述半导体层序列（130），一个半导体结构（230，232）形成为与外周表面（239）的调查表格，由材料半导体层序列（130）在围绕区域中的至少一个深度的半导体结构（230，232）被移除，该外周面（239）上的半导体层序列（130）的有源区（133）被暴露。该方法还包括形成钝化层（150），其中，所述半导体结构（230，232）的外周面（239）上的钝化层（150）布置，在所述半导体结构（230，232）的区域中的连接结构，其具有至少通孔（260）形成钝化层（150），连接所述连接结构包括支撑衬底（125）;以及去除所述起始衬底（120）之后。本发明还涉及一种光电子半导体芯片。

18. 发明申请

WO2014154503A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER ALD-SCHICHT VERKAPSELT UND ENTSPRECHENDES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：有一层ALD光电子半导体芯片，封装及相应方法用于生产
公开(公告)号：WO2014154503A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2014/055110
申请日：2014-03-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ENGL, Karl , HARTUNG, Georg , MAUTE, Markus
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (10), der einen n-leitenden Bereich (2), einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (4) und einen p-leitenden Bereich (3) umfasst, - einer ersten Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, und - einer Verkapselungsschichtenfolge (20), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, wobei - die erste Spiegelschicht (21) an einer Unterseite des p-leitenden Bereichs (3) angeordnet ist, wobei - die Verkapselungsschichtenfolge (20) den Halbleiterkörper (10) an seiner Außenfläche stellenweise bedeckt, - sich die Verkapselungsschichtenfolge (20) an der Außenfläche des Halbleiterkörpers (10) vom aktiven Bereich (4) entlang dem p-leitenden Bereich (3) bis unterhalb der ersten Spiegelschicht (21) erstreckt und - die Verkapselungsschichtenfolge (20) zumindest eine Verkapselungsschicht (12) umfasst, die eine ALD-Schicht ist oder aus einer ALD-Schicht besteht.
摘要翻译：它是设置有光电子半导体芯片 - 一个半导体本体（10），包括n型区域（2），用于产生电磁辐射有源区（4）提供与p型区（3）， - 一个第一反光镜层（21）被设置用于将电磁辐射的反射，以及 - 其与电绝缘材料，其特征在于，形成的Verkapselungsschichtenfolge（20） - 所述第一反光镜层（21）上（3 p型区域的下侧）被布置，其中， - 所述Verkapselungsschichtenfolge（20）的半导体主体（10）上的地方其外表面上覆盖， - 在Verkapselungsschichtenfolge（20）从该有源区（4）沿着所述p型区域的半导体主体（10）的外表面上（ 3）下面的第一反光镜层（21），以及 - 所述Verkapselungsschichtenfolge（20）包括至少一个密封层（12）具有 ALD层或由ALD层的。

19. 发明申请

WO2015007486A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015007486A1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：PCT/EP2014/063423
申请日：2014-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ENGL, Karl , HARTUNG, Georg , EIBL, Johann , HUBER, Michael , MAUTE, Markus
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2933/0025
摘要： Es wird optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, bei dem eine Verkapselungsschicht (13), die eine ALD-Schicht ist, eine erste Spiegelschicht (21) an ihrer einem p-leitenden Bereich (3) abgewandten Seite vollständig überdeckt und sich stellenweise in direktem Kontakt mit der ersten Spiegelschicht (21) befindet.
摘要翻译：据说光电子半导体芯片，其中包封层（13），其为ALD层，由p型区域（3）侧被完全覆盖和第一组背对的第一反射镜层（21），在与所述直接接触的镜层（21）。

20. 发明申请

WO2014056908A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS AUF GAN-BASIS MITTELS IONENIMPLANTANTION UND ENTSPRECHENDER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：一种用于制造光电子半导体芯片ON GaN基方法的装置IONENIMPLANTANTION和这样的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014056908A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/EP2013/070941
申请日：2013-10-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PETER, Matthias , PERZLMAIER, Korbinian , MAUTE, Markus , BAUR, Johannes , ENGL, Karl , TAEGER, Sebastian , KIESLICH, Albrecht
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26553 , H01L21/2654 , H01L21/26586 , H01L29/2003 , H01L33/0066 , H01L33/305 , H01L33/325
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Es umfasst das Verfahren die folgenden Schritte : - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), - Erzeugen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf dem Aufwachssubstrat (2), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) eine n-Seite (31), eine p-Seite (33) und eine zu einer Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (33) aufweist und die aktive Schicht (32) zwischen der p-Seite (33) und der n-Seite (31) angeordnet ist und sich die n-Seite (31) dem Aufwachssubstrat (2) am Nächsten befindet, und - Dotieren der n-Seite (31) durch die aktive Schicht (32) hindurch mittels Ionenimplantation.
摘要翻译：在至少一个实施例中，当建立用于制造光电子半导体芯片（1）的方法。该方法包括以下步骤： - 提供在生长衬底（2）， - 制备生长衬底（2），其中，所述半导体层序列（3）的n侧（31），p侧上的半导体层序列（3）（33 有），并提供给产生辐射的有源层（33）和p侧（33）和n侧（31之间的活性层（32））和n侧（31）（所述生长衬底 2）位于邻居，以及 - 通过离子注入的方式掺杂通过有源层（32）n侧（31）。

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