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11. 发明专利

TW201419386A 電漿摻雜裝置、電漿摻雜方法及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：等离子掺杂设备、等离子掺杂方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201419386A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102135469
申请日：2013-10-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 小林勇氣 , KOBAYASHI, YUUKI , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/223 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/22 , H01L21/2236 , H01L21/67011 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L29/66803
摘要：提供一種電漿摻雜裝置，係對進行摻雜前之形狀，不會使得進行摻雜後之形狀有大幅變化，且可進行具有良好成膜性(conformality)之電漿摻雜，即便在之後的洗淨工序中，因摻雜所植入之摻雜物仍幾乎不會脫離。電漿摻雜裝置所具備之控制部會以處理容器內之壓力為第一壓力之方式控制壓力調整機構，以供給至保持台之偏壓電力為第一偏壓電力之方式控制偏壓電力供給機構，藉由電漿產生機構所產生之電漿在被處理基板進行第一電漿處理，在第一電漿處理後，以處理容器內之壓力會高於第一壓力而成為第二壓力之方式控制壓力調整機構，以供給至保持台之偏壓電力會較第一偏壓電力低而成為第二偏壓電力之方式控制偏壓電力供給機構，藉由電漿產生機構所產生之電漿在被處理基板進行第二電漿處理。
简体摘要：提供一种等离子掺杂设备，系对进行掺杂前之形状，不会使得进行掺杂后之形状有大幅变化，且可进行具有良好成膜性(conformality)之等离子掺杂，即便在之后的洗净工序中，因掺杂所植入之掺杂物仍几乎不会脱离。等离子掺杂设备所具备之控制部会以处理容器内之压力为第一压力之方式控制压力调整机构，以供给至保持台之偏压电力为第一偏压电力之方式控制偏压电力供给机构，借由等离子产生机构所产生之等离子在被处理基板进行第一等离子处理，在第一等离子处理后，以处理容器内之压力会高于第一压力而成为第二压力之方式控制压力调整机构，以供给至保持台之偏压电力会较第一偏压电力低而成为第二偏压电力之方式控制偏压电力供给机构，借由等离子产生机构所产生之等离子在被处理基板进行第二等离子处理。

12. 发明专利

TWI428980B 半導體裝置之製造方法及電漿化學氣相沉積處理方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法及等离子化学气相沉积处理方法
公开(公告)号：TWI428980B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW097130369
申请日：2008-08-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01L21/02274 , H01L21/31055 , H01L21/31116

13. 发明专利

TW201407669A 向被處理體注入摻雜物之方法以及電漿摻雜裝置审中-公开
简体标题：向被处理体注入掺杂物之方法以及等离子掺杂设备
公开(公告)号：TW201407669A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102115341
申请日：2013-04-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 山崎政宏 , YAMAZAKI, MASAHIRO , 根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32449 , H01J2237/31705 , H01J2237/3365 , H01L21/2225
摘要：本發明提供一種於被處理基體植入摻雜物之方法。一實施型態之方法包含以下工序：(a)於處理容器內準備被處理基體之工序；(b)對處理容器內供應含有AsH3之摻雜氣體、非活性氣體、及H2氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量，而於被處理基體植入摻雜物之工序。植入摻雜物之工序中，處理容器內之氫的分壓相對於氣體的全壓之比設定為0.0015以上0.003以下。
简体摘要：本发明提供一种于被处理基体植入掺杂物之方法。一实施型态之方法包含以下工序：(a)于处理容器内准备被处理基体之工序；(b)对处理容器内供应含有AsH3之掺杂气体、非活性气体、及H2气体，且对该处理容器内赋予等离子激发能量，而于被处理基体植入掺杂物之工序。植入掺杂物之工序中，处理容器内之氢的分压相对于气体的全压之比设置为0.0015以上0.003以下。

14. 发明专利

TW201405634A 成膜方法、成膜裝置及成膜系統审中-公开
简体标题：成膜方法、成膜设备及成膜系统
公开(公告)号：TW201405634A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102114365
申请日：2013-04-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/513
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/511 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/2236 , H01L21/324 , H01L29/42392 , H01L29/66795 , H01L29/78696
摘要：本發明之一實施形態的成膜方法係包含下述工程：(a)對其內部配置有被處理基體之處理容器內供給半導體材料之第1前驅物氣體的工程，使第1前驅物氣體吸附於被處理基體；(b)對處理容器內供給摻雜物材料之第2前驅物氣體的工程，使第2前驅物氣體吸附於被處理基體；以及(c)在處理容器內產生反應氣體電漿的工程，實施電漿處理以針對吸附於被處理基體之層進行改質。
简体摘要：本发明之一实施形态的成膜方法系包含下述工程：(a)对其内部配置有被处理基体之处理容器内供给半导体材料之第1前驱物气体的工程，使第1前驱物气体吸附于被处理基体；(b)对处理容器内供给掺杂物材料之第2前驱物气体的工程，使第2前驱物气体吸附于被处理基体；以及(c)在处理容器内产生反应气体等离子的工程，实施等离子处理以针对吸附于被处理基体之层进行改质。

15. 发明专利

TW201013781A 氧化矽膜之成膜方法、氧化矽膜、半導體裝置以及半導體裝置之製造方法 FILM FORMING METHOD OF SILICON OXIDE FILM, SILICON OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：氧化硅膜之成膜方法、氧化硅膜、半导体设备以及半导体设备之制造方法 FILM FORMING METHOD OF SILICON OXIDE FILM, SILICON OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201013781A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098115611
申请日：2009-05-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 田中義伸 , 大澤佑介 , 野澤俊久 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/76224 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/28273 , H01L21/31612
摘要：本發明係將矽化合物氣體、氧化性氣體、以及稀有氣體供給至電漿處理裝置(1)之處理室(2)內，再將微波供給至該處理室(2)內，並藉由該微波所產生之電漿而於目標基板上形成氧化矽膜。該稀有氣體之分壓比係佔該矽化合物氣體、該氧化性氣體、以及該稀有氣體之總氣體壓力的10％或以上，並且該矽化合物氣體與該氧化性氣體之有效流率比（氧化性氣體/矽化合物氣體）係不小於3且不大於11。
简体摘要：本发明系将硅化合物气体、氧化性气体、以及稀有气体供给至等离子处理设备(1)之处理室(2)内，再将微波供给至该处理室(2)内，并借由该微波所产生之等离子而于目标基板上形成氧化硅膜。该稀有气体之分压比系占该硅化合物气体、该氧化性气体、以及该稀有气体之总气体压力的10％或以上，并且该硅化合物气体与该氧化性气体之有效流率比（氧化性气体/硅化合物气体）系不小于3且不大于11。

16. 发明专利

TW201203366A 成膜方法、半導體元件之製造方法、絕緣膜及半導體元件审中-公开
简体标题：成膜方法、半导体组件之制造方法、绝缘膜及半导体组件
公开(公告)号：TW201203366A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100120940
申请日：2011-06-15
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 田中宏治 , 田中義伸 , 大澤佑介
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01J37/3222 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L21/823878 , H01L29/7833
摘要：一種成膜方法，首先將成為半導體元件之基礎之被處理基板W保持於保持台34上。其次，使原料氣體吸附至被處理基板W上(圖6(A))。然後，為了去除剩餘吸附之吸附氣體並進行氣體置換，而進行處理容器32內之排氣(圖6(B))。排氣後，使用微波進行電漿氮化處理(圖6(C))。電漿氮化處理結束後，為了去除氨氣等並進行氣體置換，而對處理容器32內進行排氣(圖6(D))。反覆進行上述步驟(A)~步驟(D)之一連串之流程，直至成為所需之膜厚為止。
简体摘要：一种成膜方法，首先将成为半导体组件之基础之被处理基板W保持于保持台34上。其次，使原料气体吸附至被处理基板W上(图6(A))。然后，为了去除剩余吸附之吸附气体并进行气体置换，而进行处理容器32内之排气(图6(B))。排气后，使用微波进行等离子氮化处理(图6(C))。等离子氮化处理结束后，为了去除氨气等并进行气体置换，而对处理容器32内进行排气(图6(D))。反复进行上述步骤(A)~步骤(D)之一连串之流程，直至成为所需之膜厚为止。

17. 发明专利

TW201125035A 成膜方法、半導體元件製造方法、絕緣膜以及半導體元件审中-公开
简体标题：成膜方法、半导体组件制造方法、绝缘膜以及半导体组件
公开(公告)号：TW201125035A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099131352
申请日：2010-09-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 大澤佑介 , 堀入正弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L29/66181
摘要：本發明係關於一種成膜方法、半導體元件製造方法、絕緣膜以及半導體元件。成膜方法首先係使得做為半導體元件基礎之被處理基板保持於保持台上。其次，於被處理基板上吸附成膜氣體(圖6(A))。之後，為了去除剩餘吸附之成膜氣體，進行處理容器32內之排氣(圖6(B))。排氣後，以微波進行電漿處理(圖6(C))。於電漿處理結束後，為了去除未反應之反應氣體等，進行處理容器32內之排氣(圖6(D))。此步驟(A)～步驟(D)之一連串流程係反覆進行直到成為所希望之膜厚為止。
简体摘要：本发明系关于一种成膜方法、半导体组件制造方法、绝缘膜以及半导体组件。成膜方法首先系使得做为半导体组件基础之被处理基板保持于保持台上。其次，于被处理基板上吸附成膜气体(图6(A))。之后，为了去除剩余吸附之成膜气体，进行处理容器32内之排气(图6(B))。排气后，以微波进行等离子处理(图6(C))。于等离子处理结束后，为了去除未反应之反应气体等，进行处理容器32内之排气(图6(D))。此步骤(A)～步骤(D)之一连串流程系反复进行直到成为所希望之膜厚为止。

18. 发明专利

TW201006955A 噴氣環、半導體基板處理裝置及半導體基板處理方法审中-公开
简体标题：喷气环、半导体基板处理设备及半导体基板处理方法
公开(公告)号：TW201006955A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098119629
申请日：2009-06-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 田中義伸 , 大塚康弘 , 中橋政信
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4558
摘要：本發明係提供一種可使得氣體自各氣體噴出口均勻噴出的噴氣環，其中噴氣環為環狀，並具有自外部將氣體導入至噴氣環內的氣體導入口、將自氣體導入口所導入之氣體噴出的複數個氣體噴出口、以及沿著自氣體導入口處到各氣體噴出口之間環狀延伸的複數個分叉路徑。其中，自各氣體噴出口處到成為各分叉路徑之分叉點的中央部之間的距離係分別相等的。
简体摘要：本发明系提供一种可使得气体自各气体喷出口均匀喷出的喷气环，其中喷气环为环状，并具有自外部将气体导入至喷气环内的气体导入口、将自气体导入口所导入之气体喷出的复数个气体喷出口、以及沿着自气体导入口处到各气体喷出口之间环状延伸的复数个分叉路径。其中，自各气体喷出口处到成为各分叉路径之分叉点的中央部之间的距离系分别相等的。

19. 发明专利

TW201101391A 矽氧化膜之成膜方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：硅氧化膜之成膜方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201101391A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099104531
申请日：2010-02-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 大澤佑介 , 田中義伸
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J2237/2001 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L29/51 , H01L29/7833
摘要：矽氧化膜之成膜方法係包含有:在保持有被處理基板的保持台之表面溫度維持在300℃以下的狀態下,將矽化合物氣體、氧化性氣體及稀有氣體供給至處理容器內,並在處理容器內產生微波電漿而於被處理基板上形成矽氧化膜的步驟;以及將氧化性氣體及稀有氣體供給至處理容器內,並在處理容器內產生微波電漿而針對形成於被處理基板上的矽氧化膜進行電漿處理的步驟。
简体摘要：硅氧化膜之成膜方法系包含有:在保持有被处理基板的保持台之表面温度维持在300℃以下的状态下,将硅化合物气体、氧化性气体及稀有气体供给至处理容器内,并在处理容器内产生微波等离子而于被处理基板上形成硅氧化膜的步骤;以及将氧化性气体及稀有气体供给至处理容器内,并在处理容器内产生微波等离子而针对形成于被处理基板上的硅氧化膜进行等离子处理的步骤。

20. 发明专利

TW201251005A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201251005A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101102887
申请日：2012-01-30
申请人：國立大學法人東北大學 , 下一代動力設備技術研究組合 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：寺本章伸 , 神林宏 , 上田博一 , 兩角友一朗 , 原田豪繁 , 長谷部一秀 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02274 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/0254 , H01L21/28264 , H01L23/564 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明旨在提供一種半導體裝置之製造方法,該半導體裝置具有構成半導體層之GaN(氮化鎵),其中,該半導體裝置之製造方法包含閘絕緣膜形成程序(F),該閘絕緣膜形成程序在具有GaN之氮化物層上,使用微波電漿,形成SiO2膜及Al2O3膜所構成之群組中至少一者,以形成之膜作為閘絕緣膜至少一部分。
简体摘要：本发明旨在提供一种半导体设备之制造方法,该半导体设备具有构成半导体层之GaN(氮化镓),其中,该半导体设备之制造方法包含闸绝缘膜形成进程(F),该闸绝缘膜形成进程在具有GaN之氮化物层上,使用微波等离子,形成SiO2膜及Al2O3膜所构成之群组中至少一者,以形成之膜作为闸绝缘膜至少一部分。

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