专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

JP2018060975A 直接変調レーザ审中-公开
公开(公告)号：JP2018060975A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016199342
申请日：2016-10-07
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小林亘 , 長谷部浩一 , 進藤隆彦 , 藤原直樹
IPC分类号： H01S5/50 , H01S5/12 , H01S5/026 , H01S5/042
摘要：【課題】高速動作と高い光出力とを同時に実現することができる直接変調レーザを提供する。【解決手段】直接変調レーザは、DFB(分布帰還型)レーザ101と、DFBレーザの出射端に形成されたSOA(半導体光増幅器)103と、DFBに交流成分信号および直流成分信号の重畳信号を与えるとともに、SOAに直流成分信号のみを与える駆動回路106とを含む。【選択図】図1

12. 发明专利

JP2018011023A 波長可変半導体レーザ审中-公开
公开(公告)号：JP2018011023A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2016140503
申请日：2016-07-15
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：金井拓也 , 藤原直樹 , 石井啓之
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/125
摘要：【課題】2μm帯で高速に動作する波長可変レーザを実現する。【解決手段】分布ブラッグ反射型波長可変半導体レーザにおいて、半導体基板202の上に形成された、下部障壁層、歪多重量子井戸層および上部障壁層を含み、バンドギャップ波長が1.7〜2.4μmの歪多重量子井戸構造を有する活性層204と、光の導波方向に前記活性層を挟んで配置され、制御電流の注入により屈折率が変化する第1および第2の制御層(203,205)とを備えた。【選択図】図2

13. 发明专利

JP2017207664A スクリーン形成装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017207664A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016100680
申请日：2016-05-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：佐々木雄三 , ソンホジン , 望月章志 , 忠永修 , 瀬川徹 , 藤原直樹 , 小野満恒二 , 太田剛 , 芳賀恒之
IPC分类号： B05B1/20 , B05B1/28 , G03B21/608
摘要：【課題】大型のフォグスクリーンを生成することができるスクリーン形成装置を提供すること。【解決手段】スクリーン形成装置100は、液体窒素タンク101、液体窒素を噴射するN 2 噴射用ループパイプ102、水タンク103、フォグ発生ノズル104、ファン105からなる。ファン105の送風方向に気化された液体窒素が噴射されるN 2 噴射用ループパイプ102が配置されている構造となっている。噴射される窒素は噴射時に全てが気化していなくてもよく、液体で噴射され空気中で気化してもよい。フォグ発生ノズルおよびファン105からなるフォグ発生部は、水タンク103に蓄えられている水を昇圧ポンプにて昇圧し、ファンの周辺部に配置されたノズルから霧が噴霧することができる。【選択図】図2

14. 发明专利

JP2017098342A 波長多重光送信器有权
公开(公告)号：JP2017098342A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2015227021
申请日：2015-11-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小林亘 , 伊藤敏夫 , 藤原直樹
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/12 , G02F1/025 , H01S5/50
摘要：【課題】本発明は、DFBレーザの単位長あたりの電流量を増やすことなく、lane間のDFBレーザの光出力のばらつきが抑制された波長多重光送信器を提供する。【解決手段】本発明の波長多重光送信器は、SOA集積EA−DFBであって、DFBレーザと、前記DFBレーザに接続されたEA変調器と、前記EA変調器に接続されたSOAと、を含む、複数のSOA集積EA−DFBと、前記複数のSOA集積EA−DFBの各々の前記SOAから出射された複数の信号光を合波して波長多重光を出力する光合波器と、を備え、前記複数のSOA集積EA−DFBにおける前記DFBレーザの発振波長及び前記SOAの利得はそれぞれ異なり、前記複数のSOA集積EA−DFBにおいて、利得が比較的小さいSOAの長さは比較的長く、利得が比較的大きいSOAの長さは比較的短いことを特徴とする。【選択図】図1

20. 发明专利

JP2019197194A 半導体デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2019197194A
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2018092542
申请日：2018-05-11
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：藤原直樹 , 上田悠太 , 進藤隆彦
IPC分类号： H01S5/042 , G02F1/017
摘要：【課題】有機材料上に絶縁膜を介して配置され、かつ、有機材料から絶縁膜と共に剥離しにくい電極を備えた半導体デバイスを提供すること。【解決手段】位相シフト用電極121および変調用電極122のパッド部分を含む領域の絶縁膜118は、位相シフト用電極121および変調用電極122のパッド部分の中央部に開口を有するが、その縁部分には位相シフト用電極121および変調用電極122上にも形成されている。このように、位相シフト用電極121および変調用電極122と絶縁膜116との接着端は、大気に露出しないよう全て絶縁膜118によって覆われている。作製過程で絶縁膜116に発生するクラックをSiO 2 やSiN X、 SiON X といった絶縁膜118で塞ぐことで、工程中に用いるアセトンやエタノールといった有機溶剤が絶縁膜116のクラックから有機材料114との間に浸入することを防止することができる。【選択図】図7

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB