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    • 4. 发明专利
    • 半導体受光検出回路、光回路および無反射開放端部
    • 半导体受光检测电路,光电路和非反射开口端
    • JP2016206429A
    • 2016-12-08
    • JP2015088206
    • 2015-04-23
    • 日本電信電話株式会社
    • 佐藤 俊哉高橋 亮瀬川 徹
    • G02F1/025H01L31/0232H01L31/10G02F2/00
    • 【課題】光回路への反射戻り光を抑制する。 【解決手段】半導体受光検出回路は、光導波路a3−inと、受光検出部g1と、光導波路a3−outと、光導波路a3−outから出射される信号光の出射方向に対して傾いた反射面を有するミラーr1とを備える。受光検出部g1は、逆バイアスが印加されたときに光導波路a3−inから入射した信号光の少なくとも一部を吸収して電流に変換し、逆バイアスが印加されないときには光導波路a3−inから入射した信号光を透過させる。光導波路a3−outは、受光検出部g1を通過した信号光の伝搬方向に向かって導波路幅が先細りとなるテーパー構造を有する。ミラーr1は、光導波路a3−outから出射される信号光の出射方向の延長上に設けられ、この信号光を半導体基板の上方向または下方向に反射させる。 【選択図】 図2
    • 本发明涉及抑制光反射回光电路。 一种半导体受光检测电路,和光波导A3-中,光检测单元G1,倾斜光波导A3输出,相对于从光波导A3出反射器发出的信号光的出射方向 和具有表面的反射镜R1。 光检测部G1,当施加反向偏压时,当没有从所述光波导施加入射反向偏压转换为电流通过至少从光波导A3-在吸收入射的信号光的一部分A3-在 并发送该信号光。 波导A3出具有朝向通过光接收检测器G1传递的信号光的传播方向上的锥形结构波导宽度是锥形的。 镜R1被设置在从光波导A3出发射的信号光的出射方向的延长线上,并反射或向下所述半导体衬底的方向上的信号光。 .The
    • 5. 发明专利
    • 光スイッチ
    • JP5945034B1
    • 2016-07-05
    • JP2015104134
    • 2015-05-22
    • 日本電信電話株式会社
    • 村中 勇介瀬川 徹高橋 亮
    • G02F1/313
    • 【課題】高速なスイッチングを可能とすると共に、駆動回路を含めた消費電力が極めて低い光スイッチを提供する。 【解決手段】1個の光入力ポートと、2以上の整数であるN個の光出力ポートとを有する光スイッチにおいて、光入力ポートに入力された信号光が導波する光導波路をN個に分岐する分岐素子と、N個の光出力ポートに各々設けられ、信号光の通過又は遮断を行う光吸収ゲートD 11 と、トランジスタT 11 を用いたインバータ回路72から構成され、吸収ゲートD 11 を各々ノーマリオフ動作させるN個の駆動回路とを有し、分岐素子、吸収ゲートD 11 及び駆動回路とを同一の半導体基板上に集積させると共に、分布定数線路のLVDS終端回路71からの制御信号により、駆動回路のトランジスタT 11 のゲートをオン又はオフ動作させる。 【選択図】図7
    • 10. 发明专利
    • 光スイッチ
    • JP2017049389A
    • 2017-03-09
    • JP2015171664
    • 2015-09-01
    • 日本電信電話株式会社
    • 村中 勇介石川 裕士瀬川 徹高橋 亮
    • G02F1/313
    • 【課題】高速なスイッチングを可能とすると共に、駆動回路を含めた消費電力が極めて低い光スイッチを提供する。 【解決手段】1個の入力光導波路と、分岐素子と、N個の出力光導波路とを有する光スイッチにおいて、出力光導波路に各々設けられ、2つの電極による電界の印加により、信号光の通過又は遮断を行う光吸収ゲートD 11 と、2つの電極に印加される電圧を、キャパシタCを用いて制御するインバータ回路72とを有し、入力光導波路、出力光導波路、分岐素子、光吸収ゲートD 11 及びインバータ回路72を同一の半導体基板上に集積させると共に、LVDS終端回路71からの制御信号により、光吸収ゲートD 11 の状態を切り替えるときのみ、キャパシタCの充電又は放電を行い、充電後又は放電後のキャパシタCの電位を用いて、光吸収ゲートD 11 を電界無印加状態又は電界印加状態にして、信号光の通過又は遮断を行う。 【選択図】図7