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11. 发明专利

JP2012248572A Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method 审中-公开
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2012248572A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：JP2011117039
申请日：2011-05-25
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , MIURA NARIHISA , HINO SHIRO , OTSUKA KENICHI , KOSHO TOMOAKI , KUROIWA TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor device which can inhibit breakage of an interlayer insulation film in thinning.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a substrate 10 composed of a material having first rigidity; a drift layer 11 provided on a first principal surface 10a of the substrate 10; a gate electrode 70 formed on the drift layer 11 via an insulation film 60; and an interlayer insulation film 80 formed so as to cover the gate electrode 70 and composed of a material having second rigidity lower than the first rigidity. A total thickness of the substrate 10 and the drift layer 11 is not more than 200 μm. In the interlayer insulation film 80, a polygonal or elliptical or circular opening 90 with all interior angles being larger than 90° when viewed from above.
摘要翻译：要解决的问题：获得能够抑制层间绝缘膜在变薄中的破坏的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：由具有第一刚性的材料构成的衬底10; 设置在基板10的第一主表面10a上的漂移层11; 通过绝缘膜60形成在漂移层11上的栅电极70; 以及层间绝缘膜80，其形成为覆盖栅电极70，并且由具有低于第一刚性的第二刚性的材料构成。基板10和漂移层11的总厚度不大于200μm。在层间绝缘膜80中，当从上方观察时，具有大于90°的所有内角的多边形或椭圆形或圆形的开口90。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

12. 发明专利

JP2012099752A Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2012099752A
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：JP2010248240
申请日：2010-11-05
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKABE HIROAKI , TARUYA MASAYOSHI
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device, capable of reducing maintenance frequency of thermal treatment equipment and obtaining low resistance of an ohmic contact while preventing the roughness of an electrode surface.SOLUTION: An Al-Ti alloy 11 is accumulated on a P-type SiC layer 10 as an electrode material, a protection film 12 of TiN is formed on the alloy. After that, heat treatment is performed at temperature exceeding a fusion point of Al, the Al-Ti alloy 11 reacts with the P-type SiC layer 10 to be alloyed, and an ohmic contact of an electrode and the P-type SiC layer 10 is obtained. The evaporation and dispersion of Al from the Al-Ti alloy 11 is prevented by the protection film 12 in the heat treatment.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够降低热处理设备的维护频率并获得低电阻的欧姆接触的碳化硅半导体器件的制造方法，同时防止电极表面的粗糙度。解决方案：Al-Ti合金11作为电极材料堆积在P型SiC层10上，在合金上形成TiN保护膜12。之后，在超过Al的熔点的温度下进行热处理，Al-Ti合金11与P型SiC层10反应进行合金化，电极和P型SiC层10的欧姆接触获得。在热处理中，由保护膜12防止Al从Al-Ti合金11的Al的蒸发和分散。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

13. 发明专利

JP2012017502A Carbon film deposition system 有权
标题翻译：碳膜沉积系统
公开(公告)号：JP2012017502A
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2010155793
申请日：2010-07-08
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKABE HIROAKI , SAWADA TAKAO
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a carbon film deposition system with high productivity, needing less decomposition cleaning of a device to be done regularly to remove by-products.SOLUTION: The carbon film deposition system includes: a raw material gas introduction pipe 13 for introducing a raw material gas that contains carbon; a deposition chamber 7 for thermally decompose the raw material gas introduced from the raw material gas introduction pipe 13 to deposit a carbon film on a surface of a substrate 11; a reaction chamber 18 that is connected with the deposition chamber 7 and reacts an oxygen gas and an exhaust gas discharged from the deposition chamber 7; an oxygen gas introduction pipe 21 for introducing the oxygen gas into a reaction chamber 18; and a discharge pump 23 connected with the reaction chamber 18 to position downstream than the reaction chamber 18 in the flow direction of the exhaust gas.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供高生产率的碳膜沉积系统，需要对定期进行的装置的较少的分解清洗以除去副产物。解决方案：碳膜沉积系统包括：用于引入含有碳的原料气体的原料气体导入管13; 沉积室7，用于对从原料气体导入管13导入的原料气体进行热分解，在基板11的表面上沉积碳膜; 反应室18，其与沉积室7连接并且使从沉积室7排出的氧气和废气反应; 用于将氧气引入反应室18的氧气导入管21; 以及与反应室18连接以在排气的流动方向上比反应室18下游位置的排出泵23。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

14. 发明专利

JP2011023431A Method of fabricating silicon carbide semiconductor device 审中-公开
标题翻译：制备碳化硅半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2011023431A
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：JP2009165203
申请日：2009-07-14
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKABE HIROAKI
IPC分类号： H01L21/265 , C23C16/26 , H01L21/314 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of fabricating a silicon carbide semiconductor device, wherein source gas can be supplied without requiring a vaporizer, production of tar components that hinders cleaning in an annealing furnace is inhibited at the low temperature part in the furnace by stabilizing the deposition rate and forming a high quality carbon film, and the quality of the silicon carbide semiconductor device is stabilized while improving the yield. SOLUTION: A carbon protective film 6 is formed on the entire surface of a silicon carbide wafer WF by chemical vapor deposition while using carbon monoxide as the source gas. More specifically, a deposition device is evacuated by means of a vacuum pump and after removing the residual oxygen as much as possible, the interior of the deposition apparatus is heated under reduced pressure to have a temperature in the range of 500-1,000°C while feeding inert gas such as Ar or He. When this temperature is reached, inflow of the inert gas is stopped, and carbon monoxide is made to flow into the deposition apparatus as the source gas thus forming the carbon protective film 6 on the entire surface of the silicon carbide wafer WF. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种制造碳化硅半导体器件的方法，其中可以不需要蒸发器来供应源气体，在低温部分抑制在退火炉中阻碍清洁的焦油成分的产生被抑制该炉通过稳定沉积速率并形成高质量的碳膜，并且在提高产率的同时使碳化硅半导体器件的质量稳定。解决方案：使用一氧化碳作为源气体，通过化学气相沉积在碳化硅晶片WF的整个表面上形成碳保护膜6。更具体地，通过真空泵将沉积装置抽真空，并且尽可能多地除去残留的氧气后，将沉积装置的内部在减压下加热至500-1,000℃的温度，同时喂入惰性气体如Ar或He。当达到该温度时，停止惰性气体的流入，并使一氧化碳作为源碳气体流入沉积设备，从而在碳化硅晶片WF的整个表面上形成碳保护膜6。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

15. 发明专利

DE112015006381T5 HALBLEITEREINHEIT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN 未知
公开(公告)号：DE112015006381T5
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：DE112015006381
申请日：2015-11-27
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YOSHIDA MOTORU , OKABE HIROAKI , SUGAHARA KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/312 , H01L21/318 , H01L21/3205 , H01L21/329 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinheit weist Folgendes auf: einen Prozess, bei dem eine Cu Verdrahtungselektrode (17) mittels eines Plattierungs-Verfahrens oberhalb eines Halbleiterelements (18) gebildet wird, das einen Halbleiter mit großer Bandlücke als ein Basismaterial verwendet; einen Reduktionsprozess, bei dem die Cu Verdrahtungselektrode (17) unter einer NH3-Atmosphäre reduziert wird; einen Heizprozess, bei dem die Cu Verdrahtungselektrode (17) gleichzeitig mit dem Reduktionsprozess geheizt wird; einen Prozess, bei dem nach dem Heizprozess eine Diffusionsverhinderungsschicht (11) gebildet wird, welche die Cu Verdrahtungselektrode (17) bedeckt; sowie einen Abdichtungsprozess, bei dem die Diffusionsverhinderungsschicht (11) mit einer Schicht (10) aus organischem Harz bedeckt wird.

16. 发明专利

DE112014006567T5 Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung sowie Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112014006567T5
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：DE112014006567
申请日：2014-04-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKANISHI YOSUKE , OKABE HIROAKI , SUGAHARA KAZUYUKI , TOMINAGA TAKAAKI , YOSHIDA MOTORU
IPC分类号： H01L21/28
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung angegeben, mit welchem der Anstieg der Anzahl von Herstellungsschritten unterbunden wird, und welches dazu imstande ist, die Verschlechterung der ohmschen Eigenschaften einer Legierungsschicht in Bezug auf ein Halbleitersubtrat zu unterbinden. Das Verfahren zum Herstellen einer Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung weist die folgenden Schritte auf: Ausbilden einer Metallschicht (30), die aus einem ersten Metall gebildet ist, auf einem Halbleitersubtrat (11), das aus Siliciumcarbid gebildet ist; Ausbilden einer Metallnitridschicht (40) auf der Metallschicht (30), wobei die Metallnitridschicht (40) erhalten wird, indem ein zweites Metall nitriert wird; Lenken von Laserlicht durch die Metallnitridschicht (40), um eine Schicht (31) einer Legierung aus dem Siliciumcarbid in dem Halbleitersubtrat (11) und dem ersten Metall in der Metallschicht (30) auszubilden; und Ausbilden einer Elektrode (20) auf der Metallnitridschicht (40).

17. 发明专利

DE112015001850T5 Halbleitereinheit 未知
公开(公告)号：DE112015001850T5
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：DE112015001850
申请日：2015-02-16
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： ENDO KAZUYO , FUJITA JUN , YOSHIDA MOTORU , OKABE HIROAKI , SUGAHARA KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/329 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要： Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung einer Halbleitereinheit, die in der Lage ist, eine Oxidation einer Cu-Verdrahtung auch während eines Betriebs bei einer hohen Temperatur zu verhindern. Eine Halbleitereinheit gemäß der vorliegenden Erfindung weist Folgendes auf: ein Halbleitersubstrat (1), das eine Hauptoberfläche aufweist, eine Cu-Elektrode (8), die selektiv auf einer Seite der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist, eine Antioxidationsmittel-Schicht (14), die auf einer oberen Oberfläche der Cu-Elektrode (8) mit Ausnahme eines Endbereichs derselben ausgebildet ist, eine organische Harzschicht (10), die auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und eine seitliche Oberfläche der Cu-Elektrode (8) und den Endbereich der oberen Oberfläche derselben bedeckt, sowie eine Schicht (11) zur Diffusions-Verhinderung, die zwischen der organischen Harzschicht (10) und der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) und zwischen der organischen Harzschicht (10) und der seitlichen Oberfläche und dem Endbereich der oberen Oberfläche der Cu-Elektrode (8) ausgebildet ist, wobei sie sich mit diesen in Kontakt befindet.

18. 发明专利

DE112017002530T5 HALBLEITEREINHEIT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN 未知
公开(公告)号：DE112017002530T5
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：DE112017002530
申请日：2017-04-25
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： OKABE HIROAKI , NAKANISHI YOSUKE
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： Eine Elektrode (1) ist auf einer Halbleiterschicht (11) angeordnet. Eine Polyimid-Schicht (12) weist eine Öffnung auf, die auf der Elektrode (1) angeordnet ist, bedeckt den Rand der Elektrode (1) und erstreckt sich bis auf die Elektrode (1). Eine Kupfer-Schicht (13) ist innerhalb der Öffnung (OP) auf der Elektrode (1) angeordnet und befindet sich entfernt von der Polyimid-Schicht (12) auf der Elektrode (1). Das eine Ende eines Kupfer-Drahts (14) ist mit der Oberfläche der Kupfer-Schicht (13) verbunden.

19. 发明专利

DE112017001788T5 Halbleitereinheit, Verfahren zur Herstellung derselben und Leistungswandler 未知
公开(公告)号：DE112017001788T5
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：DE112017001788
申请日：2017-02-02
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： SUGAHARA KAZUYUKI , OKABE HIROAKI , YOSHIDA MOTORU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/739
摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitereinheit, die Folgendes aufweist: eine Halbleiterschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, einen ersten Halbleiterbereich, der in einem oberen Schichtbereich der Halbleiterschicht angeordnet ist, einen zweiten Halbleiterbereich, der in einem oberen Schichtbereich des ersten Halbleiterbereichs angeordnet ist, eine Gate-Isolierschicht, eine Gate-Elektrode, eine erste Hauptelektrode, die auf einer Zwischenisolierschicht angeordnet ist, welche die Gate-Elektrode bedeckt, und die über ein Kontaktloch mit dem zweiten Halbleiterbereich elektrisch verbunden ist, sowie eine zweite Hauptelektrode, die auf einer zweiten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Die erste Hauptelektrode weist eine darunterliegende Elektrodenschicht auf, die über das Kontaktloch mit dem zweiten Halbleiterbereich verbunden ist, und weist eine Kupfer-Schicht auf, die auf der darunterliegenden Elektrodenschicht angeordnet ist. Die Kupfer-Schicht weist zumindest einen Bereich auf, der als eine Spannungsrelaxationsschicht dient, die eine kleinere Kornabmessung als der andere Bereich der Kupfer-Schicht aufweist.

20. 发明专利

DE112014001050T5 Halbleitereinrichtung 未知
公开(公告)号：DE112014001050T5
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：DE112014001050
申请日：2014-02-14
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FURUHASHI MASAYUKI , OKABE HIROAKI , WATANABE TOMOKATSU , IMAIZUMI MASAYUKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： Ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Halbleitereinrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist, EIN-Widerstandsänderungen mit der Temperatur zu reduzieren. Eine Halbleitereinrichtung (100) weist Folgendes auf: ein Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine Driftschicht (2) des ersten Leitfähigkeitstyps, die auf dem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist, einen ersten Muldenbereich (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der in der vorderen Oberfläche der Driftschicht (2) gebildet ist, einen zweite Muldenbereich (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der in der vorderen Oberfläche der Driftschicht (2) gebildet ist, und eine Gate-Struktur (7, 8 und 9), die auf der vorderen Oberfläche der Driftschicht (2) gebildet ist und einen Kanal in dem ersten Muldenbereich (3) und einen Kanal in dem zweiten Muldenbereich (4) bildet. Ein Kanalwiderstand des im ersten Muldenbereich gebildeten Kanals (3) weist eine solche Temperaturcharakteristik auf, dass der Kanalwiderstand mit zunehmender Temperatur abnimmt, und ein Kanalwiderstand des im zweiten Muldenbereich gebildeten Kanals (4) weist eine solche Temperaturcharakteristik auf, dass der Kanalwiderstand mit zunehmender Temperatur zunimmt.

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