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1. 发明授权

KR100689847B1 화학기상증착장치 失效
标题翻译：化学蒸气沉积装置
公开(公告)号：KR100689847B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050064273
申请日：2005-07-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김응수 , 안드레이유스코브 , 이승무 , 이수호 , 임경춘
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은, 화학기상증착(VCD)장치에 관한 것으로서, 반응공간을 형성하며 상부개구를 갖는 챔버본체와; 상기 상부개구에 설치되어 공정가스를 분배하며 고주파전극을 형성하는 샤워헤드와; 상기 챔버본체의 벽면과 상기 샤워헤드 사이에 개재되어 상호 절연하는 절연부와, 상기 절연부에서 하향 연장되며 공정가스의 흐름이 분산되도록 방사상으로 다수의 공정가스배출공이 형성된 스커트부를 갖는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 부품수를 줄여 간단하며 공정가스의 흐름이 비교적 원활하게 이루어 질 수 있는 화학기상증착장치가 제공된다.

2. 发明公开

KR1020040045750A 고밀도 플라즈마식 화학기상증착장치 无效
标题翻译：高密度等离子体化学蒸气沉积装置
公开(公告)号：KR1020040045750A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：KR1020020073604
申请日：2002-11-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백홍주 , 임민규 , 이승무
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A high density plasma type CVD(Chemical Vapor Deposition) apparatus is provided to be capable of reducing the generation of arc and decreasing the generation of particles due to the arc. CONSTITUTION: A high density plasma type CVD apparatus is provided with a process chamber(102) having a wafer support part(101) for loading a wafer(W), a cover(103) for covering the upper portion of the process chamber, and a gas ring part(111) installed between the process chamber and the cover for flowing process gas onto the wafer. At this time, a plurality of nozzles are installed at the gas ring part. The high density plasma type CVD apparatus further includes an arc generation preventing layer(130) installed at the inner walls of the process chamber and the gas ring part. Preferably, the arc generation preventing layer is made of non-conducting material. Preferably, the arc generation preventing layer is made of AlN or Al2O3.
摘要翻译：目的：提供高密度等离子体CVD（化学气相沉积）装置，以能够减少电弧的产生并减少由于电弧产生的颗粒。构成：高密度等离子体CVD装置设置有具有用于加载晶片（W）的晶片支撑部（101），用于覆盖处理室的上部的盖（103）的处理室（102），以及安装在处理室和盖之间的气环部分（111），用于使处理气体流到晶片上。此时，多个喷嘴安装在气环部。高密度等离子体CVD装置还包括安装在处理室的内壁和气环部分的电弧产生防止层（130）。优选地，电弧产生防止层由非导电材料制成。优选地，电弧产生防止层由AlN或Al2O3制成。

3. 发明公开

KR1020040020090A 증착 장비의 가스 분사용 노즐 어셈블리 无效
标题翻译：用于喷射气体的沉积设备的喷射装置
公开(公告)号：KR1020040020090A
公开(公告)日：2004-03-09
申请号：KR1020020051536
申请日：2002-08-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍형식 , 이승무 , 이기석 , 금경수 , 박충훈
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A nozzle assembly of deposition equipment for injecting gas is provided to prevent effectively the generation of particles due to the damage of nozzles by forming the nozzles on an upper side of a chamber. CONSTITUTION: A nozzle assembly of deposition equipment for injecting gas includes a plurality of nozzles, a gas ring, and a buffering orifice(270). The nozzles are formed on an upper side of a chamber in order to inject gas to the chamber. The gas ring is combined with the nozzle in order to supply the gas. The buffering orifice(270) is installed between the nozzle and the gas ring in order to prevent an abrupt change of gas flow due to a change of gas pressure. A female screw of the gas ring is combined with a male screw of the nozzle. The buffering orifice(270) is installed at a rear end of the male screw.
摘要翻译：目的：提供一种用于喷射气体的沉积设备的喷嘴组件，用于通过在室的上侧形成喷嘴来有效地防止由于喷嘴的损坏而产生颗粒。构成：用于喷射气体的沉积设备的喷嘴组件包括多个喷嘴，气环和缓冲孔（270）。喷嘴形成在室的上侧，以便将气体注入到室中。气体环与喷嘴结合以供应气体。缓冲孔（270）安装在喷嘴和气环之间，以防止气体压力变化引起的气流突然变化。气环的内螺纹与喷嘴的外螺纹组合。缓冲孔（270）安装在外螺纹的后端。

4. 发明公开

KR1020030014970A 트랜치 소자분리막 형성방법 无效
标题翻译：形成分离层的方法
公开(公告)号：KR1020030014970A
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：KR1020010048973
申请日：2001-08-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승무 , 김현수 , 김형수 , 이용덕
IPC分类号： H01L21/76
摘要： PURPOSE: A method for forming a trench isolation layer is provided to form uniformly the thickness of an HDP CVD(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition) oxide layer by performing a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process after forming the HDP CVD oxide layer on a semiconductor substrate. CONSTITUTION: An initial oxide layer formed on a patternless substrate has a center portion(a) thicker than an edge portion(b). An HDP CVD oxide layer is formed by performing simultaneously a deposition process and an etch process. The thickness of an HDP CVD oxide layer(406a) formed on the center portion(a) of a processing substrate(400) is equal to the thickness of the HDP CVD oxide layer(406b) formed on the edge portion(b) of the processing substrate(400) by forming patterns(404) on the initial oxide layer. A difference between a deposition ratio and an etch ratio is generated when the HDP CVD oxide layer is formed. The difference of the center portion(a) is larger than the difference of the edge portion(b). The deposition ratio of the center portion(a) is larger than the deposition ratio of the edge portion(b). The etch ratio of the center portion(a) is lower than the etch ratio of the edge portion(b).
摘要翻译：目的：提供一种用于形成沟槽隔离层的方法，以通过在形成HDP CVD氧化物层之后进行CMP（化学机械抛光）工艺来均匀地形成HDP CVD（高密度等离子体化学气相沉积）层的厚度半导体衬底。构成：形成在无图案衬底上的初始氧化物层具有比边缘部分（b）厚的中心部分（a）。通过同时执行沉积工艺和蚀刻工艺形成HDP CVD氧化物层。形成在处理衬底（400）的中心部分（a）上的HDP CVD氧化物层（406a）的厚度等于形成在处理衬底（400）的边缘部分（b）上的HDP CVD氧化物层（406b）的厚度通过在初始氧化物层上形成图案（404）来处理衬底（400）。当形成HDP CVD氧化物层时，产生沉积比和蚀刻比之间的差异。中心部（a）的差大于边缘部（b）的差。中心部分（a）的沉积比大于边缘部分（b）的沉积比。中心部分（a）的蚀刻比低于边缘部分（b）的蚀刻比。

5. 发明公开

KR1020060103640A 반도체 제조장치 无效
标题翻译：半导体制造设备
公开(公告)号：KR1020060103640A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050025447
申请日：2005-03-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상호 , 이승무 , 이수호 , 강동우 , 김응수
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68742 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/4585
摘要： 웨이퍼의 전 표면에 박막을 균일하게 형성시킬 수 있게 구성된 반도체 제조장치가 개시된다. 본 발명의 반도체 제조장치는 반응챔버, 샤워헤드, 웨이퍼 구동유닛을 포함한다. 웨이퍼 구동유닛은 웨이퍼를 받치는 받침대, 받침대에 연결된 회전축, 회전축과 연결된 회전모터를 구비하여 웨이퍼를 회전시킬 수 있도록 한다. 받침대와 회전축은 하우징과 주름통, 그리고 승강통과 밀폐씰로 둘러싸여서 베어링 하우징의 내부에 설치되어 밀폐실과 회전모터를 연결하는 벨트에 의해 회전하게 된다. 웨이퍼 구동유닛은 승강모터를 더 구비하여 받침대를 상하로 이동시킬 수 있게 한다.

6. 发明授权

KR100631920B1 반도체 소자의 절연막 형성방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR100631920B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020000073192
申请日：2000-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우찬 , 이승무 , 전진호 , 최병덕 , 임전식 , 이종승
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 커패시터와 메탈라인 사이에 BPSG 재질의 절연막 증착시, 다이버트 시간을 MFC가 안정될 때까지 충분히 늘리고, 플레이트 전극과 상기 절연막 사이에 B,P 소스의 아웃-디퓨전을 방지할 수 있는 장벽층을 더 추가하므로써, 플레이트 전극의 RS 증가를 막을 수 있도록 한 반도체 소자의 절연막 형성방법이 개시된다.
이를 위하여 본 발명에서는, "스토리지 전극-유전막-플레이트 전극" 구조의 커패시터가 갖는 절연기판을 준비하는 단계; 상기 결과물 상에 유동성을 갖지 않는 절연 재질의 장벽층을 형성하는 단계; 및 B-소스 가스와 P-소스 가스를 10 ~ 15초 동안 다이버트하여 개스 플로우를 안정화시킨 후, SACVD 프로세스를 적용하여 상기 장벽층 상에 BPSG 재질의 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 절연막 형성방법이 제공된다.

7. 发明公开

KR1020030092158A 기판 상에 막을 형성하기 위한 장치 无效
标题翻译：用于在基板上部形成层的装置
公开(公告)号：KR1020030092158A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020020029348
申请日：2002-05-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상열 , 이승무 , 이철재 , 박유춘
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: An apparatus for forming a layer at the upper portion of a substrate is provided to be capable of minimizing the damage of a susceptor due to the gas used for forming the layer. CONSTITUTION: An apparatus for forming a layer is provided with a chamber(200) for loading a semiconductor substrate(10), a heater(204) installed at the inner portion of the chamber for heating the semiconductor substrate, a susceptor(202) installed at the upper portion of the heater for supporting the semiconductor substrate, and a thermocouple(230) loaded into the first groove of the susceptor for measuring the temperature of the susceptor. The apparatus for forming a layer further includes a fixing part(232) for preventing gas from flowing through an unexpected portion between the first groove and the thermocouple and fixing the thermocouple to the susceptor.
摘要翻译：目的：提供一种用于在基板上部形成层的装置，以便能够最小化由于用于形成层的气体而导致的基座的损坏。构成：用于形成层的装置设置有用于加载半导体衬底（10）的室（200），安装在室的内部的加热器（204），用于加热半导体衬底;安装在基座在用于支撑半导体衬底的加热器的上部，以及加载到基座的第一槽中的热电偶（230），用于测量基座的温度。用于形成层的装置还包括用于防止气体流过第一凹槽和热电偶之间的意外部分并将热电偶固定到基座的固定部分（232）。

8. 发明公开

KR1020020044210A 반도체 소자의 절연막 형성방법 失效
标题翻译：制造半导体器件绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020020044210A
公开(公告)日：2002-06-15
申请号：KR1020000073192
申请日：2000-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우찬 , 이승무 , 전진호 , 최병덕 , 임전식 , 이종승
IPC分类号： H01L21/31
摘要： PURPOSE: A method for fabricating an insulation layer of a semiconductor device is provided to reduce sheet resistance of a plate electrode, by sufficiently increasing an interval of divert time of B-source gas and P-source gas until a mass flow controller(MFC) is stabilized. CONSTITUTION: An insulation substrate(10) having a capacitor composed of a storage electrode(20), a dielectric layer(30) and a plate electrode(40) is prepared. A barrier layer(45) of an insulation material having no fluidity is formed on the resultant structure. The B-source gas and the P-source gas are diverted for 10-15 seconds to stabilize gas flow. An insulation layer(50) of a boron phosphorous silicate glass(BPSG) material is formed on the barrier layer by using a semi-atmospheric chemical vapor deposition(SACVD) process.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的绝缘层的方法，通过充分增加B源气体和P源气体的转移时间的间隔直到质量流量控制器（MFC）为止，以降低平板电极的薄层电阻，稳定了制备具有由存储电极（20），电介质层（30）和平板电极（40）构成的电容器的绝缘基板（10）。在所得结构上形成没有流动性的绝缘材料的阻挡层（45）。 B源气体和P源气体转向10-15秒以稳定气体流动。通过使用半大气化学气相沉积（SACVD）工艺在阻挡层上形成磷硅酸玻璃（BPSG）材料的绝缘层（50）。

9. 发明公开

KR1020160083715A 가스 분사 유닛을 포함하는 반도체 공정 설비 审中-实审
标题翻译：具有气体喷射单元的半导体处理装置
公开(公告)号：KR1020160083715A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020150000181
申请日：2015-01-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임홍택 , 남정훈 , 박철 , 서영채 , 원제형 , 이승무 , 한동훈
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45591 , H01L21/02263 , H01L21/683
摘要： 반도체공정설비가제공된다. 상기반도체공정설비는공정대상물을지지하는서셉터; 상기서셉터와이격되고, 상기공정대상물의상부면과마주보는오목영역및 상기오목영역의외측에위치하는경사면을포함하는가스박스; 및상기가스박스의상기오목영역내에위치하는샤워헤드를포함한다. 상기가스박스의상기경사면의경사각은 10°초과 35°미만이다.
摘要翻译：提供半导体处理设备。半导体处理设备包括：基座，被配置为支撑被处理物体; 与所述基座间隔开的气体箱，并且包括面对所述待处理物体的上表面的凹部区域和设置在所述凹部区域的外侧的倾斜面; 以及位于气箱的凹部区域中的淋浴喷头。气箱倾斜面倾斜角大于10°，小于35°。因此，半导体处理装置能够防止处理气体对待处理物体的速度的快速变化。

10. 发明公开

KR1020070009186A 화학기상증착장치 失效
标题翻译：化学蒸气沉积装置
公开(公告)号：KR1020070009186A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050064273
申请日：2005-07-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김응수 , 안드레이유스코브 , 이승무 , 이수호 , 임경춘
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/455 , C23C16/4585
摘要： A CVD apparatus is provided to prevent cleaning efficiency from being deteriorated by relatively smoothening a flow or process gas. A reaction space(31) is formed by a chamber body(30) having an upper opening. A shower head(40) distributes process gas to form an RF electrode, installed in the upper opening. An insulator(50) includes an insulation part and a skirt part. An insulation part is interposed between the wall surface of the chamber body and the shower head to mutually insulate the chamber body and the shower head. The skirt part is extended downward from the insulation layer wherein a plurality of process gas exhausting holes(55) are radially formed in the skirt part to scatter the flow of the process gas. A shadow ring(70) is guided to the insulator so as to cover the outer circumferential surface of an object(61) in a manner that avoids formation of a deposition layer on the outer circumferential surface and the lower surface of the object.
摘要翻译：提供了一种CVD装置，以通过相对平滑流动或处理气体来防止清洁效率劣化。反应空间（31）由具有上部开口的室主体（30）形成。淋浴头（40）分配处理气体以形成安装在上部开口中的RF电极。绝缘体（50）包括绝缘部分和裙部。在室主体的壁表面和淋浴喷头之间插入有绝缘部分，以使室主体和淋浴头相互绝缘。裙部从绝缘层向下延伸，其中在裙部中径向形成多个工艺气体排出孔（55），以分散处理气体的流动。阴影环（70）被引导到绝缘体以便以避免在物体的外周表面和下表面上形成沉积层的方式覆盖物体（61）的外周表面。

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