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1. 发明公开

KR1020060117767A 하프 톤 처리 방법 및 그 장치 无效
标题翻译：手工加工的装置和方法
公开(公告)号：KR1020060117767A
公开(公告)日：2006-11-17
申请号：KR1020050040301
申请日：2005-05-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종승
IPC分类号： G06T7/00
CPC分类号： H04N1/40012 , G06F2213/2806 , G06T1/60 , G06T7/11
摘要： A halftone processing method and apparatus are provided to perform a halftone process irrespective of the capacity of a halftone table and maximize a halftone processing speed. A halftone processing apparatus having at least one halftone table includes a halftone processor(600). The halftone processor splits the original image according to the capacity of a selected halftone table and sequentially accesses the split images when the original image is inputted. The halftone processor generates a halftone image according to a halftone processing result based on an image signal value of the original image and a threshold value of the halftone table. The halftone processor includes a plurality of buffers for storing the original image or the halftone table, an original image access unit(610) for direct-memory-accessing the original image and storing the original image in a first buffer(610), and a halftone table access unit(630) for direct-memory-accessing a halftone table corresponding to stored address information when the halftone table is not stored in a second buffer(640), splitting the halftone table according to the capacities of the second buffer and the halftone table and sequentially storing the split halftone tables in the second buffer. The halftone processor further includes a halftone processing unit(650) for generating a halftone image based on the image signal value of the original image stored in the first buffer and the threshold value of the halftone table, and a halftone image access unit(660) for storing the halftone image in a memory.
摘要翻译：提供半色调处理方法和装置以执行半色调处理，而与半色调表的容量无关，并使半色调处理速度最大化。具有至少一个半色调台面的半色调处理设备包括半色调处理器（600）。半色调处理器根据所选择的半色调表的容量分割原始图像，并且在输入原始图像时依次访问分割图像。半色调处理器根据原始图像的图像信号值和半色调表的阈值，根据半色调处理结果产生半色调图像。半色调处理器包括用于存储原始图像或半色调表的多个缓冲器，用于直接存储原始图像并将原始图像存储在第一缓冲器（610）中的原始图像存取单元（610），以及半色调表存取单元，用于当半色表不存储在第二缓冲器中时直接存储与存储的地址信息相对应的半色调表）（640），根据第二缓冲区的容量和半色调表半色调表，并顺序地将分割的半色调表存储在第二缓冲器中。半色调处理器还包括：半色调处理单元，用于根据存储在第一缓冲器中的原始图像的图像信号值和半色调表的阈值产生半色调图像;以及半色调图像存取单元，用于将半色调图像存储在存储器中。

2. 发明公开

KR1020060085748A 직접 메모리 억세스（ＤＭＡ） 어드레스에 따라 메모리억세스 타입을 결정하는 방법 및 장치 无效
标题翻译：关于DMA地址的存储器访问类型确定方法和设备
公开(公告)号：KR1020060085748A
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020050006570
申请日：2005-01-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종승
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 직접 메모리 억세스(DMA) 어드레스에 따라 메모리 억세스 타입을 결정하는 방법 및 장치가 개시된다. 이 방법은 직접 메모리 억세스(Digital Memory Access, DMA) 어드레스의 정렬(Align)을 확인하는 단계, 상기 정렬이 맞으면 직접 메모리 억세스(DMA) 전송 모드를 버스트 모드로 결정하는 단계, 상기 정렬이 맞지 않는 경우 직접 메모리 억세스(DMA) 전송 모드를 싱글 모드로 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 직접 메모리 억세스(DMA)의 전송 단계에서 직접 메모리 억세스(DMA) 어드레스에 따라 자동으로 버스트 모드 또는 싱글 모드의 전송을 선택할 수 있게 함으로써, 직접 메모리 억세스(DMA) 어드레스가 맞지 않는 경우 버스트모드로 전송할 수 없는 문제점을 해결하고, 소프트웨어의 제한 없이 버스 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.

3. 发明公开

KR1020060081121A 멀티 비트 하프톤 처리 속도 개선 방법 有权
标题翻译：多位手工操作方法
公开(公告)号：KR1020060081121A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020050001560
申请日：2005-01-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종승
IPC分类号： H04N1/405
CPC分类号： H04N1/405
摘要： 본 발명은 멀티 비트 하프톤 처리 속도 개선 방법에 관한 것으로, 입력 이미지 각 픽셀의 그레이 성분값을 멀티비트 하프톤 처리를 하기 위하여 하프톤 스크린 테이블의 형식을, 같은 위치의 각기 다른 하프톤 스크린 테이블의 픽셀들을 연속으로 위치시켜 하나의 하프톤 스크린 테이블로 작성하여 멀티 비트 하프톤 처리하도록 구성된다.
따라서, 본 발명에 의하면 멀티 비트 하프톤 처리를 하더라도 1 bit 하프톤 처리 속도와 동일하게 처리할 수가 있다.
멀티비트, 하프톤, 테이블, dummy

4. 发明授权

KR100397889B1 개스공급장치의 잔류개스 제거장치 失效
标题翻译： 개스공급장치의잔류개스제거장치
公开(公告)号：KR100397889B1
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020010002814
申请日：2001-01-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최철환 , 전진호 , 김용갑 , 이종승 , 이민우 , 김경태 , 조찬형
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/42 , C23C16/45561 , F17D1/04
摘要： A residual gas removing device for a gas supply apparatus in a semiconductor fabricating facility, includes a low stress valve disposed between a mass flow controller and a chamber. The low stress valve alternately supplies or cuts off a gas from the mass flow controller to the chamber. A WF6 gas removing apparatus is in flow communication with a gas inlet line of the low stress valve to remove a residual WF6 gas in the gas inlet line, before proceeding with a subsequent deposition step.
摘要翻译：用于半导体制造设备中的气体供应设备的残留气体去除装置包括设置在质量流量控制器和腔室之间的低应力阀。低应力阀交替地将来自质量流量控制器的气体供应或切断至腔室。在进行随后的沉积步骤之前，WF6气体去除装置与低应力阀的气体入口管线流动连通以去除气体入口管线中的残留WF6气体。

5. 发明授权

KR100397177B1 절연막 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 失效
标题翻译： 절연막제조방법및반도체장치의제조방법
公开(公告)号：KR100397177B1
公开(公告)日：2003-09-06
申请号：KR1020010021067
申请日：2001-04-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우찬 , 전진호 , 임전식 , 이종승
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/56
摘要： A semiconductor device and the methods used in production, particularly the insulating layer comprising creating a process atmosphere in a chamber for forming a fluidal insulating layer by: flowing an oxidising gas at an oxidising gas flow rate for forming an oxidising atmosphere, flowing a first carrier gas at a first carrier gas flow rate and flowing a second carrier gas at a second carrier gas flow rate, the second carrier gas flow rate being greater then the first carrier gas flow rate, forming the fluidal insulating layer on a substrate positioned in the chamber by flowing the oxidising gas at the oxidising gas flow rate, flowing the first carrier gas at the first carrier gas flow rate while carrying a first impurity including boron flowing at a first impurity flow rate, flowing the second carrier gas at the second carrier gas flow rate while carrying a second impurity including phosphorous flowing at a second impurity flow rate, the second carrier gas flow rate being greater than the first carrier gas flow rate, and flowing a silicon source material at a silicon source flow rate.
摘要翻译：一种半导体器件和生产中使用的方法，特别是绝缘层，包括：在用于形成流体绝缘层的腔室中产生工艺气氛，通过：以氧化气体流速流动氧化气体以形成氧化气氛，使第一载体气体以第一载气流速流动并且以第二载气流速流动第二载气，所述第二载气流速大于所述第一载气流速，在位于所述腔室中的基板上形成所述流体绝缘层通过使氧化气体以氧化气体流量流动，使第一载气以第一载气流量流动，同时载送包含以第一杂质流率流动的硼的第一杂质，使第二载气在第二载气流同时承载包括以第二杂质流量流动的磷的第二杂质，第二载气流量大于第一载气流量，并且使硅源材料以硅源流量流动。

6. 发明公开

KR1020020044209A ＰＥ-ＳｉＯＮ 박막 제조방법 无效
标题翻译：制造PE薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020020044209A
公开(公告)日：2002-06-15
申请号：KR1020000073191
申请日：2000-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우찬 , 전진호 , 임전식 , 이종승 , 김경태
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/308 , H01L21/0214 , H01L21/3145
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a PE-SiON thin film is provided to prevent an abnormal reaction of NH3 gas and to remarkably reduce particles generated in forming the PE-SiON thin film, by making SiH4 gas not bypassed and by simultaneously making the SiH4 gas and the other reaction gas like N2, NH3 and N2O flow to the inside of a chamber before radio frequency(RF) power turns on. CONSTITUTION: A plurality of reaction gas like SiH4, N2, NH3 and N2O flows to the inside of the chamber at the same time without bypassing the SiH4 gas. The PE-SiON thin film is deposited in the chamber by turning on the RF power. The RF power turns on three seconds after the plurality of reaction gas starts to flow.
摘要翻译：目的：提供一种制造PE-SiON薄膜的方法，以防止NH 3气体的异常反应，并且通过使SiH 4气体不被旁路并同时制造SiH 4气体而显着降低在形成PE-SiON薄膜时产生的颗粒在射频（RF）电源打开之前，像N2，NH3和N2O这样的其他反应气体流到室内。构成：像SiH4，N2，NH3和N2O这样的多个反应气体同时流到室内，而不会绕过SiH4气体。通过接通RF功率将PE-SiON薄膜沉积在室中。在多个反应气体开始流动之后，RF功率开启三秒钟。

7. 发明公开

KR1020010103979A 화학 기상 증착 장비 无效
标题翻译：化学蒸气沉积设备
公开(公告)号：KR1020010103979A
公开(公告)日：2001-11-24
申请号：KR1020000025325
申请日：2000-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종승 , 서태욱 , 전진호 , 송래형
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 반응기로 원료 물질 기체들을 공급하기 위한 기체 공급 시스템을 갖는 화학 기상 증착 장비에 관한 것이다. BPSG 막을 증착하기 위한 화학 기상 증착 장비에 있어서, 공정 기체들이 유입되어 증착 공정이 진행되는 반응기, 액체 상태인 원료 물질들을 기화시켜 반응기로 공급하는 증발 장치, 증발 장치에서 기화된 원료 물질들을 배출시키기 위한 운반 기체를 공급하는 운반 기체 공급원 및 증발 장치 각각에 독립적으로 연결된 진공 펌프가 구비된다. 유량이 불안정하게 조절되는 동안에는 원료 물질 기체들이 진공 펌프를 통해 배기되고, 기체 흐름이 안정화되면 반응기로 주입된다. 따라서, 불순물의 함량이 균일한 BPSG 막을 형성할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020000065321A 포토레지스트 패턴의 리프팅 방지 방법 无效
标题翻译：防止光电图案提升的方法
公开(公告)号：KR1020000065321A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990011469
申请日：1999-04-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허근 , 이종승
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A method for preventing a lifting of a photoresist pattern is provided to increase an adhesion between a photoresist pattern and a material layer and to prevent the photoresist pattern from being lifted in a subsequent wet etch process by forming a thin nitride layer on a hydrophilic material layer. CONSTITUTION: In a method for preventing a lifting of a photoresist pattern when a material layer(100) having a hydrophilic property is wet-etched by using a photoresist pattern(106) as a mask, a thin material layer(104) is formed on the material layer to increase an adhesion between the photoresist pattern and the material layer.
摘要翻译：目的：提供防止光致抗蚀剂图案提升的方法以增加光致抗蚀剂图案和材料层之间的粘附性，并且防止光致抗蚀剂图案在随后的湿法蚀刻工艺中被提升，通过在亲水层上形成薄的氮化物层材料层。构成：在通过使用光致抗蚀剂图案（106）作为掩模对具有亲水性的材料层（100）进行湿式蚀刻时，防止光致抗蚀剂图案的提升的方法中，将薄材料层（104）形成在材料层以增加光致抗蚀剂图案和材料层之间的粘合力。

9. 发明公开

KR1020080033769A 버스인터페이스장치 无效
标题翻译：总线接口设备
公开(公告)号：KR1020080033769A
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：KR1020060099910
申请日：2006-10-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종승 , 김규성
IPC分类号： G06F13/14 , G06F13/38
摘要： A bus interface device is provided to transmit data from an AHB(AMBA High-performance Bus) to a PCI(Peripheral Component Interconnect) bus using a plurality of PCI masters so as to transmit a large quantity of data and improve a data transmission rate. A bus interface device interfaces a first bus(200) and a second bus(300) which have different bus protocols to each other and includes a first bus interface(110) and a second bus interface(120). The first bus interface transmits data to a first bus device(210,220) through the first bus. The second bus interface performs data transmission to a second bus device(310,320) corresponding to the data transmission performed by the first bus interface through the second bus. The second bus interface includes a plurality of data transmitters(120a,120b) which request data transmission through the second bus, receive acknowledgement for the request and transmit data.
摘要翻译：提供了一种总线接口装置，用于使用多个PCI主机将数据从AHB（AMBA高性能总线）传输到PCI（外围部件互连）总线，以便传输大量数据并提高数据传输速率。总线接口设备将具有不同总线协议的第一总线（200）和第二总线（300）彼此接口，并且包括第一总线接口（110）和第二总线接口（120）。第一总线接口通过第一总线向第一总线设备（210,220）发送数据。第二总线接口对与第一总线接口通过第二总线执行的数据传输相对应的第二总线设备（310,320）执行数据传输。第二总线接口包括多个数据发送器（120a，120b），其通过第二总线请求数据传输，接收该请求的确认并发送数据。

10. 发明授权

KR100671549B1 멀티 비트 하프톤 처리 속도 개선 방법 有权
标题翻译：多位半色调处理加速方式
公开(公告)号：KR100671549B1
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020050001560
申请日：2005-01-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종승
IPC分类号： H04N1/405
摘要： 본 발명은 멀티 비트 하프톤 처리 속도 개선 방법에 관한 것으로, 입력 이미지 각 픽셀의 그레이 성분값을 멀티비트 하프톤 처리를 하기 위하여 하프톤 스크린 테이블의 형식을, 같은 위치의 각기 다른 하프톤 스크린 테이블의 픽셀들을 연속으로 위치시켜 하나의 하프톤 스크린 테이블로 작성하여 멀티 비트 하프톤 처리하도록 구성된다.
따라서, 본 발명에 의하면 멀티 비트 하프톤 처리를 하더라도 1 bit 하프톤 처리 속도와 동일하게 처리할 수가 있다.
멀티비트, 하프톤, 테이블, dummy

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