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1. 发明专利

KR102223033B1 KR102223033B1 - wafer storage container 有权
公开(公告)号：KR102223033B1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020140051677A
申请日：2014-04-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조현호 , 김혁기 , 남정훈
IPC分类号： H01L21/673 , B65D85/38
CPC分类号： H01L21/67383 , H01L21/67379
摘要： 서로 마주보는 제1측 바디부 및 제2측 바디부, 상기 제1측 및 제2측 바디부들의 상부와 연결된 상부 바디부, 상기 제1측 및 제2측 바디부들의 일측 단부와 연결된 후면 바디부, 및 상기 제1측 및 제2측 바디부들의 하부와 연결되며, 상기 제1측 및 제2측 바디부들, 상기 상부 바디부 및 후면 바디부와 함께 내부 공간을 한정하는 하부 바디부를 포함하는 쉘 바디부; 상기 상부 바디부와 상기 제1측 바디부 사이의 엣지 영역 상에 배치되며 상기 하부 바디부로부터 상기 상부 바디부 방향으로 돌출된 제1 핸들부; 상기 상부 바디부와 상기 제2측 바디부 사이의 엣지 영역 상에 배치되며 상기 하부 바디부로부터 상기 상부 바디부 방향으로 돌출된 제2 핸들부; 상기 내부 공간에 의해 노출되는 상기 제1측 바디부의 제1 내측벽에 배치된 제1 슬롯부; 및 상기 내부 공간에 의해 노출되는 상기 제2측 바디부의 제2 내측벽에 배치된 제2 슬롯부를 포함하되, 상기 제1 및 제2 핸들부들의 각각은 상기 쉘 바디부에 결합되는 서브 핸들부 및 상기 서브 핸들부 상의 메인 핸들부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 슬롯부들의 각각은 복수의 개별 슬롯 가이드 및 상기 개별 슬롯 가이드 상의 복수의 서포터들을 포함하고, 상기 각각의 서포터들은 쉘 바디부의 웨이퍼 출입부로부터 상기 쉘 바디부의 상기 후면 바디부 방향으로 갈수록 높아지는 경사진 면을 갖는 웨이퍼 수납장치가 제공된다.

2. 发明公开

KR1020170076179A 웨이퍼 수납 용기 审中-实审
标题翻译：晶圆储存容器
公开(公告)号：KR1020170076179A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150186131
申请日：2015-12-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조현호 , 김동연 , 김혁기 , 남정훈 , 김진호
IPC分类号： H01L21/673
CPC分类号： H01L21/67376 , H01L21/67373
摘要： 웨이퍼보관용기는베이스, 가이드, 커버, 로킹부재및 실링부재를포함할수 있다. 상기베이스는복수개의웨이퍼들이안치되는안치면을가질수 있다. 상기가이드는상기베이스의안치면에배치되어, 상기웨이퍼들이수용되는공간을한정할수 있다. 상기커버는상기베이스의안치면을덮을수 있다. 상기로킹부재는상기커버를상기베이스에로킹시킬수 있다. 상기실링부재는상기로킹부재와상기가이드사이를실링하여, 상기수용공간으로외기가침투하는것을방지할수 있다. 따라서, 실링부재가가이드와로킹부재사이를실링하게되므로, 오염물질을포함하는외기가가이드내의수용공간으로침투하는것이억제될수 있다.
摘要翻译：晶片存储容器可以包括基座，引导件，盖子，锁定构件和密封构件。基座可以具有其上放置有多个晶片的平板表面。引导件可以设置在基座的基座表面上以限定容纳晶片的空间。盖可以覆盖底座的底面。锁定构件可以将盖锁定到基座。密封构件在锁定构件和引导件之间密封以防止外部空气渗入容纳空间。因此，由于密封构件在引导件和锁定构件之间进行密封，因此可以抑制包含污染物的外部空气渗入引导件中的容纳空间。

3. 发明公开

KR1020020078427A 반도체 장치의 층간절연막 형성 방법 无效
标题翻译：用于制造半导体器件的中间层介质的方法
公开(公告)号：KR1020020078427A
公开(公告)日：2002-10-18
申请号：KR1020010018786
申请日：2001-04-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남정훈
IPC分类号： H01L21/31
摘要： PURPOSE: A method for fabricating an interlayer dielectric of a semiconductor device is provided to eliminate a void between adjacent gate regions without increasing the density of boron phosphorous silicate glass(BPSG) layer and decreasing a deposition rate of the BPSG layer, by flowing dopants before a main deposition process using O3 is performed. CONSTITUTION: An access transistor composed of a gate region and an impurity diffusion region is formed on a semiconductor substrate(100). After the dopants are flowed to the upper portion of the semiconductor substrate having the access transistor, the BPSG layer is deposited by using O3. A reflow process is performed.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的层间电介质的方法，以在不增加硼磷硅玻璃（BPSG）层的密度的情况下消除相邻栅极区域之间的空隙，并且通过在掺杂剂之前流动掺杂剂来降低BPSG层的沉积速率使用O3进行主沉积处理。构成：在半导体基板（100）上形成由栅极区域和杂质扩散区域构成的存取晶体管。在掺杂剂流到具有存取晶体管的半导体衬底的上部之后，通过使用O 3沉积BPSG层。进行回流处理。

4. 发明公开

KR1020170034161A 캠형 가스 혼합부 및 이것을 포함하는 반도체 소자 제조 장치들 审中-实审
标题翻译：类型的气体混合单元和包括其的半导体器件制造设备
公开(公告)号：KR1020170034161A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150132503
申请日：2015-09-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임홍택 , 김강수 , 김호준 , 남정훈 , 박세준
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/306
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/452 , C23C16/45512 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32009
摘要： 가스혼합부, 상기가스혼합부의상부에배치된가스도입관, 및상기가스혼합부의하부에배치된가스도출관을포함한다. 상기가스혼합부는타원형평면을가진상면및 하면, 및측면을포함하는가스공급부를포함하는반도체소자제조장치가설명된다.
摘要翻译：它包括气体入口管，并且在设置在气体混合部上方的气体混合物的下部设置的气体出口管，该气体混合部。所述气体混合单元，一种半导体器件制造设备，包括一气体供应，其包括一个平椭圆，并且当跌倒jinsangmyeon和侧进行说明。

5. 发明公开

KR1020090056475A 플라즈마 처리장치 无效
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020090056475A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123630
申请日：2007-11-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 권경수 , 채희선 , 장우성 , 지연홍 , 김도형 , 이경섭 , 남정훈
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32357
摘要： A plasma processing apparatus is provided to prevent recombination of a source gas while maximizing resolution ratio by generating plasma inside/outside of a chamber. A process chamber is formed at a chamber(110) to process a substrate(90) through plasma, and a source gas supply unit(180) supplies a source gas for processing the substrate to the chamber. A remote plasma generation unit(160) is arranged between a chamber and a source gas supply unit, and it supplies power to excite the source gas to first energy level plasma. A direct plasma generating unit(150) includes a chamber to excite the first energy level gas to second energy level plasma.
摘要翻译：提供了一种等离子体处理装置，用于防止源气体的复合，同时通过在室内/外部产生等离子体来最大化分辨率。在室（110）处形成处理室，以通过等离子体处理衬底（90），并且源气体供应单元（180）将用于处理衬底的源气体供应到腔室。远程等离子体生成单元（160）设置在室和源气体供给单元之间，并且其供应功率以将源气体激发到第一能级等离子体。直接等离子体产生单元（150）包括用于将第一能量级气体激发到第二能级等离子体的室。

6. 发明公开

KR1020030035370A 화학기상증착 장치의 가스 인젝터 无效
标题翻译：化学气相沉积装置燃气喷射器
公开(公告)号：KR1020030035370A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020010067420
申请日：2001-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김도형 , 남정훈
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A gas injector of a chemical vapor deposition(CVD) apparatus is provided to improve a gap-fill capacity and deposition uniformity by installing a gas injector having the same length as a conventional gas injector wherein the diameter of the process gas spray part of the gas injector is smaller than that of the process gas inflow part of the gas injector. CONSTITUTION: A process chamber is prepared. A spray unit(150) sprays process gas on the upper portion of a wafer(140) placed on an electrostatic chuck(130), installed in the inner wall of the process chamber. The spray unit is composed of the first gas injector in which the diameter of the spray part is smaller than that of the inflow part to increase the pressure of the process gas.
摘要翻译：目的：提供化学气相沉积（CVD）装置的气体注射器，以通过安装具有与常规气体注射器相同长度的气体注射器来改善间隙填充能力和沉积均匀性，其中工艺气体喷射部分的直径气体喷射器小于气体喷射器的工艺气体流入部分。规定：处理室已准备好。喷射单元（150）在放置在处理室的内壁中的静电卡盘（130）上的晶片（140）的上部喷射处理气体。喷射单元由第一气体喷射器组成，其中喷射部分的直径小于流入部分的直径，以增加处理气体的压力。

7. 发明公开

KR1020000027419A 버블러를 구비하는 챔버 장비 및 이를 이용하는 반도체장치 제조방법 无效
标题翻译：具有泡罩的腔室设备及使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020000027419A
公开(公告)日：2000-05-15
申请号：KR1019980045339
申请日：1998-10-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남정훈 , 김병훈 , 김재석
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A chamber equipment having a bubbler for manufacturing a semiconductor device is provided to reduce chemical consumption, by preventing consumption of a reaction gas which does not contribute to deposition. CONSTITUTION: A chamber equipment having a bubbler for manufacturing a semiconductor device comprises a plurality of dispersion heads, a plurality of susceptors, a first piping(700), a bubbler(500), a second piping(510), a third piping(530), and a switching part. The dispersion heads are equipped in a chamber as concentric circle shapes. The susceptors are equipped opposite to the dispersion heads, are rotatory moved for the dispersion heads in order, and a semiconductor substrate is mounted on the susceptors in order. The first piping supplies a reaction gas to the dispersion heads. The bubbler is connected to the first piping and has chemicals. The second piping is connected to the bubbler and supplies a bubbling gas generating the reaction gas from the chemicals. The third piping is branched and is directly connected to the first piping. The switching part is mounted on a connection part of the second and the third piping, and supplies the bubbling gas by switching the bubbling gas to the third piping through the second piping.
摘要翻译：目的：提供具有用于制造半导体器件的起泡器的室设备，以通过防止对沉积无贡献的反应气体的消耗来减少化学品消耗。构成：具有用于制造半导体器件的起泡器的腔室设备包括多个分散头，多个基座，第一管道（700），起泡器（500），第二管道（510），第三管道（530））和切换部。分散头装在腔室中，同心圆形。基座与分散头相对设置，按顺序旋转移动分散头，半导体基板依次安装在基座上。第一个管道向分散头提供反应气体。起泡器连接到第一管道并具有化学物质。第二管道连接到起泡器，并提供从化学品产生反应气体的鼓泡气体。第三管道是分支的并且直接连接到第一管道。开关部分安装在第二和第三管道的连接部分上，并且通过第二管道将起泡气体转换到第三管道来供给起泡气体。

8. 实用新型

KR2019990016353U 휴대용 통신기기와 디스플레이장치 사이의 데이터 송수신장치 无效
标题翻译：便携式通信设备和显示设备之间的数据发送/接收设备
公开(公告)号：KR2019990016353U
公开(公告)日：1999-05-25
申请号：KR2019970029751
申请日：1997-10-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남정훈
IPC分类号： H04L29/06 , H04L29/10
摘要： 개시된 데이터 송수신장치는 휴대용 통신기기와 디스플레이장치 상호간에 멀티미디어 데이터를 주고받을 수 있도록 해주는 인터페이스 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 휴대용 통신기기와 디스플레이장치 사이의 데이터 송수신장치는 비디오신호, 오디오신호 그리고 동기신호를 입력받아 소정의 통신 프로토콜에 맞는 데이터로 변환하여 송신하거나, 외부기기로부터 송신되는 소정의 통신 프로토콜에 맞는 데이터를 수신한 후 비디오신호, 오디오신호 그리고 동기신호로 변환하여 출력하는 인터페이스 장치를 휴대용 통신기기와 디스플레이장치가 각각 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명의 장치는 휴대용 통신기기의 정보를 디스플레이장치로 시청하기 위해 휴대용 통신기기가 디스플레이장치와 직접 통신함이 가능하다는 장점을 갖는다.

9. 发明授权

KR100689826B1 불소 함유된 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마화학기상증착 방법들 및 이를 채택하여 반도체 소자를제조하는 방법들 失效
标题翻译：使用氟基化学蚀刻气体的高密度等离子体化学气相沉积方法和使用其的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR100689826B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050026185
申请日：2005-03-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남정훈
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/045 , C23C16/505 , H01L21/02131 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/31608 , H01L21/31625 , H01L21/31629
摘要： 불소를 함유하는 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착(CVD) 방법들이 제공된다. 이 방법들은 집적회로 기판을 준비하는 것과 상기 집적회로 기판을 챔버 내의 척 상에 로딩시키는 것을 구비한다. 상기 챔버 내로 공정 가스들을 주입하여 상기 집적회로 기판 상에 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막을 형성한다. 상기 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막은 적어도 불소 함유된 화학적 식각 가스(fluorine-based chemical etching gas) 및 실리콘 소스 가스를 사용하여 20 mTorr 내지 100 mTorr의 높은 공정 압력 하에서 형성된다. 상기 불소 함유된 화학적 식각 가스의 유량은 상기 실리콘 소스 가스의 유량의 0.5배 내지 0.9배이다. 상기 고밀도 플라즈마 CVD 공정을 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법들 역시 제공된다.

10. 发明公开

KR1020060104232A 불소 함유된 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마화학기상증착 방법들 및 이를 채택하여 반도체 소자를제조하는 방법들 失效
标题翻译：使用基于氟化物的化学蚀刻气体的高密度等离子体化学气相沉积方法及其制造使用其的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020060104232A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050026185
申请日：2005-03-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남정훈
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/045 , C23C16/505 , H01L21/02131 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/31608 , H01L21/31625 , H01L21/31629
摘要： 불소를 함유하는 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착(CVD) 방법들이 제공된다. 이 방법들은 집적회로 기판을 준비하는 것과 상기 집적회로 기판을 챔버 내의 척 상에 로딩시키는 것을 구비한다. 상기 챔버 내로 공정 가스들을 주입하여 상기 집적회로 기판 상에 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막을 형성한다. 상기 메인 고밀도 플라즈마 CVD 산화막은 적어도 불소 함유된 화학적 식각 가스(fluorine-based chemical etching gas) 및 실리콘 소스 가스를 사용하여 20 mTorr 내지 100 mTorr의 높은 공정 압력 하에서 형성된다. 상기 불소 함유된 화학적 식각 가스의 유량은 상기 실리콘 소스 가스의 유량의 0.5배 내지 0.9배이다. 상기 고밀도 플라즈마 CVD 공정을 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법들 역시 제공된다.

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