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1. 发明专利

KR102223038B1 KR102223038B1 - Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same 有权
公开(公告)号：KR102223038B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140099816A
申请日：2014-08-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조명수 , 김용일 , 김진하 , 송광민 , 이상석
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/56
摘要： 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 상에 구비되며, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 개구부를 구비하는 제1 절연층; 상기 제1 절연층 상에 구비되며, 상기 제1 개구부를 통해 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 접속되는 배리어 메탈층; 상기 배리어 메탈층 상에 구비되며, 상기 배리어 메탈층을 부분적으로 노출시키는 제2 개구부를 구비하는 제2 절연층; 및 상기 제2 개구부를 통해 부분적으로 노출되는 상기 배리어 메탈층 상에 구비되며, 상기 배리어 메탈층을 통해 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 접속되는 전극을 포함하고, 상기 전극과 상기 발광 구조물 사이에는 상기 제1 및 제2 절연층 중 적어도 하나 및 상기 배리어 메탈층이 배치된다.

2. 发明授权

KR101978968B1 반도체 발광소자 및 발광장치 有权
公开(公告)号：KR101978968B1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：KR1020120089024
申请日：2012-08-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양종인 , 김용일 , 송광민 , 임완태 , 한세준 , 홍현권
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/22

3. 发明公开

KR1020170095418A 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치 审中-实审
标题翻译：一种光源模块，显示面板和具有该显示装置
公开(公告)号：KR1020170095418A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020160016055
申请日：2016-02-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이진섭 , 성한규 , 김용일 , 김정섭 , 이슬기
IPC分类号： G02F1/1335
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L27/153 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2933/0041 , H05B33/0845 , H05B33/086 , H05B37/0272
摘要： 본발명의일 실시예는, 각각제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을갖는제1 내지제3 LED 셀을포함하며, 제1 면및 상기제1 면과반대에위치하는제2 면을갖는셀 어레이와, 상기셀 어레이의제1 면에배치되며, 상기제1 내지제3 LED 셀이선택적으로구동가능하도록상기제1 내지제3 LED 셀에전기적으로연결된전극부와, 상기셀 어레이의제2 면에배치되며, 상기제1 내지제3 LED 셀에각각대응되는제1 내지제3 방출창을갖는격벽과, 상기제1 내지제3 방출창에각각배치되며, 상기제1 내지제3 LED 셀로부터방출되는광을조정하여각각적색광, 녹색광 및청색광을제공하도록구성된제1 내지제3 광조정부를포함하며, 상기제1 내지제3 광조정부중 적어도하나의광조정부에의해조정된광은제1 피크파장과상기제1 피크파장의세기보다낮은제2 피크파장을갖는스펙트럼을가지는 LED 광원모듈을제공한다.
摘要翻译：本发明的实施例包括第一至第三LED单元，每个LED单元具有第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层，其中第一至第三LED单元具有第一表面和与第一表面相对的第二表面电极单元，设置在单元阵列的第一表面上并且电连接到第一至第三LED单元，使得第一至第三LED单元可以被选择性地驱动; 设置在单元阵列的第二表面上的阻挡肋，阻挡肋具有分别对应于第一至第三LED单元的第一至第三发射窗， 1，包括第一到被配置为通过调节从所述第三LED单元发射的光，以提供每个红色光，绿色光及蓝色光的，由第一至第三光制品的政府中的至少一个光制品的政府第三光文章状态调整后的光具有第一峰值波长和低于第一峰值波长的强度的第二峰值波长提供一个LED光源模块。

4. 发明公开

KR1020170059068A 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치 审中-实审
标题翻译：一种光源模块，显示面板和具有该显示装置
公开(公告)号：KR1020170059068A
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020150162778
申请日：2015-11-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차남구 , 김용일 , 임완태
IPC分类号： H05B33/14 , F21V19/00 , H05B37/00 , F21S2/00 , F21V23/00 , F21V17/10 , H01L33/48 , H05B37/02 , H01L33/40
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/505 , H01L33/62 , H05K1/00 , H05K1/181 , H05K1/183 , H05K3/301 , H05K3/325 , H05K2201/083 , H05K2201/0939 , H05K2201/09472 , H05K2201/10106 , H05K2201/10674 , H05K2201/209 , H05K2203/104 , H05K2203/168 , Y02P70/611
摘要： 본발명의일 실시예는, 복수의칩 탑재영역을가지며상기각 칩탑재영역에적어도하나의접속패드가배치된회로기판과, 상기복수의칩 탑재영역에각각배치되며볼록하거나오목한형상을갖는적어도하나의정렬용컴포넌트와, 상기복수의칩 탑재영역에각각탑재되어상기접속패드에전기적으로연결된전극을가지며상기정렬용컴포넌트와결합된구조를갖는복수의 LED 칩을포함하는광원모듈을제공한다.
摘要翻译：本发明的一个实施例中，至少一个具有多个芯片安装区域与至少一个连接焊盘的布置的电路板，设置为凸的或凹的形状，以所述多个芯片上的每个芯片安装区域的安装区域据分别安装在用于该组件的一个对准，并且所述多个所述芯片安装区域的所述提供一种光源模块，包括多个具有电连接到具有与该组件的对准相关联的结构的连接焊盘上的电极的LED芯片。

5. 发明公开

KR1020160141362A 반도체 발광 소자 审中-实审
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：KR1020160141362A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020160015233
申请日：2016-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차남구 , 임완태 , 김용일 , 노혜석 , 신은주 , 심성현 , 유하늘
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의기술적사상의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을포함하며, 상기제2 면을향해상기제1 도전형반도체층의일 영역이개방되며상기제1 면상에형성된요철을갖는발광구조물과, 상기제1 도전형반도체층의상기일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극과, 상기발광구조물의제1 면에배치된투광성지지기판과, 상기발광구조물의제1 면과상기투광성지지기판사이에배치되며, 상기제1 도전형반도체층의굴절률과상기투광성지지기판의굴절률사이의굴절률을갖는투광성접합층을포함하는반도체발광소자를제공한다.
摘要翻译：本发明的技术构思的一个实施例包括第一和第二导电类型半导体层，其具有彼此相对的第一和第二表面并分别提供第一和第二表面以及设置在它们之间的活性层一种发光结构，具有朝向第二侧开口的第一导电类型半导体层的一侧，并且具有形成在第一侧上的凹陷和突起，第一导电类型半导体层的第一区域，型半导体层以及设置在所述发光结构的第一表面上的透光支撑基板，其中所述第一电极和所述第二电极设置在所述发光结构的第一表面与所述发光结构之间，以及半透明粘合层，其折射率在第一导电类型半导体层的折射率与半透明支撑衬底的折射率之间。

6. 发明公开

KR1020160069598A 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160069598A
公开(公告)日：2016-06-17
申请号：KR1020140175195
申请日：2014-12-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조수현 , 김기석 , 양성석 , 김용일 , 이승환
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의일 실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는메사구조의발광구조물; 상기발광구조물의주변의상기제1 도전형반도체층상에구비되며, 규칙적으로배열된마이크로구조물들; 및적어도일부의상기마이크로구조물들상에배치되는상기제1 도전형반도체층의굴절률보다작은굴절률을갖는경사굴절층을포함할수 있다.
摘要翻译：提供一种提高光提取效率的半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的实施例，半导体发光器件包括：具有包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的台面结构的发光结构; 设置在发光结构周围的第一导电半导体层上的规则排列的微结构; 以及具有比第一导电半导体层的折射率小的折射率并且布置在至少一部分微结构上的倾斜折射层。

7. 发明公开

KR1020140022640A 반도체 발광소자 및 발광장치 审中-实审
标题翻译：半导体发光装置和发光装置
公开(公告)号：KR1020140022640A
公开(公告)日：2014-02-25
申请号：KR1020120089024
申请日：2012-08-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양종인 , 김용일 , 송광민 , 임완태 , 한세준 , 홍현권
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0016
摘要： The present invention relates to a semiconductor light emitting element and a light emitting device. One embodiment of the present invention provides a semiconductor light emitting element which includes: a first conductive-type semiconductor layer; an active layer; a second conductive-type semiconductor layer; a groove which is formed by removing at least one part of the second conductive-type semiconductor layer and the active layer; a first internal electrode which is connected to the first conductive-type semiconductor layer and formed to fill a part of the groove; a second internal electrode which is connected to the second conductive-type semiconductor layer; an insulation part which has an open area to expose at least one part of the first and the second internal electrode; and a first and a second pad electrode which are formed on the insulation part and are connected to the first and the second internal electrode exposed by the open area.
摘要翻译：本发明涉及半导体发光元件和发光器件。本发明的一个实施例提供一种半导体发光元件，其包括：第一导电型半导体层; 活性层第二导电型半导体层; 通过去除所述第二导电类型半导体层和所述有源层的至少一部分而形成的沟槽; 第一内部电极，其连接到所述第一导电型半导体层并形成为填充所述槽的一部分; 与第二导电型半导体层连接的第二内部电极; 绝缘部，其具有露出第一和第二内部电极的至少一部分的开放区域; 以及第一和第二焊盘电极，其形成在所述绝缘部分上并且连接到由所述开放区域暴露的所述第一和第二内部电极。

8. 发明公开

KR1020100105088A 반도체 메모리 소자 无效
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：KR1020100105088A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020090023925
申请日：2009-03-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박재균 , 홍형선 , 이종섭 , 김용일 , 이윤성 , 강남정 , 송재훈 , 김길섭
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L27/10855
摘要： PURPOSE: The semiconductor memory device reduces the misalign generation between the contact. The resistivity fault between the contact, and the short failure and the not-open fault are prevented. CONSTITUTION: A word line having the first effective pitch(P1) is located on surface unit active areas. The bit line having the first effective pitch is located on surface word lines. The first pad contact(210) is arranged between word lines. The direct contact(212) each other electrically connects first pad contacts and bit line. The second pad contact(214) is arranged between word lines and bit lines.
摘要翻译：目的：半导体存储器件减少了触点之间的错位产生。阻止接触之间的电阻率故障，短路故障和非开路故障。构成：具有第一有效间距（P1）的字线位于表面单元有效区域上。具有第一有效间距的位线位于表面字线上。第一焊盘触点（210）布置在字线之间。直接接触（212）彼此电连接第一焊盘触点和位线。第二焊盘触点（214）布置在字线和位线之间。

9. 发明授权

KR100965183B1 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 평판표시장치 有权
标题翻译：背光组件和平板显示装置
公开(公告)号：KR100965183B1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020030099854
申请日：2003-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김용일
IPC分类号： G02F1/13357
CPC分类号： G09F13/04 , G02F1/133604 , G02F1/133608
摘要： 균일한 휘도 분포를 갖는 광을 제공하기 위한 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 평판표시장치를 개시한다. 백라이트 어셈블리는 확산판, 확산판 및 램프간의 간격을 균일하게 유지하는 지지부재 및 반사판을 구비한다. 지지부재는 베이스 기판, 확산판을 지지하는 지지부 및 램프를 삽입하는 램프 홀더를 갖는다. 베이스 기판은 반사판의 아래에 위치하며, 지지부 및 램프 홀더는 반사판에 형성된 다수의 결합공에 삽입된다. 이에 따라, 백라이트 어셈블리는 지지부재가 반사판 상에서 점유하는 면적을 최소화할 수 있으므로, 균일한 휘도 분포를 갖는 광을 제공할 수 있다.
Support-Diffuser, 확산판, 광 반사, 휘도 분포

10. 发明公开

KR1020090078549A 소자 분리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법 有权
标题翻译：具有隔离工艺的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020090078549A
公开(公告)日：2009-07-20
申请号：KR1020080004433
申请日：2008-01-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김용일 , 홍형선 , 요시다마코토
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/105 , H01L21/823481 , H01L27/0207 , H01L21/762 , H01L21/823437
摘要： A manufacturing method of a semiconductor device including an isolation process is provided to reduce a depth of an isolation pattern by applying a bias to a conductive pattern included in the isolation pattern. A plurality of isolation patterns including conductive patterns(14a) are formed on an upper surface of a semiconductor substrate(10). A gap(19) is formed between the isolation patterns. An active pattern(20) is formed on the semiconductor substrate in order to bury the gap formed between the isolation patterns. A gate insulating layer(22) is formed on an upper surface of the isolation pattern and an upper surface of the active pattern. A gate pattern(24) is formed on an upper surface of the gate insulating layer.
摘要翻译：提供了包括隔离工艺的半导体器件的制造方法，以通过向包括在隔离图案中的导电图案施加偏压来减小隔离图案的深度。在半导体衬底（10）的上表面上形成包括导电图案（14a）的多个隔离图案。在隔离图案之间形成间隙（19）。在半导体衬底上形成有源图案（20），以便掩埋形成在隔离图案之间的间隙。栅极绝缘层（22）形成在隔离图案的上表面和活性图案的上表面上。栅极图案（24）形成在栅极绝缘层的上表面上。

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