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1. 发明授权

KR101881066B1 반도체 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR101881066B1
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：KR1020160015233
申请日：2016-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차남구 , 임완태 , 김용일 , 노혜석 , 신은주 , 심성현 , 유하늘
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의기술적사상의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을포함하며, 상기제2 면을향해상기제1 도전형반도체층의일 영역이개방되며상기제1 면상에형성된요철을갖는반도체적층체와, 상기제1 도전형반도체층의상기일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극과, 상기반도체적층체의제1 면에배치된투광성지지기판과, 상기반도체적층체의제1 면과상기투광성지지기판사이에배치되며, 상기제1 도전형반도체층의굴절률과상기투광성지지기판의굴절률사이의굴절률을갖는투광성접합층을포함하는반도체발광소자를제공한다.

2. 发明公开

KR1020160149363A 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160149363A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：KR1020150086020
申请日：2015-06-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황경욱 , 김시한 , 임완태 , 신은주
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/12 , H01L33/42 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/22 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 본발명의일 실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체층및 제2 도전형반도체층과, 제1 도전형반도체층및 제2 도전형반도체층사이에활성층을구비한발광적층체, 발광적층체상에배치되며활성층으로부터방출된제1 파장의광의적어도일부를제2 파장의광으로변환하는파장변환층, 발광적층체와파장변환층사이에배치되며, 발광적층체로부터방출되어파장변환층으로입사되는제1 파장의광의투과율을증가시키고파장변환층으로부터방출되어발광적층체로입사되는제2 파장의광의반사율을증가시키는광 조절층을포함한다. 일예로. 광조절층은발광적층체보다굴절률이낮은제1 절연층및 제1 절연층보다굴절률이 0.5 이상높은제2 절연층을포함할수 있다.
摘要翻译：一种半导体发光器件包括：发光层，包括第一导电型半导体层，第二导电型半导体层和设置在第一导电型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层设置在所述发光叠层上并被配置为将从所述有源层发射的具有第一波长的至少一些光转换为具有第二波长的光的波长转换层，以及设置在所述发光层之间的光控制层并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层的折射率低于所述发光叠层的折射率，所述第二绝缘层的折射率高于第一绝缘层的折射率为0.5以上。

3. 发明公开

KR1020170125653A 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치 审中-实审
标题翻译：包括芯片级透镜的发光器件
公开(公告)号：KR1020170125653A
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：KR1020160055764
申请日：2016-05-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황경욱 , 권민경 , 김새실 , 신은주 , 정유리 , 송종섭 , 지원수
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/36 , H01L33/10 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/44 , H01L33/507
摘要： 본발명의기술적사상에의한발광장치는제1 도전형반도체층, 활성층 및제2 도전형 반도체층이적층된발광적층체에상기제1 도전형반도체층과전기적으로연결된제1 전극층및 상기제2 도전형반도체층과전기적으로연결된제2 전극층구비하는발광구조, 상기발광구조상에배치된렌즈, 및, 상기렌즈상에배치된반사막을포함하는포함하는것을특징으로한다
摘要翻译：一英尺平方值是第一导电类型半导体层，有源层mitje第二导电类型半导体层，其中，所述层叠发光层压在所述第一导电型半导体层和第一电极层电连接到与本发明的技术特征的第二导电型的特征在于，它包括：包括半导体层和第二电发光结构，发光结构布置在光透镜，而且，设置在所述电极层上形成反射膜被连接到具有透镜

4. 发明公开

KR1020160141362A 반도체 발광 소자 审中-实审
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：KR1020160141362A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020160015233
申请日：2016-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차남구 , 임완태 , 김용일 , 노혜석 , 신은주 , 심성현 , 유하늘
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의기술적사상의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을포함하며, 상기제2 면을향해상기제1 도전형반도체층의일 영역이개방되며상기제1 면상에형성된요철을갖는발광구조물과, 상기제1 도전형반도체층의상기일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극과, 상기발광구조물의제1 면에배치된투광성지지기판과, 상기발광구조물의제1 면과상기투광성지지기판사이에배치되며, 상기제1 도전형반도체층의굴절률과상기투광성지지기판의굴절률사이의굴절률을갖는투광성접합층을포함하는반도체발광소자를제공한다.
摘要翻译：本发明的技术构思的一个实施例包括第一和第二导电类型半导体层，其具有彼此相对的第一和第二表面并分别提供第一和第二表面以及设置在它们之间的活性层一种发光结构，具有朝向第二侧开口的第一导电类型半导体层的一侧，并且具有形成在第一侧上的凹陷和突起，第一导电类型半导体层的第一区域，型半导体层以及设置在所述发光结构的第一表面上的透光支撑基板，其中所述第一电极和所述第二电极设置在所述发光结构的第一表面与所述发光结构之间，以及半透明粘合层，其折射率在第一导电类型半导体层的折射率与半透明支撑衬底的折射率之间。

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