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1. 发明专利

KR102223036B1 KR102223036B1 - Nano sturucture semiconductor light emitting device 有权
公开(公告)号：KR102223036B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140106794A
申请日：2014-08-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심성현 , 유건욱 , 김미현 , 이동훈 , 이진복 , 김제원 , 노혜석 , 이동국
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/38 , F21K9/232 , F21Y2115/10
摘要： 본 발명은 제1 영역과 제2 영역을 가지며 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층; 상기 베이스층의 상면에 배치되며, 제1 도전형 반도체로 이루어진 복수의 나노 코어, 상기 복수의 나노 코어 상에 순차적으로 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 복수의 나노 발광구조물; 및 상기 복수의 나노 발광구조물의 표면에 배치된 콘택 전극을 포함하며, 상기 제1 영역에 배치된 나노 발광구조물의 상단은, 상기 콘택 전극이 배치되지 않는 부분을 가지며, 상기 제2 영역에 배치된 나노 발광구조물의 상단은, 상기 콘택 전극으로 덮히므로, 나노 발광구조물의 상단에 위치한 활성층 영역에서 발생되는 누설전류에 대한 영향을 방지할 수 있으며, 나노 발광구조물의 동작전압이 상승하는 것을 방지할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020170100704A 발광소자 패키지의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：一种制造发光器件封装的方法
公开(公告)号：KR1020170100704A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160022495
申请日：2016-02-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차남구 , 심성현 , 임완태 , 노혜석 , 유하늘
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/60 , H01L23/00
CPC分类号： H01L33/505 , H01L27/153 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041
摘要： 본발명의실시예에따른발광소자패키지의제조방법은, 적어도하나의광차단영역및 적어도하나의파장변환영역을포함하는필름스트랩(strap)을마련하는단계, 적어도하나의발광영역을갖는발광소자들을마련하는단계, 상기적어도하나의발광영역상에상기적어도하나의파장변환영역이배치되도록상기발광소자상에상기필름스트랩을부착하는단계, 및상기필름스트랩및 상기발광소자들을개별소자단위로절단하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施例的制造发光器件封装的方法包括以下步骤：提供包括至少一个遮光区域和至少一个波长转换区域的膜带，将薄膜条带附接到发光元件，使得至少一个波长转换区域设置在至少一个发光区域上，并且将薄膜条带和发光元件切割成独立的元件单元。“

3. 发明授权

KR101881066B1 반도체 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR101881066B1
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：KR1020160015233
申请日：2016-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차남구 , 임완태 , 김용일 , 노혜석 , 신은주 , 심성현 , 유하늘
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의기술적사상의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을포함하며, 상기제2 면을향해상기제1 도전형반도체층의일 영역이개방되며상기제1 면상에형성된요철을갖는반도체적층체와, 상기제1 도전형반도체층의상기일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극과, 상기반도체적층체의제1 면에배치된투광성지지기판과, 상기반도체적층체의제1 면과상기투광성지지기판사이에배치되며, 상기제1 도전형반도체층의굴절률과상기투광성지지기판의굴절률사이의굴절률을갖는투광성접합층을포함하는반도체발광소자를제공한다.

4. 发明公开

KR1020170100999A 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자 审中-实审
标题翻译：能够实现多色的发光元件
公开(公告)号：KR1020170100999A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160023628
申请日：2016-02-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 연지혜 , 임완태 , 김정섭 , 노혜석 , 박영수 , 유하늘 , 이진섭
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/52 , H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/60
摘要： 본발명의발광소자는서로떨어져형성된복수개의발광구조물들; 상기발광구조물들각각의일면상에형성된복수개의전극층들; 상기발광구조물들사이및 전극층들사이를전기적으로절연하도록형성된분리층; 상기발광구조물들의타면상에상기발광구조물들별로서로다른컬러로형성된형광층; 및상기형광층별로서로구분되도록상기형광층사이에기판구조물, 절연구조물, 또는광 반사구조물로형성된격벽층을포함한다.
摘要翻译：本发明的发光器件包括彼此分开形成的多个发光结构; 多个电极层，形成在每个发光结构的一个表面上; 分离层，被形成为在发光结构之间和电极层之间电隔离; 在发光结构中的每一个上以不同颜色形成在发光结构的另一表面上的荧光层; 并且在荧光层之间由衬底结构，绝缘结构或光反射结构形成的阻挡层由荧光层彼此区分开。

5. 发明公开

KR1020170024923A 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치 审中-实审
标题翻译：发光二极管LED封装及其装置
公开(公告)号：KR1020170024923A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150120547
申请日：2015-08-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유하늘 , 김용일 , 노혜석 , 심성현 , 임완태 , 차남구 , 황경욱
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 본발명의발광소자패키지는발광구조물, 상기발광구조물상의광파장변환층, 및상기광파장변환층상의광 필터층을포함한다. 상기발광구조물은제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층상의활성층및 상기활성층상의제2 도전형반도체층을포함하고제1 피크파장을갖는제1 광을방출한다. 상기광파장변환층은상기발광구조물로부터방출되는상기제1 광을흡수하고상기제1 피크파장과상이한제2 피크파장을갖는제2 광을방출한다. 상기광 필터층은상기광파장변환층상에배치되고, 상기발광구조물로부터방출되는상기제1 광을반사하고상기광파장변환층으로부터방출되는상기제2 광을투과한다.
摘要翻译：发光二极管（LED）封装包括发光结构，发光结构上的光波长转换层和光波长转换层上的滤光层。发光结构包括第一导电型半导体层，第一导电型半导体层上的有源层和有源层上的第二导电型半导体层，并且发射具有第一导电型半导体层的第一光波长。光波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并透射从光波长转换层发射的第二光。

6. 发明公开

KR1020160027610A 나노구조 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：纳米扫描半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160027610A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140115701
申请日：2014-09-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유건욱 , 심성현 , 이동국 , 노혜석
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44
摘要： 본발명의일 실시예는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층; 상기베이스층상에배치되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막; 상기베이스층의노출된영역각각에위치하며, 제1 도전형반도체로이루어지고, 측면의결정면과다른결정면을갖는상단부를갖는복수의나노코어; 상기나노코어의상단부상에배치되며, 상기나노코어의구성원소중 적어도하나와동일한원소를함유한산화물로이루어진제1 고저항층; 상기제1 고저항층및 상기나노코어의측면상에배치되는활성층; 및상기활성층상에배치되는제2 도전형반도체층을포함하는나노구조반도체발광소자를제공한다.
摘要翻译：本发明的实施例提供一种用于防止漏电流的纳米结构半导体发光器件。纳米结构半导体发光器件包括由第一导电型半导体制成的基极层; 绝缘层，其布置在所述基底层上并且具有暴露于所述基底层的一部分的开口; 分别位于基层的露出区域的纳米孔由第一导电型半导体制成，具有与侧面的晶面不同的晶面的上端部; 第一高电阻层，其布置在纳米孔的上端部分上，并且由在纳米孔的元件中含有至少一个元素的氧化物制成; 布置在第一高电阻层和纳米孔的侧表面上的有源层; 以及布置在有源层上的第二导电类型半导体层。

7. 发明授权

KR102263041B1 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR102263041B1
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：KR1020160023628
申请日：2016-02-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 연지혜 , 임완태 , 김정섭 , 노혜석 , 박영수 , 유하늘 , 이진섭
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/52 , H01L25/075

8. 发明授权

KR102223036B1 나노구조 반도체 발광소자 有权
公开(公告)号：KR102223036B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140106794
申请日：2014-08-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심성현 , 유건욱 , 김미현 , 이동훈 , 이진복 , 김제원 , 노혜석 , 이동국
IPC分类号： H01L33/20
摘要： 본발명은제1 영역과제2 영역을가지며제1 도전형반도체로이루어진베이스층; 상기베이스층의상면에배치되며, 제1 도전형반도체로이루어진복수의나노코어, 상기복수의나노코어상에순차적으로배치된활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물; 및상기복수의나노발광구조물의표면에배치된콘택전극을포함하며, 상기제1 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극이배치되지않는부분을가지며, 상기제2 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극으로덮히므로, 나노발광구조물의상단에위치한활성층영역에서발생되는누설전류에대한영향을방지할수 있으며, 나노발광구조물의동작전압이상승하는것을방지할수 있다.

9. 发明公开

KR1020160141362A 반도체 발광 소자 审中-实审
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：KR1020160141362A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020160015233
申请日：2016-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차남구 , 임완태 , 김용일 , 노혜석 , 신은주 , 심성현 , 유하늘
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의기술적사상의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을포함하며, 상기제2 면을향해상기제1 도전형반도체층의일 영역이개방되며상기제1 면상에형성된요철을갖는발광구조물과, 상기제1 도전형반도체층의상기일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극과, 상기발광구조물의제1 면에배치된투광성지지기판과, 상기발광구조물의제1 면과상기투광성지지기판사이에배치되며, 상기제1 도전형반도체층의굴절률과상기투광성지지기판의굴절률사이의굴절률을갖는투광성접합층을포함하는반도체발광소자를제공한다.
摘要翻译：本发明的技术构思的一个实施例包括第一和第二导电类型半导体层，其具有彼此相对的第一和第二表面并分别提供第一和第二表面以及设置在它们之间的活性层一种发光结构，具有朝向第二侧开口的第一导电类型半导体层的一侧，并且具有形成在第一侧上的凹陷和突起，第一导电类型半导体层的第一区域，型半导体层以及设置在所述发光结构的第一表面上的透光支撑基板，其中所述第一电极和所述第二电极设置在所述发光结构的第一表面与所述发光结构之间，以及半透明粘合层，其折射率在第一导电类型半导体层的折射率与半透明支撑衬底的折射率之间。

10. 发明公开

KR1020160021921A 나노구조 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：纳米扫描半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160021921A
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140106794
申请日：2014-08-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심성현 , 유건욱 , 김미현 , 이동훈 , 이진복 , 김제원 , 노혜석 , 이동국
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/24 , F21K9/232 , F21Y2115/10 , H01L33/08 , H01L33/38
摘要： 본발명은제1 영역과제2 영역을가지며제1 도전형반도체로이루어진베이스층; 상기베이스층의상면에배치되며, 제1 도전형반도체로이루어진복수의나노코어, 상기복수의나노코어상에순차적으로배치된활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물; 및상기복수의나노발광구조물의표면에배치된콘택전극을포함하며, 상기제1 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극이배치되지않는부분을가지며, 상기제2 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극으로덮히므로, 나노발광구조물의상단에위치한활성층영역에서발생되는누설전류에대한영향을방지할수 있으며, 나노발광구조물의동작전압이상승하는것을방지할수 있다.
摘要翻译：本发明的纳米结构半导体发光器件包括：具有第一和第二区域并由第一导电半导体材料形成的基极层; 多个发光纳米结构，其设置在所述基底层的上表面上，每一个包括由所述第一导电半导体材料形成的纳米孔，以及依次设置在所述纳米孔上的有源层和第二导电半导体层; 以及设置在所述多个发光纳米结构上的接触电极，其中设置在第一区域中的所述多个发光纳米结构的末端部分具有未布置所述接触电极的部分，并且所述多个发光纳米结构的末端部分设置在第二区域被接触电极覆盖，从而防止了对位于发光纳米结构的顶端部分上的有源层产生的漏电流的影响和发光纳米结构的工作电压的增加。

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