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1. 发明专利

TWI531078B 太陽電池的製造方法有权
简体标题：太阳电池的制造方法
公开(公告)号：TWI531078B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW099146612
申请日：2010-12-29
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：黃明政 , HUANG, MING JENG , 黃明義 , HUANG, MING YI , 林漢塗 , LIN, HAN TU
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521

2. 发明专利

TWI441344B 光電轉換層的製造方法有权
简体标题：光电转换层的制造方法
公开(公告)号：TWI441344B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW100114920
申请日：2011-04-28
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：簡怡峻 , CHIEN, YI JIUNN , 黃明義 , HUANG, MING YI , 蕭傑予 , HSIAO, CHIEH YU , 吳一凡 , WU, YI FAN , 林漢塗 , LIN, HAN TU
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0749
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521

3. 发明专利

TWI381195B 彩色濾光基板、電子裝置及其製作方法有权
简体标题：彩色滤光基板、电子设备及其制作方法
公开(公告)号：TWI381195B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097126185
申请日：2008-07-10
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：曹俊杰 , TSAO, CHUN CHIEH , 林漢塗 , LIN, HAN TU
IPC分类号： G02B5/20
CPC分类号： G03F7/0007 , G02B5/201 , G02B5/223

4. 发明专利

TWI483406B 太陽電池有权
简体标题：太阳电池
公开(公告)号：TWI483406B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW099115781
申请日：2010-05-18
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：劉致為 , LIU, CHEE WEE , 何偉碩 , HO, WEI SHUO , 陳彥瑜 , CHEN, YEN YU , 古峻源 , KU, CHUN YUAN , 陳建任 , CHEN, CHIEN JEN , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 梁碩瑋 , LIANG, SHUO WEI
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50

5. 发明专利

TWI466298B 畫素結構的製作方法有权
简体标题：像素结构的制作方法
公开(公告)号：TWI466298B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW096133816
申请日：2007-09-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：詹勳昌 , JAN, SHIUN CHANG , 楊智鈞 , YANG, CHIH CHUN , 黃明遠 , HUANG, MING YUAN , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 石志鴻 , SHIH, CHIH HUNG , 廖達文 , LIAO, TA WEN , 蔡佳琪 , TSAI, CHIA CHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/1248 , G02F1/136227 , H01L27/1288

6. 发明专利

TWI452634B 銅銦鎵硒薄膜的製造方法有权
简体标题：铜铟镓硒薄膜的制造方法
公开(公告)号：TWI452634B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW099144316
申请日：2010-12-16
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：周光廷 , CHOU, KUANG TING , 黃明義 , HUANG, MING YI , 吳一凡 , WU, YI FAN , 林漢塗 , LIN, HAN TU
IPC分类号： H01L21/36
CPC分类号： Y02P70/521

7. 发明专利

TWI433332B 具有雙接面之光伏打裝置有权
简体标题：具有双接面之光伏打设备
公开(公告)号：TWI433332B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW100121650
申请日：2011-06-21
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：黃明政 , HUANG, MINGJENG , 林漢塗 , LIN, HANTU
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0475 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0682 , H01L31/0684 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548

8. 发明专利

TWI408812B 畫素結構的製作方法有权
简体标题：像素结构的制作方法
公开(公告)号：TWI408812B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW096147035
申请日：2007-12-10
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：廖達文 , LIAO, TA WEN , 楊智鈞 , YANG, CHIH CHUN , 黃明遠 , HUANG, MING YUAN , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 石志鴻 , SHIH, CHIH HUNG , 廖金閱 , LIAO, CHIN YUEH , 蔡佳琪 , TSAI, CHIA CHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/13439

9. 发明专利

TWI373097B 薄膜電晶體陣列基板的製作方法 METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE 有权
简体标题：薄膜晶体管数组基板的制作方法 METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI373097B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW097125980
申请日：2008-07-09
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：曾賢楷 , 林漢塗 , 詹勳昌 , 方國龍
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1288
摘要：一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法包括下列步驟。先於基板上分別形成閘極圖案與第一接墊圖案，並依序形成閘極絕緣層與半導體層覆蓋上述二圖案。接著，形成圖案化光阻層，並調整圖案化光阻層在不同區域的光阻區塊厚度與適當圖案。再經由蝕刻製程、縮減圖案化光阻層製程，以移除位於第一接墊圖案上方之半導體層與閘極絕緣層。之後，移除圖案化光阻層，形成源極圖案、汲極圖案與第一接墊圖案電性連接的第二接墊圖案。接著，形成圖案化保護層於閘極絕緣層上，而圖案化保護層具有暴露出源極圖案或汲極圖案的第二開口與暴露出第二接墊圖案的第三開口。
简体摘要：一种薄膜晶体管数组基板的制作方法包括下列步骤。先于基板上分别形成闸极图案与第一接垫图案，并依序形成闸极绝缘层与半导体层覆盖上述二图案。接着，形成图案化光阻层，并调整图案化光阻层在不同区域的光阻区块厚度与适当图案。再经由蚀刻制程、缩减图案化光阻层制程，以移除位于第一接垫图案上方之半导体层与闸极绝缘层。之后，移除图案化光阻层，形成源极图案、汲极图案与第一接垫图案电性连接的第二接垫图案。接着，形成图案化保护层于闸极绝缘层上，而图案化保护层具有暴露出源极图案或汲极图案的第二开口与暴露出第二接垫图案的第三开口。

10. 发明专利

TW201238063A 具有雙接面之光伏打裝置 PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH DOUBLE-JUNCTION 审中-公开
简体标题：具有双接面之光伏打设备 PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH DOUBLE-JUNCTION
公开(公告)号：TW201238063A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100121650
申请日：2011-06-21
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：黃明政 , 林漢塗
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0475 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0682 , H01L31/0684 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548
摘要：一種光伏打裝置,包含基板、第一、第二與第三摻雜區。基板具有第一摻雜型式。基板之第一摻雜區具有第二摻雜型式。第二摻雜區在部份第一摻雜區中,並暴露出第一摻雜區之其他部份。第三摻雜區在第一摻雜區之暴露出部份中。第二摻雜型式與第一摻雜型式之極性實質上相反。第二摻雜區與第一摻雜型式之極性實質上相同,第二摻雜區之摻雜濃度實質上大於基板之摻雜濃度。第三摻雜區與第二摻雜型式之極性實質上相同,第三摻雜區之摻雜濃度實質上大於第一摻雜區之摻雜濃度。第一摻雜型式為N型與P型中之一者,第二摻雜型式為P型與N型中之另一者。
简体摘要：一种光伏打设备,包含基板、第一、第二与第三掺杂区。基板具有第一掺杂型式。基板之第一掺杂区具有第二掺杂型式。第二掺杂区在部份第一掺杂区中,并暴露出第一掺杂区之其他部份。第三掺杂区在第一掺杂区之暴露出部份中。第二掺杂型式与第一掺杂型式之极性实质上相反。第二掺杂区与第一掺杂型式之极性实质上相同,第二掺杂区之掺杂浓度实质上大于基板之掺杂浓度。第三掺杂区与第二掺杂型式之极性实质上相同,第三掺杂区之掺杂浓度实质上大于第一掺杂区之掺杂浓度。第一掺杂型式为N型与P型中之一者,第二掺杂型式为P型与N型中之另一者。

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