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1. 发明专利

TWI408812B 畫素結構的製作方法有权
简体标题：像素结构的制作方法
公开(公告)号：TWI408812B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW096147035
申请日：2007-12-10
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：廖達文 , LIAO, TA WEN , 楊智鈞 , YANG, CHIH CHUN , 黃明遠 , HUANG, MING YUAN , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 石志鴻 , SHIH, CHIH HUNG , 廖金閱 , LIAO, CHIN YUEH , 蔡佳琪 , TSAI, CHIA CHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/13439

2. 发明专利

TW201723605A 顯示裝置审中-公开
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TW201723605A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104143581
申请日：2015-12-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：周嘉田 , CHOU, CHIA TIEN , 蔡佳琪 , TSAI, CHIA CHI
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1343
摘要：顯示裝置包含基板以及分別在基板之中心線相對二側的第一畫素與第二畫素。第一畫素包含具有第一主幹電極的第一畫素電極以及與第一主幹電極部分重疊的第一遮蔽電極。第二畫素包含具有第二主幹電極的第二畫素電極以及與第二主幹電極部分重疊的第二遮蔽電極。第一主幹電極的中心線位於基板之中心線與第一遮蔽電極的中心線之間，且第二主幹電極的中心線位於基板之中心線與第二遮蔽電極的中心線之間；或者第一遮蔽電極的中心線位於基板之中心線與第一主幹電極的中心線之間，且第二遮蔽電極的中心線位於基板之中心線與第二主幹電極的中心線之間。
简体摘要：显示设备包含基板以及分别在基板之中心线相对二侧的第一像素与第二像素。第一像素包含具有第一主干电极的第一像素电极以及与第一主干电极部分重叠的第一屏蔽电极。第二像素包含具有第二主干电极的第二像素电极以及与第二主干电极部分重叠的第二屏蔽电极。第一主干电极的中心线位于基板之中心线与第一屏蔽电极的中心线之间，且第二主干电极的中心线位于基板之中心线与第二屏蔽电极的中心线之间；或者第一屏蔽电极的中心线位于基板之中心线与第一主干电极的中心线之间，且第二屏蔽电极的中心线位于基板之中心线与第二主干电极的中心线之间。

3. 发明专利

TWI675237B 顯示裝置有权
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TWI675237B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107120514
申请日：2018-06-14
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳俐伽 , CHEN, LI-JIA , 蔡佳琪 , TSAI, CHIA-CHI , 蔡璧妃 , TSAI, PI-FEI
IPC分类号： G02F1/1335 , G06F9/00

4. 发明专利

TWI560494B 顯示裝置有权
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TWI560494B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104143581
申请日：2015-12-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：周嘉田 , CHOU, CHIA TIEN , 蔡佳琪 , TSAI, CHIA CHI
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1343

5. 发明专利

TWI466298B 畫素結構的製作方法有权
简体标题：像素结构的制作方法
公开(公告)号：TWI466298B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW096133816
申请日：2007-09-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：詹勳昌 , JAN, SHIUN CHANG , 楊智鈞 , YANG, CHIH CHUN , 黃明遠 , HUANG, MING YUAN , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 石志鴻 , SHIH, CHIH HUNG , 廖達文 , LIAO, TA WEN , 蔡佳琪 , TSAI, CHIA CHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/1248 , G02F1/136227 , H01L27/1288

6. 发明专利

TWI352235B 畫素結構的製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE 有权
简体标题：像素结构的制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TWI352235B
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：TW096133056
申请日：2007-09-05
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：鄭逸聖 , 蔡佳琪
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214
摘要：一種畫素結構的製作方法包括下列步驟。先提供一已形成主動元件之基板，主動元件具有閘極、閘介電層與半導體層，其中半導體層具有通道區、源極區與汲極區。形成介電層覆蓋主動元件，再形成光阻層於介電層上。光阻層具有相鄰接之第一與第二光阻區塊，且第一光阻區塊厚度大於第二光阻區塊厚度。第二光阻區塊具有位於源極區與汲極區上方的開口。以光阻層為罩幕移除部份介電層以暴露出源極區與汲極區，並在移除第二光阻區塊後，形成第二金屬層，接著移除第一光阻區塊以構成源極與汲極。接著，形成與汲極連接之畫素電極。
简体摘要：一种像素结构的制作方法包括下列步骤。先提供一已形成主动组件之基板，主动组件具有闸极、闸介电层与半导体层，其中半导体层具有信道区、源极区与汲极区。形成介电层覆盖主动组件，再形成光阻层于介电层上。光阻层具有相邻接之第一与第二光阻区块，且第一光阻区块厚度大于第二光阻区块厚度。第二光阻区块具有位于源极区与汲极区上方的开口。以光阻层为罩幕移除部份介电层以暴露出源极区与汲极区，并在移除第二光阻区块后，形成第二金属层，接着移除第一光阻区块以构成源极与汲极。接着，形成与汲极连接之像素电极。

7. 发明专利

TWI343128B 基板模組及可撓性陣列基板之製造方法 SUBSTRATE MODULE AND MANUFACTURING METHOD OF FLEXIBLE ARRAY SUBSTRATE 有权
简体标题：基板模块及可挠性数组基板之制造方法 SUBSTRATE MODULE AND MANUFACTURING METHOD OF FLEXIBLE ARRAY SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI343128B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW096108220
申请日：2007-03-09
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：方國龍 , 黃俊傑 , 林漢塗 , 蔡佳琪
IPC分类号： H01L
摘要：一種可撓性陣列基板的製造方法。首先，提供一硬質基板。然後，於硬質基板上形成緩衝層。接著，將可撓性基板黏著於緩衝層上，以形成一基板模組。隨之，於可撓性基板上進行成膜製程。值得注意的是，形成緩衝層於硬質基板上時所產生的應力狀態及緩衝層之物理性質可使可撓性基板在經過成膜製程所導致之熱膨脹收縮後所產生的翹曲減小。在經過成膜製程之後，可撓性基板不易產生翹曲或是變形，因而提升可撓性陣列基板的製程良率。
简体摘要：一种可挠性数组基板的制造方法。首先，提供一硬质基板。然后，于硬质基板上形成缓冲层。接着，将可挠性基板黏着于缓冲层上，以形成一基板模块。随之，于可挠性基板上进行成膜制程。值得注意的是，形成缓冲层于硬质基板上时所产生的应力状态及缓冲层之物理性质可使可挠性基板在经过成膜制程所导致之热膨胀收缩后所产生的翘曲减小。在经过成膜制程之后，可挠性基板不易产生翘曲或是变形，因而提升可挠性数组基板的制程良率。

8. 发明专利

TWI334647B 畫素結構的製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE 有权
简体标题：像素结构的制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TWI334647B
公开(公告)日：2010-12-11
申请号：TW096107326
申请日：2007-03-03
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：石志鴻 , 黃明遠 , 楊智鈞 , 林漢塗 , 廖達文 , 方國龍 , 蔡佳琪
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/13439 , H01L27/1214
摘要：一種畫素結構的製作方法包括下列步驟。首先，提供一已形成有一主動元件之基板。接著，形成一圖案化保護層於基板與主動元件上，圖案化保護層暴露出部分之主動元件。繼之，形成一導電層覆蓋該圖案化保護層，且導電層電性連接至主動元件。接著，提供一光罩於導電層上方，且光罩暴露出部分的導電層，再使用雷射經由光罩照射導電層，以移除光罩所暴露的部分導電層，而剩餘的導電層構成一畫素電極且電性連接至該主動元件。此製作方法較為簡單因而降低製作成本。
简体摘要：一种像素结构的制作方法包括下列步骤。首先，提供一已形成有一主动组件之基板。接着，形成一图案化保护层于基板与主动组件上，图案化保护层暴露出部分之主动组件。继之，形成一导电层覆盖该图案化保护层，且导电层电性连接至主动组件。接着，提供一光罩于导电层上方，且光罩暴露出部分的导电层，再使用激光经由光罩照射导电层，以移除光罩所暴露的部分导电层，而剩余的导电层构成一像素电极且电性连接至该主动组件。此制作方法较为简单因而降低制作成本。

9. 发明专利

TWI328862B 畫素結構的製作方法 METHOD FOR FABRICATING PIXEL STRUCTURE 有权
简体标题：像素结构的制作方法 METHOD FOR FABRICATING PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TWI328862B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：TW097125584
申请日：2008-07-07
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：賴哲永 , 張宗隆 , 蔡佳琪 , 童振邦 , 張家銘 , 江俊毅 , 余宙桓 , 蕭祥志 , 周漢唐 , 張峻愷 , 廖達文
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L27/1248 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136222 , H01L27/1214 , H01L27/1288
摘要：一種畫素結構的製作方法如下所述。首先，於基板上形成閘極，並於基板上形成閘絕緣層以覆蓋閘極。然後，於閘絕緣層上形成通道層並於通道層與閘絕緣層上形成導電層。接著，於導電層上形成具有彩色濾光層容納開口的感光型黑矩陣，其包括第一區塊與第二區塊，第一區塊的厚度小於第二區塊的厚度。然後，以感光型黑矩陣為罩幕圖案化導電層以於通道層上形成源極與汲極。之後，藉由噴墨印刷製程於彩色濾光層容納開口內形成彩色濾光層，並於感光型黑矩陣與彩色濾光層上形成介電層。然後，圖案化介電層以使汲極暴露並形成與汲極電性連接之畫素電極。
简体摘要：一种像素结构的制作方法如下所述。首先，于基板上形成闸极，并于基板上形成闸绝缘层以覆盖闸极。然后，于闸绝缘层上形成信道层并于信道层与闸绝缘层上形成导电层。接着，于导电层上形成具有彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，其包括第一区块与第二区块，第一区块的厚度小于第二区块的厚度。然后，以感光型黑矩阵为罩幕图案化导电层以于信道层上形成源极与汲极。之后，借由喷墨印刷制程于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于感光型黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。然后，图案化介电层以使汲极暴露并形成与汲极电性连接之像素电极。

10. 发明专利

TW201719246A 顯示面板审中-公开
简体标题：显示皮肤
公开(公告)号：TW201719246A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104138111
申请日：2015-11-18
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：蔡佳琪 , TSAI, CHIA-CHI , 周嘉田 , CHOU, CHIA-TIEN
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1362
摘要：一種顯示面板分成第一區域以及位於第一區域外之第二區域，包括第一次畫素、第二次畫素、第一畫素電極、第二畫素電極以及黑色矩陣。第一次畫素內之第一畫素電極具有一第一均分線之第一投影形狀，且第一畫素電極之主電極位於第一均分線上。第二次畫素內之第二畫素電極具有一第二均分線之第二投影形狀，且第二畫素電極之主電極不位於第二均分線上。黑色矩陣具有複數個開口，開口包括第一開口與第二開口，第一開口曝露出位於第一區域的第一次畫素與第一畫素電極，且第二開口曝露出位於第二區域的第二次畫素與第二畫素電極。
简体摘要：一种显示皮肤分成第一区域以及位于第一区域外之第二区域，包括第一次像素、第二次像素、第一像素电极、第二像素电极以及黑色矩阵。第一次像素内之第一像素电极具有一第一均分线之第一投影形状，且第一像素电极之主电极位于第一均分在线。第二次像素内之第二像素电极具有一第二均分线之第二投影形状，且第二像素电极之主电极不位于第二均分在线。黑色矩阵具有复数个开口，开口包括第一开口与第二开口，第一开口曝露出位于第一区域的第一次像素与第一像素电极，且第二开口曝露出位于第二区域的第二次像素与第二像素电极。

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