发明申请
WO2012125299A1 P-TYPE ISOLATION REGIONS ADJACENT TO FACETS OF SEMICONDUCTOR QUANTUM CASCADE LASER
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： P-TYPE ISOLATION REGIONS ADJACENT TO FACETS OF SEMICONDUCTOR QUANTUM CASCADE LASER
- 专利标题（中）：P型隔离区域与SEMICONDUCTOR QUANTUM CASCADE LASER相似。
- 申请号：PCT/US2012/027192 申请日：2012-03-01
- 公开(公告)号：WO2012125299A1 公开(公告)日：2012-09-20
- 发明人： CANEAU, Catherine, G , XIE, Feng , ZAH, Chung-En
- 申请人： CORNING INCORPORATED , CANEAU, Catherine, G , XIE, Feng , ZAH, Chung-En
- 申请人地址： 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 US
- 专利权人： CORNING INCORPORATED,CANEAU, Catherine, G,XIE, Feng,ZAH, Chung-En
- 当前专利权人： CORNING INCORPORATED,CANEAU, Catherine, G,XIE, Feng,ZAH, Chung-En
- 当前专利权人地址： 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 US
- 代理机构： WATSON, Bruce, P
- 优先权： US13/050,058 20110317
- 主分类号： H01S5/0625
- IPC分类号： H01S5/0625 ; H01S5/16 ; H01S5/34 ; H01S5/223
摘要：
A quantum cascade laser and its method of fabrication are provided. The quantum cascade laser comprises an active waveguide core (29) sandwiched between upper (22, 26) and lower (24) n-type cladding layers which extend along a waveguide axis of the laser. A portion (40) of the upper n-type cladding layer comprises sufficient p-type dopant to have become p-type and to have become an electrical isolation region. The isolation regions may be solely provided at one or both of the window facet sections (13, 14) of the laser to provide vertical isolation in the facet sections, to reduce the current info the facet regions of the laser, and help minimize potentially harmful facet heating. Additional p-type electrical isolations regions (40) may be provided to form electrically isolated laser sections (10, 12, 16) extending along the waveguide axis of the laser.
摘要（中）：
提供了量子级联激光器及其制造方法。 量子级联激光器包括夹在沿激光器的波导轴线延伸的上（22,26）和下（24）n型包覆层之间的有源波导芯（29）。 上n型包覆层的一部分（40）包括足够的p型掺杂剂以变成p型并且已经成为电隔离区。 隔离区域可以单独设置在激光器的窗口小区部分（13,14）的一个或两个处，以在小面部分中提供垂直隔离，以减少激光器的小面区域的当前信息，并且帮助最小化潜在的有害 面加热。 可以提供附加的p型电隔离区域（40）以形成沿着激光器的波导轴线延伸的电隔离的激光器部分（10,12,16）。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01S | 利用受激发射的器件 |
| ------H01S5/00 | 半导体激光器 |
| --------H01S5/02 | .基本上不涉及激光作用的结构零件或组件 |
| ----------H01S5/062 | ..通过变化电极电位的 |
| ------------H01S5/0625 | ...在多节激光器里 |