基本信息:
- 专利标题： 穿隧磁阻效應元件之製造方法、及濺鍍裝置
- 专利标题（中）：穿隧磁阻效应组件之制造方法、及溅镀设备
- 申请号：TW103145932 申请日：2014-12-27
- 公开(公告)号：TWI535878B 公开(公告)日：2016-06-01
- 发明人： 大谷裕一 , OTANI, YUICHI , 清野拓哉 , SEINO, TAKUYA
- 申请人： 佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
- 专利权人： 佳能安內華股份有限公司,CANON ANELVA CORPORATION
- 当前专利权人： 佳能安內華股份有限公司,CANON ANELVA CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2014-026132 20140214
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C23C14/56
公开/授权文献:
- TW201533255A 穿隧磁阻效應元件之製造方法、及濺鍍裝置 公开/授权日：2015-09-01