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1. 发明专利

TW200845207A 氧化處理方法及氧化處理裝置审中-公开
简体标题：氧化处理方法及氧化处理设备
公开(公告)号：TW200845207A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097104640
申请日：2008-02-05
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：永峰佳紀 NAGAMINE, YOSHINORI , 渡邊直樹 WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08
摘要：本發明係在將具有氧化性氣體之導入口的電漿生成室、與具有排氣口且內部設有基板載置台的基板處理室經由具有多數貫通孔的分隔板連結,將氧化性氣體導入電漿生成室以產生電漿,將所生成的活性種引導至基板上,而在基板表面形成氧化層之氧化處理方法及處理裝置中,其特徵為:分隔板係設計成經由切換機構與電源連結以施加正、負或零的電壓,且在氧化處理中至少進行一次的電壓切換,改變被引導至基板上之活性種中的自由基、正離子及負離子的比例以進行氧化處理之構造。
简体摘要：本发明系在将具有氧化性气体之导入口的等离子生成室、与具有排气口且内部设有基板载置台的基板处理室经由具有多数贯通孔的分隔板链接,将氧化性气体导入等离子生成室以产生等离子,将所生成的活性种引导至基板上,而在基板表面形成氧化层之氧化处理方法及处理设备中,其特征为:分隔板系设计成经由切换机构与电源链接以施加正、负或零的电压,且在氧化处理中至少进行一次的电压切换,改变被引导至基板上之活性种中的自由基、正离子及负离子的比例以进行氧化处理之构造。

2. 发明专利

TW200746930A 薄片狀電漿產生裝置及使用此之成膜方法以及成膜裝置审中-公开
简体标题：薄片状等离子产生设备及使用此之成膜方法以及成膜设备
公开(公告)号：TW200746930A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW095138586
申请日：2006-10-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：齊藤友康 SAITOU, TOMOYASU , 森崇行 MORIWAKI, TAKAYUKI
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/3266 , C23C14/081 , C23C14/32 , H01J37/32357 , H01J37/32623
摘要：提供可放大成膜面積,並且可以使膜厚分佈更均勻化之薄片狀電漿產生裝置,和使用此之成膜裝置。為一種薄片狀電漿產生裝置,是屬於使自電漿槍藉由收斂線圈拉出電漿束,延伸於對該電漿束之前進方向呈正交之方向,通過由相向而互相平行被配置成為一對之永久磁石所構成的薄片化磁石形成的磁場之中,而薄片狀予以變形的薄片狀電漿產生裝置,薄片化磁石至少包含一個對應於電漿束之中心側之部份的排斥磁場强度,比對應於電漿束之外緣側之部份的排斥磁場强度更强的薄片化磁石。
简体摘要：提供可放大成膜面积,并且可以使膜厚分布更均匀化之薄片状等离子产生设备,和使用此之成膜设备。为一种薄片状等离子产生设备,是属于使自等离子枪借由收敛线圈拉出等离子束,延伸于对该等离子束之前进方向呈正交之方向,通过由相向而互相平行被配置成为一对之永久磁石所构成的薄片化磁石形成的磁场之中,而薄片状予以变形的薄片状等离子产生设备,薄片化磁石至少包含一个对应于等离子束之中心侧之部份的排斥磁场强度,比对应于等离子束之外缘侧之部份的排斥磁场强度更强的薄片化磁石。

3. 发明专利

TW200715448A 真空處理裝置、半導體裝置製造方法及半導體裝置製造系統审中-公开
简体标题：真空处理设备、半导体设备制造方法及半导体设备制造系统
公开(公告)号：TW200715448A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：TW095127057
申请日：2006-07-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：藤井隆博 FUJII TAKAHIRO , 田代征仁 TASHIRO, YUKIHITO , 伊谷晴治 ITANI, SEIJI , 栗田資三 KURITA, MOTOZO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67184 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67745
摘要：真空處理裝置(1、10、101、301)具備:至少3個搬送腔室(11、12、13),其具備搬送機械臂(11a、12a、13a)用於搬送基板;1個以上之處理腔室(51、52、61、62、71~75),被連接於各搬送腔室;1個共通真空腔室(21、102),內部設有1個以上之基板載置部(21a、102a、102b),配置成為至少3個搬送腔室之各個之搬送機械臂可到達基板載置部,在至少2個搬送腔室之各個與至少1個基板載置部之間,藉由搬送機械臂進行上述基板之收付;及載入鎖定腔室(81、82),連接於至少1個搬送腔室。
简体摘要：真空处理设备(1、10、101、301)具备:至少3个搬送腔室(11、12、13),其具备搬送机械臂(11a、12a、13a)用于搬送基板;1个以上之处理腔室(51、52、61、62、71~75),被连接于各搬送腔室;1个共通真空腔室(21、102),内部设有1个以上之基板载置部(21a、102a、102b),配置成为至少3个搬送腔室之各个之搬送机械臂可到达基板载置部,在至少2个搬送腔室之各个与至少1个基板载置部之间,借由搬送机械臂进行上述基板之收付;及加载锁定腔室(81、82),连接于至少1个搬送腔室。

4. 发明专利

TW200638082A 液晶注入裝置用液晶皿审中-公开
简体标题：液晶注入设备用液晶皿
公开(公告)号：TW200638082A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：TW094141266
申请日：2005-11-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：佐佐木直記 NAOKI SASAKI , 土井嘉幸 YOSHIYUKI DOI , 青山聰 SATOSHI AOYAMA
IPC分类号： G02F
摘要：本發明提供一種液晶皿(10)，具有貯存液晶(20)的溝部(10D)，在注入溝部的液晶於液晶顯示面板內部時，可藉由避免脫泡步驟之的液塊狀態，而提昇高價液晶材料的利用效率。於形成溝部內面的側面及底面施以處理，以形成提高親水性的撥水性減低部位(11)。其結果，使溝部內部的液晶流動性順暢，而抑制液晶內部的氣泡之空間的形成。液晶皿的上表面之中，上面(10U)的整個表面覆蓋溝部內側面上端緣(10E)而形成撥水性部材，而無撥水性減低部位。因此，貯存液晶於液晶皿時，液晶可充分地隆起於液晶皿的上表面。
简体摘要：本发明提供一种液晶皿(10)，具有贮存液晶(20)的沟部(10D)，在注入沟部的液晶于液晶显示皮肤内部时，可借由避免脱泡步骤之的液块状态，而提升高价液晶材料的利用效率。于形成沟部内面的侧面及底面施以处理，以形成提高亲水性的拨水性减低部位(11)。其结果，使沟部内部的液晶流动性顺畅，而抑制液晶内部的气泡之空间的形成。液晶皿的上表面之中，上面(10U)的整个表面覆盖沟部内侧面上端缘(10E)而形成拨水性部材，而无拨水性减低部位。因此，贮存液晶于液晶皿时，液晶可充分地隆起于液晶皿的上表面。

5. 发明专利

TW200905775A 真空處理裝置失效
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW200905775A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097111030
申请日：2008-03-27
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：野上裕 NOGAMI, HIROSHI
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01J37/32422 , C23C16/45565 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J37/32587
摘要：在真空處理容器之內部設置具有多數貫通孔之導電性之隔壁部,真空處理容器之內部空間被隔離成以對於上述隔壁部成為對向電極之方式配置高頻電極之電漿生成空間,和配置基板之基板處理空間而所構成之真空處理裝置,具備有在真空處理容器之側壁部與電漿生成空間連通之氣體貯存部;和與氣體貯存部連接,將氣體導入至該氣體貯存部之氣體導入系統。
简体摘要：在真空处理容器之内部设置具有多数贯通孔之导电性之隔壁部,真空处理容器之内部空间被隔离成以对于上述隔壁部成为对向电极之方式配置高频电极之等离子生成空间,和配置基板之基板处理空间而所构成之真空处理设备,具备有在真空处理容器之侧壁部与等离子生成空间连通之气体贮存部;和与气体贮存部连接,将气体导入至该气体贮存部之气体导入系统。

6. 发明专利

TW200723429A 晶圓保持器 WAFER HOLDER 审中-公开
简体标题：晶圆保持器 WAFER HOLDER
公开(公告)号：TW200723429A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095104424
申请日：2006-02-09
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：威克拉瑪納雅卡蘇尼爾 SUNIL, WICKRAMANAYAKA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68735 , C23C14/04 , C23C14/225 , C23C14/50 , C23C14/505 , H01J37/3417 , H01L21/67103 , H01L21/67109
摘要：本發明之目的係提供晶圓保持器,其包含在其上面載入晶圓之晶圓架台及圍繞該晶圓架台之晶圓架台外環,並使用於電漿處理室中,用於減少邊緣排除區域(EE),同時防止晶圓背部污染。一晶圓保持器包含晶圓架台及圍繞該晶圓架台之晶圓架台外環,其中該晶圓架台之直徑小於載入在該晶圓架台上之直徑,該晶圓架台外環在該外環的上側面具有一內徑,該內徑係大於載入在該晶圓架台上之晶圓的直徑,及該外環之上表面位在該晶圓架台上所載入晶圓之上表面上方。
简体摘要：本发明之目的系提供晶圆保持器,其包含在其上面加载晶圆之晶圆架台及围绕该晶圆架台之晶圆架台外环,并使用于等离子处理室中,用于减少边缘排除区域(EE),同时防止晶圆背部污染。一晶圆保持器包含晶圆架台及围绕该晶圆架台之晶圆架台外环,其中该晶圆架台之直径小于加载在该晶圆架台上之直径,该晶圆架台外环在该外环的上侧面具有一内径,该内径系大于加载在该晶圆架台上之晶圆的直径,及该外环之上表面位在该晶圆架台上所加载晶圆之上表面上方。

7. 发明专利

TW200823307A 電漿成膜裝置及膜的製法审中-公开
简体标题：等离子成膜设备及膜的制法
公开(公告)号：TW200823307A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096124737
申请日：2007-07-06
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：森崇行 MORIWAKI, TAKAYUKI , 齋藤友康 SAITO, TOMOYASU , 佐佐木雅夫 SASAKI, MASAO , 中河原均 NAKAGAWARA, HITOSHI
IPC分类号： C23C , G02F
CPC分类号： C23C14/081 , C23C14/28 , C23C14/46
摘要：本發明的電漿成膜裝置,係具有:電漿槍,其係照射電漿射束;及磁石,其係將磁場適用於從該電漿槍所照射的電漿射束,而使該電漿射束的射束剖面變形成大略長方形或橢圓形狀,其特徵為:具備複數個引入磁石單元,其係使上述射束剖面被變形的電漿射束偏向,而使該偏向的電漿射束照射於被照射體,在上述引入磁石單元配置有:被配置於上述被照射體的背面側的第1磁石、及與上述第1磁石同磁極的第2磁石,且上述第1磁石與上述第2磁石會在互相分開的狀態下並置。
简体摘要：本发明的等离子成膜设备,系具有:等离子枪,其系照射等离子射束;及磁石,其系将磁场适用于从该等离子枪所照射的等离子射束,而使该等离子射束的射束剖面变形成大略长方形或椭圆形状,其特征为:具备复数个引入磁石单元,其系使上述射束剖面被变形的等离子射束偏向,而使该偏向的等离子射束照射于被照射体,在上述引入磁石单元配置有:被配置于上述被照射体的背面侧的第1磁石、及与上述第1磁石同磁极的第2磁石,且上述第1磁石与上述第2磁石会在互相分开的状态下并置。

8. 发明专利

TW200729568A 磁阻效果元件 MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE 审中-公开
简体标题：磁阻效果组件 MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE
公开(公告)号：TW200729568A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095135565
申请日：2006-09-26
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：恆川孝二 TSUNEKAWA, KOJI , 大衛賈耶帕威拉 DJAYAPRAWIRA, DAVID D
IPC分类号： H01L , H01F
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11C11/161
摘要：本發明係提供一種磁阻效果元件,係具有:固定强磁性層、自由强磁性層、以及藉由此等的强磁性層所挾住的阻障層,其係於自由强磁性層使用硼B的添加量(b:原子%)為21%≦b≦23%的CoFeB而構成。藉此,在磁阻效果元件中,在維持高的MR比之狀態下,在磁致伸縮常數零附近,磁致伸縮常數不會陡急地變化。
简体摘要：本发明系提供一种磁阻效果组件,系具有:固定强磁性层、自由强磁性层、以及借由此等的强磁性层所挟住的阻障层,其系于自由强磁性层使用硼B的添加量(b:原子%)为21%≦b≦23%的CoFeB而构成。借此,在磁阻效果组件中,在维持高的MR比之状态下,在磁致伸缩常数零附近,磁致伸缩常数不会陡急地变化。

9. 发明专利

TW200717470A 磁阻效果元件之製造方法及製造裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT 审中-公开
简体标题：磁阻效果组件之制造方法及制造设备 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT
公开(公告)号：TW200717470A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095133876
申请日：2006-09-13
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：渡邊直樹 WATANABE, NAOKI , 小平吉三 KODAIRA, YOSHIMITSU , 大衛賈耶帕威拉 DJAYAPRAWIRA, DAVID D , 前原大樹 MAEHARA, HIROKI
IPC分类号： G11B , H01L
CPC分类号： H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/308
摘要：本發明之課題提供一種磁阻效果元件之製造方法及製造裝置,其在將構成磁阻效果元件之多層磁性膜加以加工時會減少所產生的損傷,可防止受到上述損傷而使磁性特性產生劣化,而適合製造高品質的磁阻效果元件。本發明之解決手段一種磁阻效果元件之製造方法及製造裝置,係包含一種工程,對於形成有構成磁阻效果元件之多層磁性膜的基板,以反應性離子蝕刻來加工上述多層磁性膜;其中,包含對進行了反應性離子蝕刻之多層磁性膜照射離子束的工程。
简体摘要：本发明之课题提供一种磁阻效果组件之制造方法及制造设备,其在将构成磁阻效果组件之多层磁性膜加以加工时会减少所产生的损伤,可防止受到上述损伤而使磁性特性产生劣化,而适合制造高品质的磁阻效果组件。本发明之解决手段一种磁阻效果组件之制造方法及制造设备,系包含一种工程,对于形成有构成磁阻效果组件之多层磁性膜的基板,以反应性离子蚀刻来加工上述多层磁性膜;其中,包含对进行了反应性离子蚀刻之多层磁性膜照射离子束的工程。

10. 发明专利

TW200702480A 薄膜形成方法审中-公开
公开(公告)号：TW200702480A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095108802
申请日：2006-03-15
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION , 日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION
发明人：野上裕 NOGAMI, HIROSHI , 湯田克久 YUDA, KATSUHISA , 田邊浩 TANABE, HIROSHI
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/452 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31612
摘要：本發明提供一種用以製作在低溫下矽基板與氧化矽膜的界面特性良好,且低界面陷阱密度之良質薄膜的薄膜形成方法。本發明之薄膜形成方法,係在真空容器內生成電漿而產生活性種(自由基),以材料氣體與該活性種在矽基板進行氧化矽膜之成膜的薄膜形成方法,在真空容器內使活性種(自由基)與材料氣體初次接觸,藉由兩者的反應,除了前述材料氣體以外,將含有氮原子的氣體導入至進行氧化矽膜形成在矽基板上的成膜處理空間,將在進行氧化矽膜形成在矽基板的成膜期間含有該氮原子的氣體流量,調整為至少於氧化矽膜形成在矽基板的成膜開始的時間點中為最大。
简体摘要：本发明提供一种用以制作在低温下硅基板与氧化硅膜的界面特性良好,且低界面猫腻密度之良质薄膜的薄膜形成方法。本发明之薄膜形成方法,系在真空容器内生成等离子而产生活性种(自由基),以材料气体与该活性种在硅基板进行氧化硅膜之成膜的薄膜形成方法,在真空容器内使活性种(自由基)与材料气体初次接触,借由两者的反应,除了前述材料气体以外,将含有氮原子的气体导入至进行氧化硅膜形成在硅基板上的成膜处理空间,将在进行氧化硅膜形成在硅基板的成膜期间含有该氮原子的气体流量,调整为至少于氧化硅膜形成在硅基板的成膜开始的时间点中为最大。

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