专利号TW098111819 | 貼合基板之製造方法

专利标题：貼合基板之製造方法
专利标题（中）：贴合基板之制造方法
申请号：TW098111819 申请日：2009-04-09
公开(公告)号：TWI492275B 公开(公告)日：2015-07-11
发明人：飛坂優二 , TOBISAKA, YUJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 伊藤厚雄 , ITO, ATSUO , 田中好一 , TANAKA, KOUICHI , 川合信 , KAWAI, MAKOTO , 秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 田村博 , TAMURA, HIROSHI
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
专利权人：信越化學工業股份有限公司,SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
当前专利权人：信越化學工業股份有限公司,SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
代理人：林志剛
优先权： 2008-102148 20080410
主分类号： H01L21/265
IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/30 ; H01L21/84

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/263	.....带有高能辐射的
------------------H01L21/265	......产生离子注入的

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