基本信息:
- 专利标题： 鑽石成膜用基底基板、以及使用其之鑽石基板的製造方法
- 专利标题（中）：钻石成膜用基底基板、以及使用其之钻石基板的制造方法
- 申请号：TW107103729 申请日：2018-02-02
- 公开(公告)号：TW201829857A 公开(公告)日：2018-08-16
- 发明人： 野口仁 , NOGUCHI, HITOSHI , 牧野俊晴 , MAKINO, TOSHIHARU , 小倉政彥 , OGURA, MASAHIKO , 加藤宙光 , KATO, HIROMITSU , 川島宏幸 , KAWASHIMA, HIROYUKI , 山崎聰 , YAMASAKI, SATOSHI , 德田規夫 , TOKUDA, NORIO
- 申请人： 日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 國立大學法人金澤大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KANAZAWA UNIVERSITY
- 专利权人： 日商信越化學工業股份有限公司,SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.,國立研究開發法人產業技術總合研究所,NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY,國立大學法人金澤大學,NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KANAZAWA UNIVERSITY
- 当前专利权人： 日商信越化學工業股份有限公司,SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.,國立研究開發法人產業技術總合研究所,NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY,國立大學法人金澤大學,NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KANAZAWA UNIVERSITY
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 2017-019159 20170206
- 主分类号： C30B25/18
- IPC分类号： C30B25/18 ; C30B29/04 ; H01L21/205
摘要：
本發明之目的在於提供一種鑽石基板的製造方法以及用於該方法的基底基板，其對於減低包含差排缺陷等的各種缺陷是有效的。 上述基底基板是用於利用化學氣相沉積法來成膜鑽石膜之基底基板，其特徵在於：前述基底基板的表面，相對於規定的晶面方位附有偏離角。
摘要（中）：
本发明之目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于该方法的基底基板，其对于减低包含差排缺陷等的各种缺陷是有效的。 上述基底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜之基底基板，其特征在于：前述基底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。