基本信息:
- 专利标题： 提供結晶半導體材料薄層之方法及相關結構與裝置
- 专利标题（英）：Methods of providing thin layers of crystalline semiconductor material, and related structures and devices
- 专利标题（中）：提供结晶半导体材料薄层之方法及相关结构与设备
- 申请号：TW102106329 申请日：2013-02-22
- 公开(公告)号：TW201347033A 公开(公告)日：2013-11-16
- 发明人： 山達卡 馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 朗度 伊歐納特 , RADU, IONUT
- 申请人： 梭意泰科公司 , SOITEC
- 专利权人： 梭意泰科公司,SOITEC
- 当前专利权人： 梭意泰科公司,SOITEC
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 13/402,464 20120222;1252148 20120309
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306
摘要：
製造半導體裝置之方法包括在結晶矽層之一部分中形成金屬矽化物，及使用相對於結晶矽對金屬矽化物具選擇性之蝕刻劑蝕刻該金屬矽化物，得到薄結晶矽層。絕緣體上矽(SOI)基板可藉由如下步驟形成：在基礎基板上提供結晶矽層，其中在結晶聚矽氧層與基礎基板之間具有介電材料，及藉由在結晶矽之一部分中形成金屬矽化物層使結晶矽層變薄，及隨後使用相對於結晶矽對金屬矽化物層具選擇性之蝕刻劑蝕刻金屬矽化物層。
摘要（中）：
制造半导体设备之方法包括在结晶硅层之一部分中形成金属硅化物，及使用相对于结晶硅对金属硅化物具选择性之蚀刻剂蚀刻该金属硅化物，得到薄结晶硅层。绝缘体上硅(SOI)基板可借由如下步骤形成：在基础基板上提供结晶硅层，其中在结晶聚硅氧层与基础基板之间具有介电材料，及借由在结晶硅之一部分中形成金属硅化物层使结晶硅层变薄，及随后使用相对于结晶硅对金属硅化物层具选择性之蚀刻剂蚀刻金属硅化物层。
摘要（英）：
Methods of fabricating semiconductor devices include forming a metal silicide in a portion of a crystalline silicon layer, and etching the metal silicide using an etchant selective to the metal silicide relative to the crystalline silicon to provide a thin crystalline silicon layer. Silicon-on-insulator (SOI) substrates may be formed by providing a layer of crystalline silicon over a base substrate with a dielectric material between the layer of crystalline silicone and the base substrate, and thinning the layer of crystalline silicon by forming a metal silicide layer in a portion of the crystalline silicon, and then etching the metal silicide layer using an etchant selective to the metal silicide layer relative to the crystalline silicon.
公开/授权文献:
- TWI588886B 製造半導體裝置之方法 公开/授权日：2017-06-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |