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1. 发明专利

TWI588886B 製造半導體裝置之方法有权
简体标题：制造半导体设备之方法
公开(公告)号：TWI588886B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102106329
申请日：2013-02-22
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 朗度伊歐納特 , RADU, IONUT
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/32134 , H01L21/76254

2. 发明专利

TWI509713B 形成結合的半導體結構之方法及用該方法所形成之半導體結構失效
简体标题：形成结合的半导体结构之方法及用该方法所形成之半导体结构
公开(公告)号：TWI509713B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101107761
申请日：2012-03-07
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/52
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201347033A 提供結晶半導體材料薄層之方法及相關結構與裝置审中-公开
简体标题：提供结晶半导体材料薄层之方法及相关结构与设备
公开(公告)号：TW201347033A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102106329
申请日：2013-02-22
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 朗度伊歐納特 , RADU, IONUT
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/32134 , H01L21/76254
摘要：製造半導體裝置之方法包括在結晶矽層之一部分中形成金屬矽化物，及使用相對於結晶矽對金屬矽化物具選擇性之蝕刻劑蝕刻該金屬矽化物，得到薄結晶矽層。絕緣體上矽(SOI)基板可藉由如下步驟形成：在基礎基板上提供結晶矽層，其中在結晶聚矽氧層與基礎基板之間具有介電材料，及藉由在結晶矽之一部分中形成金屬矽化物層使結晶矽層變薄，及隨後使用相對於結晶矽對金屬矽化物層具選擇性之蝕刻劑蝕刻金屬矽化物層。
简体摘要：制造半导体设备之方法包括在结晶硅层之一部分中形成金属硅化物，及使用相对于结晶硅对金属硅化物具选择性之蚀刻剂蚀刻该金属硅化物，得到薄结晶硅层。绝缘体上硅(SOI)基板可借由如下步骤形成：在基础基板上提供结晶硅层，其中在结晶聚硅氧层与基础基板之间具有介电材料，及借由在结晶硅之一部分中形成金属硅化物层使结晶硅层变薄，及随后使用相对于结晶硅对金属硅化物层具选择性之蚀刻剂蚀刻金属硅化物层。

4. 发明专利

TW201622106A 用於製造包括具有不同應變狀態之鰭式結構之半導體結構的方法及相關半導體結構审中-公开
简体标题：用于制造包括具有不同应变状态之鳍式结构之半导体结构的方法及相关半导体结构
公开(公告)号：TW201622106A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104130332
申请日：2015-09-14
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：阮碧言 , NGUYEN, BICH-YEN , 山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 梅維爾克力斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/165 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02002 , H01L21/22 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/76254 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7842 , H01L29/785
摘要：形成半導體結構之方法包括提供具有磊晶基層之多層基板，該磊晶基層上覆於在內埋氧化物層上方之應變主要半導體層。該磊晶基層內之元素係用以更改該多層基板之第一區域內的該主要半導體層中之應變狀態，而不更改該多層基板之第二區域內的該主要半導體層中之應變狀態。形成各自包含該多層基板之該第一區域內的該主要半導體層之部分的第一複數個電晶體通道結構，且形成各自包含該多層基板之該第二區域內的該主要半導體層之部分的第二複數個電晶體通道結構。藉由此等方法而製造之半導體結構可包括具有不同應變狀態之電晶體通道結構。
简体摘要：形成半导体结构之方法包括提供具有磊晶基层之多层基板，该磊晶基层上覆于在内埋氧化物层上方之应变主要半导体层。该磊晶基层内之元素系用以更改该多层基板之第一区域内的该主要半导体层中之应变状态，而不更改该多层基板之第二区域内的该主要半导体层中之应变状态。形成各自包含该多层基板之该第一区域内的该主要半导体层之部分的第一复数个晶体管信道结构，且形成各自包含该多层基板之该第二区域内的该主要半导体层之部分的第二复数个晶体管信道结构。借由此等方法而制造之半导体结构可包括具有不同应变状态之晶体管信道结构。

5. 发明专利

TW201618193A 用於製作包括具有不同應變狀態之電晶體通道之半導體結構之方法及相關半導體結構审中-公开
简体标题：用于制作包括具有不同应变状态之晶体管信道之半导体结构之方法及相关半导体结构
公开(公告)号：TW201618193A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104129408
申请日：2015-09-04
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 阮碧言 , NGUYEN, BICH-YEN , 朗度伊歐納特 , RADU, IONUT
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L27/085 , H01L29/02 , H01L29/772
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L21/845 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L27/1211 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/7847
摘要：本發明揭示製作一半導體結構之方法，其包括：將離子植入至一多層基板上之一應變半導體層之一第二區域中以非晶化該應變半導體層之該第二區域中之結晶半導體材料之一部分而不非晶化該應變半導體層之一第一區域。使該非晶區域再結晶，且使元素在該半導體層內擴散以提高該應變半導體層之該第二區域之一部分中之該等經擴散元素之一濃度並相對於該應變半導體層之該第一區域之一應變狀態而變更該應變半導體層之該第二區域之一應變狀態。形成各自包含該半導體層之該第一區域之一部分之第一複數個電晶體通道結構，且形成各自包含該半導體層之該第二區域之一部分之第二複數個電晶體通道結構。
简体摘要：本发明揭示制作一半导体结构之方法，其包括：将离子植入至一多层基板上之一应变半导体层之一第二区域中以非晶化该应变半导体层之该第二区域中之结晶半导体材料之一部分而不非晶化该应变半导体层之一第一区域。使该非晶区域再结晶，且使元素在该半导体层内扩散以提高该应变半导体层之该第二区域之一部分中之该等经扩散元素之一浓度并相对于该应变半导体层之该第一区域之一应变状态而变更该应变半导体层之该第二区域之一应变状态。形成各自包含该半导体层之该第一区域之一部分之第一复数个晶体管信道结构，且形成各自包含该半导体层之该第二区域之一部分之第二复数个晶体管信道结构。

7. 发明专利

TWI668840B 用於製造包括具有不同應變狀態之鰭式結構之半導體結構的方法及相關半導體結構有权
简体标题：用于制造包括具有不同应变状态之鳍式结构之半导体结构的方法及相关半导体结构
公开(公告)号：TWI668840B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104130332
申请日：2015-09-14
申请人：法商梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：阮碧言 , NGUYEN, BICH-YEN , 山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 梅維爾克力斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/165 , H01L29/78

8. 发明专利

TW201243965A 形成結合的半導體結構之方法及用該方法所形成之半導體結構 METHODS OF FORMING BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS 失效
简体标题：形成结合的半导体结构之方法及用该方法所形成之半导体结构 METHODS OF FORMING BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS
公开(公告)号：TW201243965A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101107761
申请日：2012-03-07
申请人：梭意泰科公司
发明人：山達卡馬瑞姆
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種形成結合的半導體結構之方法包含:提供包含一裝置結構之一第一半導體結構;在低於約400℃下將一第二半導體結構結合至該第一半導體結構;穿過該第二半導體結構且進入至該第一半導體結構中形成一穿晶圓互連件;及將一第三半導體結構在該第二半導體結構之與該第一半導體結構相對之一側上結合至該第二半導體結構。在額外實施例中,提供一第一半導體結構。將離子植入至一第二半導體結構中。將該第二半導體結構結合至該第一半導體結構。沿一離子植入平面將該第二半導體結構斷裂,至少部分地穿過該第一半導體結構及該第二半導體結構形成一穿晶圓互連件,及將一第三半導體結構在該第二半導體結構之與該第一半導體結構相對之一側上結合至該第二半導體結構。使用此等方法形成結合的半導體結構。
简体摘要：一种形成结合的半导体结构之方法包含:提供包含一设备结构之一第一半导体结构;在低于约400℃下将一第二半导体结构结合至该第一半导体结构;穿过该第二半导体结构且进入至该第一半导体结构中形成一穿晶圆互连件;及将一第三半导体结构在该第二半导体结构之与该第一半导体结构相对之一侧上结合至该第二半导体结构。在额外实施例中,提供一第一半导体结构。将离子植入至一第二半导体结构中。将该第二半导体结构结合至该第一半导体结构。沿一离子植入平面将该第二半导体结构断裂,至少部分地穿过该第一半导体结构及该第二半导体结构形成一穿晶圆互连件,及将一第三半导体结构在该第二半导体结构之与该第一半导体结构相对之一侧上结合至该第二半导体结构。使用此等方法形成结合的半导体结构。

9. 发明专利

TW201241937A 包含退火程序之半導體結構接合方法，經接合的半導體結構及使用該方法所形成的中間結構 METHODS FOR BONDING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INVOLVING ANNEALING PROCESSES, AND BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND INTERMEDIATE STRUCTURES FORMED USING SUCH METHODS 审中-公开
简体标题：包含退火进程之半导体结构接合方法，经接合的半导体结构及使用该方法所形成的中间结构 METHODS FOR BONDING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INVOLVING ANNEALING PROCESSES, AND BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND INTERMEDIATE STRUCTURES FORMED USING SUCH METHODS
公开(公告)号：TW201241937A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101108739
申请日：2012-03-14
申请人：梭意泰科公司
发明人：山達卡馬瑞姆 , 朗度伊歐納特 , 蘭德魯戴迪爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L2224/0312 , H01L2224/03466 , H01L2224/0381 , H01L2224/03845 , H01L2224/03848 , H01L2224/03901 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/05551 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/0805 , H01L2224/0807 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/08501 , H01L2224/0903 , H01L2224/80048 , H01L2224/80097 , H01L2224/80099 , H01L2224/80201 , H01L2224/80357 , H01L2224/8583 , H01L2224/85897 , H01L2224/85898 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01067 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/01015 , H01L2924/01014 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要：本發明係關於將半導體結構接合在一起之方法,其包含將半導體結構上之特徵的金屬退火,然後將該特徵直接接合至另一半導體結構之金屬特徵以形成經接合的金屬結構,及在該接合程序之後將該經接合的金屬結構退火。第一退火程序之熱預算可至少與後續退火程序之熱預算一樣高。其他方法涉及在金屬特徵中形成空隙,及將該金屬特徵退火以使該特徵之金屬擴展至該空隙中。使用此等方法形成經接合的半導體結構及中間結構。
简体摘要：本发明系关于将半导体结构接合在一起之方法,其包含将半导体结构上之特征的金属退火,然后将该特征直接接合至另一半导体结构之金属特征以形成经接合的金属结构,及在该接合进程之后将该经接合的金属结构退火。第一退火进程之热预算可至少与后续退火进程之热预算一样高。其他方法涉及在金属特征中形成空隙,及将该金属特征退火以使该特征之金属扩展至该空隙中。使用此等方法形成经接合的半导体结构及中间结构。

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