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1. 发明专利

TW201622106A 用於製造包括具有不同應變狀態之鰭式結構之半導體結構的方法及相關半導體結構审中-公开
简体标题：用于制造包括具有不同应变状态之鳍式结构之半导体结构的方法及相关半导体结构
公开(公告)号：TW201622106A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104130332
申请日：2015-09-14
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：阮碧言 , NGUYEN, BICH-YEN , 山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 梅維爾克力斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/165 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02002 , H01L21/22 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/76254 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7842 , H01L29/785
摘要：形成半導體結構之方法包括提供具有磊晶基層之多層基板，該磊晶基層上覆於在內埋氧化物層上方之應變主要半導體層。該磊晶基層內之元素係用以更改該多層基板之第一區域內的該主要半導體層中之應變狀態，而不更改該多層基板之第二區域內的該主要半導體層中之應變狀態。形成各自包含該多層基板之該第一區域內的該主要半導體層之部分的第一複數個電晶體通道結構，且形成各自包含該多層基板之該第二區域內的該主要半導體層之部分的第二複數個電晶體通道結構。藉由此等方法而製造之半導體結構可包括具有不同應變狀態之電晶體通道結構。
简体摘要：形成半导体结构之方法包括提供具有磊晶基层之多层基板，该磊晶基层上覆于在内埋氧化物层上方之应变主要半导体层。该磊晶基层内之元素系用以更改该多层基板之第一区域内的该主要半导体层中之应变状态，而不更改该多层基板之第二区域内的该主要半导体层中之应变状态。形成各自包含该多层基板之该第一区域内的该主要半导体层之部分的第一复数个晶体管信道结构，且形成各自包含该多层基板之该第二区域内的该主要半导体层之部分的第二复数个晶体管信道结构。借由此等方法而制造之半导体结构可包括具有不同应变状态之晶体管信道结构。

2. 发明专利

TWI588886B 製造半導體裝置之方法有权
简体标题：制造半导体设备之方法
公开(公告)号：TWI588886B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102106329
申请日：2013-02-22
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 朗度伊歐納特 , RADU, IONUT
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/32134 , H01L21/76254

3. 发明专利

TWI509713B 形成結合的半導體結構之方法及用該方法所形成之半導體結構失效
简体标题：形成结合的半导体结构之方法及用该方法所形成之半导体结构
公开(公告)号：TWI509713B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101107761
申请日：2012-03-07
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/52
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201347033A 提供結晶半導體材料薄層之方法及相關結構與裝置审中-公开
简体标题：提供结晶半导体材料薄层之方法及相关结构与设备
公开(公告)号：TW201347033A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102106329
申请日：2013-02-22
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 朗度伊歐納特 , RADU, IONUT
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/32134 , H01L21/76254
摘要：製造半導體裝置之方法包括在結晶矽層之一部分中形成金屬矽化物，及使用相對於結晶矽對金屬矽化物具選擇性之蝕刻劑蝕刻該金屬矽化物，得到薄結晶矽層。絕緣體上矽(SOI)基板可藉由如下步驟形成：在基礎基板上提供結晶矽層，其中在結晶聚矽氧層與基礎基板之間具有介電材料，及藉由在結晶矽之一部分中形成金屬矽化物層使結晶矽層變薄，及隨後使用相對於結晶矽對金屬矽化物層具選擇性之蝕刻劑蝕刻金屬矽化物層。
简体摘要：制造半导体设备之方法包括在结晶硅层之一部分中形成金属硅化物，及使用相对于结晶硅对金属硅化物具选择性之蚀刻剂蚀刻该金属硅化物，得到薄结晶硅层。绝缘体上硅(SOI)基板可借由如下步骤形成：在基础基板上提供结晶硅层，其中在结晶聚硅氧层与基础基板之间具有介电材料，及借由在结晶硅之一部分中形成金属硅化物层使结晶硅层变薄，及随后使用相对于结晶硅对金属硅化物层具选择性之蚀刻剂蚀刻金属硅化物层。

5. 发明专利

TW201618193A 用於製作包括具有不同應變狀態之電晶體通道之半導體結構之方法及相關半導體結構审中-公开
简体标题：用于制作包括具有不同应变状态之晶体管信道之半导体结构之方法及相关半导体结构
公开(公告)号：TW201618193A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104129408
申请日：2015-09-04
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 阮碧言 , NGUYEN, BICH-YEN , 朗度伊歐納特 , RADU, IONUT
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L27/085 , H01L29/02 , H01L29/772
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L21/845 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L27/1211 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/7847
摘要：本發明揭示製作一半導體結構之方法，其包括：將離子植入至一多層基板上之一應變半導體層之一第二區域中以非晶化該應變半導體層之該第二區域中之結晶半導體材料之一部分而不非晶化該應變半導體層之一第一區域。使該非晶區域再結晶，且使元素在該半導體層內擴散以提高該應變半導體層之該第二區域之一部分中之該等經擴散元素之一濃度並相對於該應變半導體層之該第一區域之一應變狀態而變更該應變半導體層之該第二區域之一應變狀態。形成各自包含該半導體層之該第一區域之一部分之第一複數個電晶體通道結構，且形成各自包含該半導體層之該第二區域之一部分之第二複數個電晶體通道結構。
简体摘要：本发明揭示制作一半导体结构之方法，其包括：将离子植入至一多层基板上之一应变半导体层之一第二区域中以非晶化该应变半导体层之该第二区域中之结晶半导体材料之一部分而不非晶化该应变半导体层之一第一区域。使该非晶区域再结晶，且使元素在该半导体层内扩散以提高该应变半导体层之该第二区域之一部分中之该等经扩散元素之一浓度并相对于该应变半导体层之该第一区域之一应变状态而变更该应变半导体层之该第二区域之一应变状态。形成各自包含该半导体层之该第一区域之一部分之第一复数个晶体管信道结构，且形成各自包含该半导体层之该第二区域之一部分之第二复数个晶体管信道结构。

7. 发明专利

TWI668840B 用於製造包括具有不同應變狀態之鰭式結構之半導體結構的方法及相關半導體結構有权
简体标题：用于制造包括具有不同应变状态之鳍式结构之半导体结构的方法及相关半导体结构
公开(公告)号：TWI668840B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104130332
申请日：2015-09-14
申请人：法商梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：阮碧言 , NGUYEN, BICH-YEN , 山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 梅維爾克力斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/165 , H01L29/78

8. 发明专利

TWI543273B 在三度空間集積製程中使用可回收底材形成之接合半導體構造有权
简体标题：在三度空间集积制程中使用可回收底材形成之接合半导体构造
公开(公告)号：TWI543273B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW101125167
申请日：2012-07-12
申请人：索泰克公司 , SOITEC
发明人：阮璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 沙達卡瑪麗姆 , SADAKA, MARIAM
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/80 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/80006 , H01L2224/80095 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/95001 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06572 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2924/3511 , H01L2924/00

9. 发明专利

TWI493690B 半導體構造直接鍵結之改良鍵結表面有权
简体标题：半导体构造直接键结之改良键结表面
公开(公告)号：TWI493690B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101120333
申请日：2012-06-06
申请人：索泰克公司 , SOITEC
发明人：沙達卡瑪麗姆 , SADAKA, MARIAM
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/70
CPC分类号： H01L2224/11

10. 发明专利

TW201308576A 半導體構造直接鍵結之改良鍵結表面审中-公开
简体标题：半导体构造直接键结之改良键结表面
公开(公告)号：TW201308576A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101120333
申请日：2012-06-06
申请人：索泰克公司 , SOITEC
发明人：沙達卡瑪麗姆 , SADAKA, MARIAM
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/70
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：將一第一半導體結構直接鍵結至一第二半導體結構之方法，其包括在導電材料對導電材料直接鍵結之一製程中，將該第一半導體結構中該至少一個元件結構直接鍵結至該第二半導體結構中該至少一個元件結構。在一些實施例中，可以在進行鍵結製程前使該第一半導體結構中該至少一個元件結構突出一段距離，而在該第一半導體結構上超出相鄰之介電材料。在一些實施例中，該些元件結構中的一個或多個可以包含自一基底結構延伸出來的多個組成凸起。應用此等方法製作之鍵結半導體結構。
简体摘要：将一第一半导体结构直接键结至一第二半导体结构之方法，其包括在导电材料对导电材料直接键结之一制程中，将该第一半导体结构中该至少一个组件结构直接键结至该第二半导体结构中该至少一个组件结构。在一些实施例中，可以在进行键结制程前使该第一半导体结构中该至少一个组件结构突出一段距离，而在该第一半导体结构上超出相邻之介电材料。在一些实施例中，该些组件结构中的一个或多个可以包含自一基底结构延伸出来的多个组成凸起。应用此等方法制作之键结半导体结构。

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