专利号TW101121830 | 微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法

专利标题：微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法
专利标题（英）：Laminate for forming fine pattern, and method for producing laminate for forming fine pattern
专利标题（中）：微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体之制造方法
申请号：TW101121830 申请日：2012-06-18
公开(公告)号：TW201327631A 公开(公告)日：2013-07-01
发明人：古池潤 , KOIKE, JUN , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO , 前田雅俊 , MAEDA, MASATOSHI , 有久慎司 , ARIHISA, SHINJI
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
专利权人：旭化成股份有限公司,ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
当前专利权人：旭化成股份有限公司,ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
代理人：陳長文
优先权： 2011-139692 20110623;2011-185504 20110829;2011-185505 20110829;2011-285597 20111227;2011-286453 20111227;2012-013466 20120125;2012-022267 20120203;2012-037957 20120223;2012-038273 20120224
主分类号： H01L21/027
IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/00

摘要：

本發明係為於被處理體上形成高縱橫比之微細圖案，而提供一種可容易地形成殘膜較薄或無殘膜之微細圖案的微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法。本發明之微細圖案形成用積層體(1)之特徵在於：其係用以於被處理體(200)上經由第1遮罩層(103)而形成微細圖案(220)者，且包含表面具有凹凸結構(101a)之模具(101)、及設置於凹凸結構(101a)上之第2遮罩層(102)，關於第2遮罩層(102)，距離(lcc)與凹凸結構(101a)之高度(h)滿足下述式(1)，且距離(lcv)與高度(h)滿足下述式(2)：式(1)0＜lcc＜1.0h 式(2)0≦lcv≦0.05h。

摘要（中）：

本发明系为于被处理体上形成高纵横比之微细图案，而提供一种可容易地形成残膜较薄或无残膜之微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体之制造方法。本发明之微细图案形成用积层体(1)之特征在于：其系用以于被处理体(200)上经由第1遮罩层(103)而形成微细图案(220)者，且包含表面具有凹凸结构(101a)之模具(101)、及设置于凹凸结构(101a)上之第2遮罩层(102)，关于第2遮罩层(102)，距离(lcc)与凹凸结构(101a)之高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)与高度(h)满足下述式(2)：式(1)0＜lcc＜1.0h 式(2)0≦lcv≦0.05h。

摘要（英）：

Provided is a laminate for forming a fine pattern, whereby it is possible to easily form a fine pattern having a thin residual film or no residual films in order to form a fine pattern having a high aspect ratio on an object to be treated. Also provided is a method for producing said laminate for forming a fine pattern. This laminate (1) for forming a fine pattern is used for forming a fine pattern (220) on an object (200) to be treated via a first mask layer (103), the laminate (1) having: a mold (101) which has an uneven structure (101a) on the surface; and a second mask layer (102) disposed on the uneven structure (101a). The second mask layer (102) is characterized in that distance (1cc) and the height (h) of the uneven structure (101a) satisfy formula (1) and distance (1cv) and the height (h) satisfy formula (2): formula (1) being 0 < 1cc < 1.0h and formula (2) being 0 ≤ 1cv ≤ 0.05h.

TWI436405B 微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法公开/授权日：2014-05-01

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜

发明专利 TW201327631A 微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法 审中-公开

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