发明公开
KR1020070101436A 금층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터, 상기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 미세유동장치, 및 상기 전계 효과 트랜지스터 및 미세유동장치를 이용하여 티올기를 포함하는 분석물을 검출하는 방법
有权
基本信息:
- 专利标题： 금층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터, 상기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 미세유동장치, 및 상기 전계 효과 트랜지스터 및 미세유동장치를 이용하여 티올기를 포함하는 분석물을 검출하는 방법
- 专利标题（英）：A field effect transistor comprising a gold layer, a microfluidic device comprising the field effect transistor and a method of detecting an analyte having a thiol group using the field effect transistor and microfluidic device
- 专利标题（中）：包含金层的场效应晶体管，包含场效应晶体管的微流体器件以及使用场效应晶体管和微流体器件检测具有THIOL组的分析仪的方法
- 申请号：KR1020060032413 申请日：2006-04-10
- 公开(公告)号：KR1020070101436A 公开(公告)日：2007-10-17
- 发明人： 심저영 , 유규태 , 이규상 , 정원석 , 조연자 , 유창은
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/335 ; H01L29/78
摘要：
A field effect transistor including a gold layer, a micro-fluidic device having the field effect transistor, and a method of detecting an assay having a thiol group using the field effect transistor and the micro-fluidic device are provided to detect the assay in a sample by measuring electric signals such as current or voltage. A field effect transistor including a gold layer includes a substrate, a source area, a drain area, a channel area, an insulating layer, a gold layer, and a gate electrode. The substrate is made of a semiconductor material. The source and drain areas are formed inside the substrate by being separated from each other, and are doped with the opposite polarity to the substrate. The channel area is arranged between the source and drain areas. The insulating layer is arranged on the channel area. The gold layer is located on the insulating layer. The gate electrode is arranged on the insulating layer.
摘要（中）：
提供包括金层的场效应晶体管，具有场效应晶体管的微流体装置，以及使用场效应晶体管和微流体装置检测具有硫醇基的测定方法，以检测在 通过测量电流或电压等电信号进行采样。 包括金层的场效应晶体管包括衬底，源极区，漏极区，沟道区，绝缘层，金层和栅电极。 基板由半导体材料制成。 源极和漏极区域通过彼此分离而形成在衬底内部，并且以与衬底相反的极性掺杂。 通道区域布置在源区和漏区之间。 绝缘层布置在通道区域上。 金层位于绝缘层上。 栅极布置在绝缘层上。
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |