基本信息:
- 专利标题： 화학기상 증착장치
- 专利标题（英）：Chemical vapor deposition device having the same
- 专利标题（中）：具有相同的化学气相沉积装置
- 申请号：KR1020130020064 申请日：2013-02-25
- 公开(公告)号：KR101369452B1 公开(公告)日：2014-03-06
- 发明人： 이창엽
- 申请人： 인베니아 주식회사
- 申请人地址： 경기도 성남시 중원구 갈마치로 *** (상대원동)
- 专利权人： 인베니아 주식회사
- 当前专利权人： 인베니아 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 성남시 중원구 갈마치로 *** (상대원동)
- 代理人： 인비전 특허법인
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 공정챔버와, 상기 공정챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하며, 회전 구동되는 서셉터와, 상기 공정챔버의 내부로 제 1가스와 제 2가스를 분사하는 샤워헤드를 포함하되, 상기 샤워헤드는 본체와, 상기 본체의 내부에 마련되어 상기 제 1가스가 공급되며, 상기 제 1가스가 토출되는 복수의 제 1토출구가 형성되는 제 1가스챔버와, 상기 본체의 내부에 마련되어 상기 제 2가스가 공급되며, 상기 제 2가스가 토출되는 복수의 제 2토출구가 형성되는 제 2가스챔버를 포함하며, 상기 제 1가스챔버와 상기 제 1가스챔버는 동일 평면 상에서 상기 서셉터가 회전되는 방향으로 회전되는 회오리 형태로 서로 이웃되게 배치되며, 상기 복수의 제 1토출구와 상기 복수의 제 2토출구는 동일 평면 상에서 형성될 수 있다.
And mixing the different gases are smoothly in the interior of the chamber, since the process gas is ejected in a uniform distribution manner from the showerhead, the showerhead, and a chemical vapor deposition apparatus using the same to be deposited as a crystal layer of uniform thickness formed on the substrate is It is disclosed.
And chemical vapor deposition apparatus according to the present invention is the process chamber, and is disposed in the interior of the process chamber, supporting a substrate, and driven to rotate the susceptor and shower for injecting a first gas and the second gas to the interior of the process chamber, It comprises a head, wherein the shower head body, provided on the inside of the main body and the first gas is supplied, and the first gas chamber in which the first gas is formed with a plurality of first discharge port to be discharged, of the main body provided therein and supplying said second gas, and a second gas chamber in which a plurality of the second discharge port is formed in which the second gas is discharged, the on the same plane of the first gas chamber and the first gas chamber the susceptor is arranged to be adjacent to each other to form a vortex which rotates in the direction which is rotated, the plurality of second discharge ports are the plurality of the first discharge port it can be formed on the same plane.
公开/授权文献:
- KR1020130036103A 화학기상 증착장치 公开/授权日：2013-04-10
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |