基本信息:
- 专利标题： Nonvolatile semiconductor storage device
- 专利标题（中）：非易失性半导体存储器件
- 申请号：JP2013046983 申请日：2013-03-08
- 公开(公告)号：JP2014175480A 公开(公告)日：2014-09-22
- 发明人： TOKUHIRA KOKI , NAKAI TSUKASA , TANIMOTO KOKICHI , KONDO MASAKI , TODA TOSHIYUKI , AOKI NOBUTOSHI
- 申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
- 专利权人： Toshiba Corp,株式会社東芝
- 当前专利权人： Toshiba Corp,株式会社東芝
- 优先权： JP2013046983 2013-03-08
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; G11C16/02 ; G11C16/04 ; G11C16/06 ; H01L21/8246 ; H01L21/8247 ; H01L27/10 ; H01L27/105 ; H01L27/115 ; H01L29/788 ; H01L29/792
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile semiconductor storage device which achieves good controllability in a first insulation layer and which can reduce a leakage current from a second insulation layer due to a large coupling ratio, and which enables writing at low voltage.SOLUTION: A nonvolatile semiconductor storage device comprises a plurality of memory cells which can store data of more than binary. The memory cell includes a semiconductor layer 1B, a first insulation layer 2B on the semiconductor layer, a charge storage layer 3B on the first insulation layer, a second insulation layer 4B on the charge storage layer and a control gate electrode 5B on the second insulation layer. The second insulation layer 4B includes a ferroelectric layer. Further, polarized alignment pulse voltage is applied to the control gate electrode 5B before being read out.
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种非易失性半导体存储装置，其在第一绝缘层中实现良好的可控性，并且由于大的耦合比而能够减少来自第二绝缘层的漏电流，并且能够以低电压进行写入。解决方案： 非易失性半导体存储装置包括可存储多于二进制数据的多个存储单元。 存储单元包括半导体层1B，半导体层上的第一绝缘层2B，第一绝缘层上的电荷存储层3B，电荷存储层上的第二绝缘层4B和第二绝缘层上的控制栅电极5B 层。 第二绝缘层4B包括铁电层。 此外，在读出之前，将极化的取向脉冲电压施加到控制栅电极5B。
公开/授权文献:
- JP5793525B2 不揮発性半導体記憶装置 公开/授权日：2015-10-14
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |