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氢氟酸生成装置及氢氟酸生成方法

阅读：194发布：2020-05-12

IPRDB可以提供氢氟酸生成装置及氢氟酸生成方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明的课题是：利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的无机陶瓷系吸附剂，从含有氟的排水、废液中将氟进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸的情况下，提高氢氟酸的生成效率，并且抑制吸附剂劣化。因此，本发明提供一种氢氟酸生成装置，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中将氟离子进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸；且其具备蒸馏机构及冷却机构，所述蒸馏机构使上述吸附剂与强碱或强酸反应，并且添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体，所述冷却机构冷却由上述蒸馏机构所生成的六氟硅酸气体，并进行水解来生成氢氟酸。，下面是氢氟酸生成装置及氢氟酸生成方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种氢氟酸生成装置，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中将氟离子进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸；其中，具备蒸馏机构及冷却机构：所述蒸馏机构添加所述吸附剂及强碱或强酸进行反应，并且添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体，所述冷却机构冷却由所述蒸馏机构所生成的六氟硅酸气体，并进行水解来生成氢氟酸。

2.权利要求1所述的氢氟酸生成装置，其中，所述蒸馏机构进一步添加磷酸。

3.权利要求1或2所述的氢氟酸生成装置，其中，所述蒸馏机构蒸馏操作的加热温度设定为110℃～160℃。

4.权利要求1～3中任一项所述的氢氟酸生成装置，其中，所述氢氟酸生成装置进一步包含清洗机构，该机构在所述蒸馏机构中蒸馏操作的加热温度达到130℃以上之后，利用水蒸气将六氟硅酸气体从所述蒸馏机构清洗至所述冷却机构。

5.权利要求4所述的氢氟酸生成装置，其中，所述清洗机构将水蒸气清洗的初期速度设定为1分钟送出相对于反应物总量约1/10以下的量的水蒸气的速度，并阶段性地加快清洗速度，在由冷却机构所生成的氢氟酸量相对于所述反应物总量达到约1～5倍的阶段，停止水蒸气的清洗。

6.权利要求4或5所述的氢氟酸生成装置，其中，所述冷却机构在1℃～20℃的范围将六氟硅酸气体及水蒸气液化来获得氢氟酸。

7.一种氢氟酸生成方法，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中，将氟离子进行吸附处理至吸附饱和，并使用吸附处理后的吸附剂来使氢氟酸再生；其中，具有蒸馏工序及冷却工序，所述蒸馏工序阶段性一定量地添加所述吸附剂及强碱或强酸进行反应，并进一步添加微量的结晶性二氧化硅及磷酸进行反应来暂时生成六氟硅酸，所述冷却工序一面将已生成的六氟硅酸冷却并液化，一面使其水解来生成氢氟酸。

说明书全文

技术领域

本发明涉及一种以吸附剂，从排水、废液、废气中、废弃物中等所含的氟化合物或氟混合物中，将含氟化物的有害物质进行吸附处理，并由该吸附剂生成氢氟酸(氟化氢酸)的装置及方法。

背景技术

关于除去排水、废液中所含的氟，并回收该氟的方法，称为晶析法的方法是广为人知的，该方法根据重结晶析出原理，将废液中的氟离子制成氟化钙(CaF2)后取出。然而，此晶析法在生成高纯度的氟化钙 (CaF2)时存在以下的问题：无法从含有氟以外的杂质的排水、废液进行再生，仅限于半导体制造中所使用的高纯度氢氟酸废液，而且为了获得氢氟酸需要从氟化钙生成氢氟酸的工序。
作为解决此问题的方法，在下述专利文献1中揭示有使用吸附剂来再生氢氟酸的方法。此方法利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的无机陶瓷系吸附剂，从含有氟的排水、废液中将氟进行吸附处理，使用吸附处理后的吸附剂来使氢氟酸再生，并利用蒸馏机构来使吸附剂与浓硫酸溶液反应而从吸附剂分离出氟，将通过蒸馏操作所生成的氟化氢气体予以液化来获得氢氟酸。若根据此方法，即使从含有各种杂质的氢氟酸排水等亦可直接再生氢氟酸。

发明内容

然而，若根据上述专利文献1所记载的方法，在吸附剂中作为杂质而含有其它金属成分时，氟化物的氟离子容易与其它金属成分结合，从而产生氢氟酸生成效率降低的问题。而且，由于吸附剂中的二氧化硅因与浓硫酸反应而分解消失，因此亦发生吸附剂劣化而无法使用的问题。
有鉴于此问题，本发明的课题是利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的无机陶瓷系吸附剂，从含有氟的排水、废液中将氟进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸的情况下，提高氢氟酸的生成效率，并且抑制吸附剂劣化。
为了解决上述课题，本发明具有如下构成。
第1项所述的发明是一种氢氟酸生成装置，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中将氟离子进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸；其中，具备蒸馏机构及冷却机构，所述蒸馏机构使上述吸附剂与强碱或强酸反应，并且添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体，所述冷却机构冷却由上述蒸馏机构所生成的六氟硅酸气体，并进行水解来生成氢氟酸。
第2项所述的发明是在所述氢氟酸生成装置中，其中，所述蒸馏机构进一步添加磷酸。
第3项所述的发明是在所述氢氟酸生成装置中，其中，所述蒸馏机构蒸馏操作的加热温度设定为110℃～160℃。
第4项所述的发明是在所述氢氟酸生成装置中，其中，进一步包含清洗机构，其在所述蒸馏机构中所述蒸馏操作的加热温度达到130℃以上以后，利用水蒸气，将六氟硅酸气体从所述蒸馏机构清洗至所述冷却机构。
第5项所述的发明是在第4项所述的氢氟酸生成装置中，所述清洗机构将水蒸气的清洗的初期速度设定为1分钟送出相对于反应物总量约 1/10以下的量的水蒸气的速度，并阶段性地加快清洗速度，在由冷却机构所生成的氢氟酸量相对于所述反应物总量达到约1～5倍的阶段，停止水蒸气的清洗。此外，此处的量意味着质量，反应物总量意味着包括吸附剂量及添加的强碱或强酸及结晶性二氧化硅、进而添加磷酸时还包括磷酸的总反应物量。
第6项所述的发明是在第4或5项所述的氢氟酸生成装置中，所述冷却机构在1℃～20℃的范围将六氟硅酸气体及水蒸气液化来形成氢氟酸。
第7项所述的发明是一种氢氟酸生成方法，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物等中将氟离子进行吸附处理至吸附饱和，并使用吸附处理后的吸附剂来使氢氟酸再生；其中，具有蒸馏工序及冷却工序，所述蒸馏工序阶段性一定量地添加上述吸附剂及强碱或强酸进行反应，并进一步添加微量的结晶性二氧化硅及磷酸进行反应来暂时生成六氟硅酸，所述冷却工序一面冷却来液化已生成的六氟硅酸，一面使其水解来生成氢氟酸。
第1项所述的发明在蒸馏机构中添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体(6HF+SiO2→H2SiF6+2H2O)。由此，可抑制氟离子与吸附剂中所含的金属离子反应，提高氢氟酸生成效率。而且，由于通过添加结晶性二氧化硅来抑制吸附剂的二氧化硅因强酸或强碱而减少，因此可抑制吸附剂劣化。
第2项所述的发明的效果是，在蒸馏机构中，即使吸附剂所含的铝成分被强酸或强碱溶出，通过添加磷酸，仍可防止溶出的铝与氟结合，并促进氟化物(HF)的溶出。
第3项所述的发明通过将上述蒸馏机构中蒸馏操作的加热温度设定为110℃～160℃，可仅馏出六氟硅酸，并抑制馏出其它重金属有害物质。亦即，由于重金属的沸点甚高，例如铅为1740℃，镉为766℃，铬为 2200℃，三氧化二砷为278℃，汞为356℃，相较于此，六氟硅酸的沸点约为110℃，因此在110℃～160℃的范围，仅六氟硅酸气化而馏出，从而可以抑制重金属馏出。
第4项所述的发明具备利用水蒸气将六氟硅酸清洗至冷却机构的清洗机构，在上述蒸馏操作的加热温度达到130℃以后再利用水蒸气进行清洗，由此来防止由于水蒸气凝聚而造成液量增加，可防止再生氢氟酸的浓度降低。进一步而言，由于可防止六氟硅酸在中途路径被水解而停滞，因此可防止六氟硅酸的馏出恶化。
第5项所述的发明将水蒸气的清洗的初期速度设定为1分钟送出相对于反应物总量约1/10以下的量的水蒸气的速度，并阶段性地加快清洗速度，在由冷却机构所生成的氢氟酸量相对于上述反应物总量达到约 1～5倍的阶段，停止水蒸气的清洗，从而能以最小限度的水蒸气量，有效地进行六氟硅酸气体的清洗，可防止所获得的氢氟酸的浓度降低。亦即，在蒸馏机构中反应初期阶段，由于六氟硅酸气体的馏出积极进展，因此将水蒸气速度较小地设定为1分钟相对于反应物量的总量为1/10 的量，并随着六氟硅酸气体的馏出速度降低来阶段性地提高水蒸气速度，以便稳定地清洗氟化物，在所生成的氢氟酸量相对于清洗所用的反应物总量达到约1～5倍的时刻停止清洗，从而可抑制清洗所用的总水蒸气量，并且可以将所生成的大致全部的六氟硅酸气体向冷却机构赶出。
第6项所述的发明的效果是，在上述冷却机构1℃～20℃的范围将六氟硅酸气体及水蒸气液化来获得氢氟酸，由此在用于清洗的水蒸气液化的过程中，六氟硅酸会被水解而成为氟化物(HF)及四氟化硅(SiF4)，由于具有沸点为-86℃的低沸点的四氟化硅(SiF4)在分解后会气化，并经由除去装置而排出至外部，因此仅具有约20℃以上的沸点的氟化物 (HF)未气化，可溶于水而成为氢氟酸来回收。
第7项所述的发明仍旧在蒸馏工序中添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体，由此可抑制氟离子与吸附剂中所含的金属离子反应，可提高氢氟酸生成效率。而且，通过添加结晶性二氧化硅来抑制吸附剂的二氧化硅因强酸或强碱而减少，因此可抑制吸附剂劣化。

附图说明

图1是模式性地表示实施方式的氢氟酸生成装置的结构图。
图2是表示比较氢氧化钠与硫酸从吸附剂溶出氟化物的量的实验结果图。
符号说明
1 蒸馏塔
2 加热炉
4，5 通路
8 原料投入口
10 水蒸气发生层
11 溶液槽
16 冷却层
41 结晶二氧化硅槽
43 磷酸槽

具体实施方式

根据以下图式来详述本发明的实施方式。
图1表示本实施方式的氢氟酸生成装置的模式图。本氢氟酸生成装置设置作为蒸馏机构的蒸馏塔1，在此蒸馏塔1的内部设置加热炉2及连通于此加热炉2的原料投入通路3，并且设置连通加热炉2与蒸馏塔 1的上部一侧的水蒸气供给用的螺旋状通路4、及连通加热炉2与蒸馏塔1的上部另一侧的六氟硅酸气体送出用的螺旋状通路5。
在原料投入通路3，经由开闭阀6及送料斗7而连接有原料投入口 8，并进一步在原料投入通路3，经由开闭阀42而连接有结晶性二氧化硅槽41，并且经由开闭阀44而连接有磷酸槽43。而且，在加热炉2，经由开闭阀12而连接溶液槽11，该溶液槽11储存有强碱溶液例如氢氧化钠(NaOH)或强酸溶液例如硫酸(H2SO4)。然后，在通路4，经由开闭阀9而连接有水蒸气发生槽10。水蒸气发生槽10加热纯水来生成纯水的水蒸气，将此水蒸气从通路4向加热炉2内供给，来清洗流通于通路5的六氟硅酸气体。并且，在加热炉2的底部，经由管线35及开闭阀36而设置有密封型的废液槽37。此管线35设置于不允许后述吸附剂通过、并仅允许废液流下至废液槽37的固液分离通路。此固液分离通路亦可形成网状通路或在管线35的上部设置过滤器来构成。
在通路5的送出端，经由设有防逆流阀14的连通路15而连接有作为冷却机构的冷却塔16。此冷却塔16将通过蒸馏操作所生成的六氟硅酸气体液化并使其水解来形成氢氟酸(HF+H2O)；此冷却塔16具备内管17以及冷却线圈18，所述内管17使六氟硅酸气体从其上端流下并连接于上述防逆流阀14下端，所述冷却线圈18螺旋状地卷绕于该内管17 的外周并在内部流通有冷却水(工业用水或纯水)。而且，在上述防逆流阀14的上端连接有除去器46，其除去由六氟硅酸气体的水解所产生的四氟化硅气体。此外，使用防逆流阀14来防止由蒸馏停止时的温度减少所伴随的压力差所引起的从冷却塔16馏出的氟化氢酸逆流，也可使用附防逆流阀的开闭阀来代替防逆流阀14。进一步而言，在上述内管 17的下端，经由开闭阀19及管线20而设置有储藏已液化的氟化氢酸的储藏槽21。
在储藏槽21的下一段，经由开闭阀22、管线23及开闭阀24而连接有多个作为浓缩机构的浓缩塔25，26，27。浓缩塔25，26，27是对应于用途目的来将由冷却塔16所液化的氢氟酸浓缩为特定的氢氟酸浓度的浓缩机构，其通过蒸发特定量的作为氢氟酸中溶剂的水分来调整氢氟酸浓度。各浓缩塔25，26，27的氢氟酸浓度分别相同或不同均可。此外，由于H2O在100℃蒸发，氢氟酸的沸点为108℃，因此在100℃以下进行加热浓缩。然后，在浓缩塔25，26，27的上部设置管线29，其具备浓缩时使水蒸气散逸至大气中的防逆流阀构造的散逸阀28。而且，在浓缩塔25，26，27的下部，经由管线30及开闭阀31而设置有储存被浓缩为特定浓度的氢氟酸的储藏槽32，33，34。
接着，对使用上述构成的氢氟酸生成装置的氢氟酸生成方法进行说明。
首先，在原料投入口8投入固体的使用完毕的吸附剂A。吸附剂A 是以活性氧化铝(此活性氧化铝是多孔质且具有大的比表面积的非结晶质氧化铝，具有吸附力强的特性)及二氧化硅(SiO2)作为主成分的陶瓷系吸附剂；通过此吸附剂可从混合多种重金属等有害物质的氢氟酸排水、废液中，利用吸附过滤法来同时或阶段性除去包含该排水、废液中的氟在内的多种有害物质。这里，使用因使用而成为吸附饱和状态的吸附剂A。在此吸附饱和状态的吸附剂A中，HF(氟化物)成为作为吸附剂A成分的二氧化硅(SiO2)与HF(氟化物)结合的化合物，即六氟硅酸(H2SiF6)的状态。即，HF(氟化物)单体中氟离子容易与其它金属结合，但在吸附饱和状态的吸附剂A中，由于呈现为六氟硅酸的状态，因此氟离子不易与其它金属结合。此吸附剂A经由送料斗7、开闭阀6、通路3而落至加热炉2。
在此加热炉2内预先从溶液槽11注入与吸附剂A的重量相应的强碱(例如氢氧化钠)或强酸(例如硫酸)的溶液B。由此，落至加热炉 2的使用完毕的吸附剂A与强碱或强酸的溶液B反应而溶出氟化物。此外，在吸附剂A上同时吸附有氟化物及铅或溶解性铁等金属成分时，在蒸馏塔1中若与强碱溶液或强酸溶液反应，则从吸附剂A除了溶出氟化物，还会溶出金属成分。
投入加热炉2的溶液B可根据状况来适当选择。例如溶液B若使用硫酸，则伴随蒸馏操作可能也会微量蒸馏出硫酸根离子(SiO4 -)，虽产生混合于馏出液的影响，但硫酸根离子不属于排水限制及地下渗透限制法等的限制物质，在金属洗涤工序中，有时也将氢氟酸及硝酸、硫酸等混合来作为混合酸使用，因此其影响程度小。而且，硫酸根离子亦已确立了以市售的专用离子交换树脂来吸附除去、或使其与溶解性铁化合而制成硫化铁来进行沉淀处理的一般处理方法，根据情况从馏出液进行除去处理的方法也是容易的。
进一步而言，若使用氢氧化钠来进行溶出处理，可避免硫酸根离子混合于馏出液。图2表示比较氢氧化钠与硫酸从吸附剂A溶出氟化物量的实验结果。如图2所示，作为从吸附剂A的含金属成分的氟化物的溶出处理，氢氧化钠(NaOH)或硫酸(H2SO4)的任一方均显示出溶出，但氢氧化钠的溶出效果稍大。
如此，根据使用者所要求的氢氟酸规格，混合硫酸根离子不会构成问题时以硫酸来进行溶出处理，要求氢氟酸纯度(无其它杂质)时则宜以氢氧化钠来进行处理。
并且，从结晶性二氧化硅槽41将微量的结晶性二氧化硅与吸附剂A 一同投入加热炉2，并进一步从磷酸槽43投入微量的磷酸。未添加结晶性二氧化硅时，在加热炉2内溶出的氟化物与金属成分会反应而生成金属氟化物。金属氟化物的沸点非常高，难以进行蒸馏操作。然而，通过添加微量的结晶性二氧化硅，即可防止氟化物(HF)与金属反应，并再度生成六氟硅酸(H2SiF6)。
而且，若使用吸附剂A与作为强酸溶液的硫酸来反应，作为吸附剂 A成分的二氧化硅与氟化物反应所生成的六氟硅酸维持原样而溶出，吸附剂A的成分消失，产生无法再次使用的问题，但通过添加结晶性二氧化硅具有可以防止该问题的优点。
此外，由于氟化物难以与非结晶的二氧化硅反应，因此若使用非结晶的二氧化硅，伴随于蒸馏操作的六氟硅酸的再生成及馏出会大幅降低，因此须选择结晶性的二氧化硅。
进一步而言，未投入微量磷酸时，作为吸附剂A主成分的活性氧化铝，亦即铝成分会与强碱或强酸的溶液B反应，被捕捉进入吸附剂A 中的氟化物无法溶出，并与铝成分引起金属结合而发生生成金属氟化物的反应。作为此反应的阻碍剂，可通过添加微量磷酸来阻止铝成分与氟化物反应。
如以上，在加热炉2中，从吸附剂A溶出的氟化物(HF)与结晶性二氧化硅反应，如以下化学式所示生成六氟硅酸(H2SiF6)及水 (2H2O)。
6HF+SiO2→H2SiF6+2H2O
这里，将通过加热炉2所进行的蒸馏操作的加热温度设定为120℃～ 160℃，更宜设定为130℃～150℃，尤宜设定为145℃，则由于六氟硅酸的沸点约为110℃，水沸点约为100℃，因此双方均可成为气化状态。由此范围的温度，仅沸点低的六氟硅酸气化，六氟硅酸的馏出成为最大，从而可以阻止沸点高的其它重金属有害物质蒸发。
如此所生成的六氟硅酸(H2SiF6)利用从水蒸气发生槽10送来的水蒸气被清洗至冷却塔16。利用水蒸气开始清洗的时机设定为蒸馏塔1 中的加热温度达到130℃以上的阶段。此外，若在蒸馏塔1的温度小于 130℃的较低温度下生成水蒸气，则水蒸气会在中途的配管路径上凝聚，六氟硅酸气体在中途停滞，结果由于配管面上生成的水分，会在被导引至冷却槽16的中途阶段引起水解，进入冷却槽16的六氟硅酸浓度降低。而且，由于水蒸气在中途阶段凝聚为水分，因此水蒸气量增加、进而六氟硅酸浓度降低这一恶性循环重复，六氟硅酸的馏出效率降低，导致再生的氢氟酸浓度降低。另一方面，若使用蒸馏槽1的加热温度在130℃ 以上所生成的水蒸气，即使与100℃的水蒸气混合，温度仍不会成为 100℃以下，在路径中途几乎没有水蒸气凝聚，可大致最大限度地向冷却槽16送入六氟硅酸气体。
另外，若上述清洗的水蒸气量多，则馏出液的浓度降低，亦即在冷却槽16冷却、发生水解而生成的氢氟酸的浓度降低。因此，如下控制从水蒸气发生槽10送入的水蒸气速度。亦即，水蒸气发生速度在初期阶段由于六氟硅酸气体的馏出积极地进展，因此以减少水蒸气量为目的，1分钟的速度设定为相对于反应物量的总量产生1/10的量的速度，并阶段性地加快速度，在馏出的液量总量相对于反应物量达到约1倍～ 5倍左右的阶段，停止水蒸气的清洗。由此，能以最小限度的水蒸气量有效地进行六氟硅酸气体总量的馏出，可防止氢氟酸浓度降低。
送至冷却塔16的六氟硅酸气体及清洗用的纯水水蒸气在流下内管 17的期间，被冷却线圈18冷却至1℃～20℃的温度范围，更宜冷却至 10℃左右而液化。此外，还可使用冷媒来代替流通于冷却线圈18的冷却水，并将冷却温度设定于10℃以下左右。在此冷却过程中，六氟硅酸如下述反应式所示被水解，并分解为氟化物、水及四氟化硅(气体)。
H2SiF6→2HF+SiF4↑
所生成的四氟化硅的沸点低至-86℃，因此在此温度下为气化状态，从连接于上述内管17的上端部的防逆流阀14经由除去器46被分解排出。
另一方面，所生成的氟化物(HF)的沸点约20℃，在冷却塔16的冷却温度下不会气化，而且由于具有迅速溶于水的性质，因此溶入纯水中而成为氢氟酸，并暂时储藏于储藏槽21。
储藏于储藏槽21的氢氟酸经由开闭阀22、管线23、开闭阀24而供给至浓缩塔25、26、27，并调整为所需的氢氟酸浓度。若例示有关此氢氟酸浓度的调整，相对于1900升的纯水，由六氟硅酸气体液化而水解所生成的氢氟酸(馏出液)为100升时，生成浓度为5％的氢氟酸，若在浓缩塔使其蒸发1000升的水分，则成为100/(900+100)×100＝ 10％的氢氟酸，可将氢氟酸浓度浓缩为2倍。即，仅通过蒸发水分量，可任意浓缩氢氟酸浓度。此外，若例如使用者所期待的氢氟酸浓度为1 种，则浓缩塔仅为1个即可。
如以上所详述，上述实施方式的氢氟酸生成装置是利用以活性氧化铝(Al2O3)及二氧化硅(SiO2)作为主成分的陶瓷系吸附剂A，将含有氟化物HF的氟化合物或混合物，例如排水、废液、废弃物及废气中所含有的氟化物进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂A来使氢氟酸再生的装置；其中，具备蒸馏槽1及冷却槽16，蒸馏槽1添加吸附剂 A、强碱或强酸的溶液B、微量磷酸及结晶性二氧化硅，使氟化物从吸附剂A分离后，再度生成六氟硅酸，并使其气化，冷却槽16将由水蒸气的蒸馏操作所生成的六氟硅酸气体液化并水解来形成氢氟酸。
根据此结构，蒸馏槽1使吸附剂A与例如氢氧化钠或硫酸的溶液B 反应，使吸附于吸附剂A的氟化物及其它杂质溶出，利用氟化物会迅速与结晶性二氧化硅反应的性质，来再度生成六氟硅酸(H2SiF6)，六氟硅酸在约110℃以上的温度下会容易气化而馏出。由于六氟硅酸的沸点较水稍高而约为110℃左右，因此容易与水分离，并且由于沸点低，因此热能也小，故蒸馏成本也低廉。
而且，根据六氟硅酸容易水解的性质，经水蒸气清洗过的六氟硅酸气体与水蒸气混合后，利用冷却时水蒸气成为水的性质，经液化的六氟硅酸与水反应而水解，从而可以从六氟硅酸容易地获得氢氟酸。
专利文献1：特开2004-345949号公报

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氢氟酸制造方法-专利编号CN102774813A	2020-05-11	686
氢氟酸生成装置及氢氟酸生成方法-专利编号CN101277899A	2020-05-12	194
氢氟酸灌装系统-专利编号CN103879944B	2020-05-11	312
工业氢氟酸除砷的方法-专利编号CN103864018B	2020-05-13	613
氢氟酸处理装置-专利编号CN101439898A	2020-05-11	895
氢氟酸处理系统-专利编号CN102569008A	2020-05-12	1037
氢氟酸灌装系统-专利编号CN103879944A	2020-05-11	739
氢氟酸生成装置及氢氟酸生成方法-专利编号CN101277899B	2020-05-12	171
一种氢氟酸除砷工艺-专利编号CN108609585A	2020-05-13	182
一种新型氢氟酸专用筛-专利编号CN108889603A	2020-05-13	713

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