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    • 8. 发明申请
    • 基準電圧生成回路および半導体装置
    • 参考电压发生电路和半导体器件
    • WO2016136114A1
    • 2016-09-01
    • PCT/JP2015/086129
    • 2015-12-24
    • 富士電機株式会社
    • 張 艶争
    • G05F3/24H02M3/07H03F3/70H03K19/0185
    • H02M3/07G05F3/24H02M1/08H03K17/063H03K19/017509H03K2217/0081
    •  内部グランドの電位変動を低減し、回路の誤動作の防止を図る。 基準電圧生成回路(1)は、分圧回路(1a)、トランジスタ(M1)およびコンデンサ(C1)を備える。分圧回路(1a)は、電源電圧(VCC)を所定レベルに分圧して所定電圧(Va)を生成する。トランジスタ(M1)は、所定電圧(Va)がゲートに印加され、所定電圧(Va)と、自己の閾値電圧(Vth)とを加算した電圧を、基準電圧(Vref)としてドレインから出力する。コンデンサ(C1)は、トランジスタ(M1)のゲートとソースとをバイパスする。また、コンデンサ(C1)の一端は、トランジスタ(M1)のゲートに接続し、コンデンサ(C1)の他端は、トランジスタ(M1)のソースおよびグランドに接続する。さらに、トランジスタ(M1)のドレインには、電荷を出力する電荷出力源(2a)が接続される。
    • 本发明的目的是减少内部地电位波动,从而防止电路故障。 提供了一种参考电压发生电路(1),包括分压器电路(1a),晶体管(M1)和电容器(C1)。 分压器电路(1a)将电源电压(VCC)分为规定电平,并产生规定电压(Va)。 规定的电压(Va)被赋予晶体管(M1)的栅极。 所述晶体管(M1)从漏极输出作为晶体管(M1)的规定电压(Va)和阈值电压(Vth)之和的电压作为来自漏极的基准电压(Vref)。 电容器(C1)绕过晶体管(M1)的栅极和源极。 电容器(C1)的一端连接到晶体管(M1)的栅极,电容器(C1)的另一端连接到晶体管(M1)的源极和地。 输出电荷的电荷输出源(2a)连接到晶体管(M1)的漏极。
    • 9. 发明申请
    • 基準電圧源回路
    • 参考电压源电路
    • WO2013125163A1
    • 2013-08-29
    • PCT/JP2013/000600
    • 2013-02-04
    • パナソニック株式会社
    • 高橋 桂太
    • H01L21/822G05F3/24H01L27/04H03F1/30
    • G05F3/16G05F3/24G05F3/242H01L27/092H03K17/687
    •  基準電圧発生回路は、電流源21と接地との間に直列に接続された第1トランジスタ22と第2トランジスタ23とを備えている。第1トランジスタ22および第2トランジスタ23のゲート絶縁膜は膜厚が等しい同一膜種からなる。第1トランジスタ22および第2トランジスタのゲート電極は含まれる不純物が、互いに異なる導電型であるか、または同一導電型で且つ含まれる濃度が互いに異なる。第1トランジスタ22はゲート幅が、第2トランジスタ23よりも広く、基準電圧を外部に出力する際には、第1トランジスタ22および第2トランジスタ23は、サブスレッショルド領域で動作する。
    • 在本发明中,参考电压产生电路具有串联连接在电流源(21)和地之间的第一晶体管(22)和第二晶体管(23)。 第一晶体管(22)和第二晶体管(23)的栅极绝缘膜由具有相同膜厚度的相同种类的膜形成。 包含在第一晶体管(22)的栅电极中的杂质和包含在第二晶体管的栅电极中的杂质的导电类型彼此不同,或者具有相同的导电类型并且以彼此不同的浓度包含。 第一晶体管(22)的栅极宽度大于第二晶体管(23)的栅极宽度,并且在向外部输出基准电压时,第一晶体管(22)和第二晶体管(23)以 次阈值区域。