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1. 发明申请

WO2018125675A1 REFERENCE VOLTAGE GENERATOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2018125675A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/US2017/067315
申请日：2017-12-19
申请人： AUCMOS TECHNOLOGIES USA, INC.
发明人： QIAN, Wei , LU, Teh-Shang
IPC分类号： G05F3/24 , H03H7/01
CPC分类号： G05F3/24 , H03H7/06
摘要： A reference voltage generation circuit includes (a) a native MOS transistor coupled to between a power supply voltage source, and the output terminal of the reference voltage generation circuit; (b) an enhancement mode MOS transistor coupled between the output terminal and ground; and (c) a filter circuit that are coupled to the gate terminals of both the native MOS transistor, the enhancement mode transistor and the output terminal of the reference voltage generation circuit, in which the filter circuit has a transfer function including one or more zeroes at predetermined noise frequencies.

2. 发明申请

WO2014199240A2 ALL-CMOS, LOW-VOLTAGE, WIDE-TEMPERATURE RANGE, VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：全CMOS，低电压，宽温度范围，电压参考电路
公开(公告)号：WO2014199240A2
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/IB2014/001996
申请日：2014-05-19
申请人： GEORGIOU, Julius , ANDREOU, Charalambos, Micheal
发明人： GEORGIOU, Julius , ANDREOU, Charalambos, Micheal
IPC分类号： G05F3/24
CPC分类号： G05F3/24 , G05F3/245
摘要： A CMOS voltage reference is disclosed. The CMOS voltage reference may include a PTAT current bias circuit including a start-up circuit, a core module implementing high order non-linear curvature compensation and an output stage supplying the reference voltage. The CMOS voltage reference may include a PTAT current bias circuit having a start-up and a CTAT feedback loop and a PTAT feedback loop and a compensating circuit summing the current from the CTAT feedback loop and the PTAT feedback loop.
摘要翻译：公开了CMOS参考电压。 CMOS电压基准可以包括PTAT电流偏置电路，其包括启动电路，实现高阶非线性曲率补偿的核心模块和提供参考电压的输出级。 CMOS电压参考可以包括具有启动和CTAT反馈环路的PTAT电流偏置电路和PTAT反馈回路以及对来自CTAT反馈回路和PTAT反馈回路的电流求和的补偿电路。

3. 发明申请

WO2013133733A1 REFERENCE VOLTAGE SOURCE AND METHOD FOR PROVIDING A CURVATURE-COMPENSATED REFERENCE VOLTAGE 审中-公开
标题翻译：参考电压源和提供曲线补偿参考电压的方法
公开(公告)号：WO2013133733A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/RU2012/000160
申请日：2012-03-05
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC , KOCHKIN, Ivan Victorovich , RYABCHENKOV, Sergey Sergeevich
发明人： KOCHKIN, Ivan Victorovich , RYABCHENKOV, Sergey Sergeevich
IPC分类号： G05F3/30
CPC分类号： G05F3/16 , G05F3/20 , G05F3/22 , G05F3/24 , G05F3/30
摘要： A reference voltage source (11) comprises a bandgap voltage reference circuit (10) having a first node (A) and an output node (VOUT), the output node (VOUT) being arranged for providing a reference voltage (VOUT). A curvature correction circuit (12) has an input node connected to the output node (VOUT) and/or to a base of a first bipolar device (Q1) of the bandgap voltage reference circuit (10) and/or to a base of a second bipolar device (Q2) of the bandgap voltage reference circuit (10). The curvature correction circuit (12) has an output node connected to the first node (A) of the bandgap voltage reference circuit (10). The curvature correction circuit (12) comprises a current source (CS) for providing a current (ITI) having a different temperature dependency (х3) than a temperature dependency (x1) of a first current (IC1) through the first bipolar device (Q1) of the bandgap voltage reference circuit (10).
摘要翻译：参考电压源（11）包括具有第一节点（A）和输出节点（VOUT）的带隙电压参考电路（10），所述输出节点（VOUT）被布置用于提供参考电压（VOUT）。曲率校正电路（12）具有连接到带隙电压参考电路（10）的输出节点（VOUT）和/或连接到第一双极器件（Q1）的基极的输入节点和/或连接到带隙电压参考电路（10）的第二双极器件（Q2）。曲率校正电路（12）具有连接到带隙电压基准电路（10）的第一节点（A）的输出节点。曲率校正电路（12）包括电流源（CS），用于提供具有与通过第一双极器件（Q1）的第一电流（IC1）的温度依赖性（x1）不同的温度依赖性（х3）的电流（ITI））带隙电压参考电路（10）。

4. 发明申请

WO2003091818A1 SCHALTUNGSANORDNUNG ZUR SPANNUNGSREGELUNG MITTELS EINES SPANNUNGSTEILERS 审中-公开
标题翻译：采用分压电路用于电压控制
公开(公告)号：WO2003091818A1
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/DE2003/001135
申请日：2003-04-07
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SCHLAFFER, Andreas
发明人： SCHLAFFER, Andreas
IPC分类号： G05F3/24
CPC分类号： G05F3/24
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Spannungsregelung mit einem Spannungsteiler zwischen einer Hochspannung und einem Bezugspotential, wobei an einem Anschluss einer Diode eine Ausgangsspannung abgreifbar ist und eine Regelschaltung zur Regelung des ersten Potentials aufgrund eines Vergleichs der Ausgangsspannung mit einer Referenzspannung, wobei das Teilerverhältnis durch das Aktivieren bzw. das Deaktivieren einer oder mehrerer Dioden (T¿n-1?, T¿n?) veränderbar ist. Die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung dadurch gekennzeichnet, dass das Teilerverhältnis zusätzlich durch Einstellung der Höhe des Spannungsabfalls bei zumindest einer der Dioden veränderbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种电路装置，用于具有高电压和基准电位，其中，在二极管的端子，输出电压可以被分接和用于控制基于与基准电压的输出电压的比较第一电位的控制电路之间的分压器电压调节，其特征在于通过激活分压比（？T¿n-1 <，T¿n）是可变的或去激活一个或多个二极管。本发明的电路装置，其特征在于所述分压比可另外通过调整二极管中的至少一个上的电压降的量而改变。

5. 发明申请

WO1995009483A1 IMPROVED SUPPLY VOLTAGE DETECTION CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：改进的电源电压检测电路
公开(公告)号：WO1995009483A1
公开(公告)日：1995-04-06
申请号：PCT/US1993009321
申请日：1993-09-30
申请人： MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , NKK CORPORATION , LIN, Tien-Ler , YIU, Tom, Dang-Hsing
发明人： MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , NKK CORPORATION
IPC分类号： H03K05/24
CPC分类号： G05F3/24
摘要： A voltage detection circuit for preventing the erasing and programming of a nonvolatile memory device during power up and power down sequences. A power source is coupled to the high voltage (Vpp) and the low voltage input (Vcc) to provide a reference voltage (Vccx) in response to the greater of the high voltage input (Vpp) or the low voltage input (Vcc). A low voltage detector (4) is coupled to the low voltage input (Vcc) and the reference voltage (Vccx) and has circuitry to provide a first not-ready signal (LVcc) when the voltage on the low input (Vcc) falls below a predetermined low voltage threshold. A high voltage detector (6) is coupled to the high voltage input (Vpp), the reference voltage (Vccx), and the output of the low voltage detector (LVcc) and has circuitry to provide a second not-ready signal (Vpph/Vdphb) when either the first non-ready signal (Vcc) is received or the voltage on the high voltage input falls below a predetermined high voltage threshold. The not-ready signals (LVcc) prevent erasing or programming operations to occur in the nonvolatile memory device.
摘要翻译：一种用于在上电和断电序列期间防止非易失性存储器件的擦除和编程的电压检测电路。电源耦合到高电压（Vpp）和低电压输入（Vcc），以响应于较高的高电压输入（Vpp）或低电压输入（Vcc）而提供参考电压（Vccx）。低电压检测器（4）耦合到低电压输入（Vcc）和参考电压（Vccx），并且当低电平输入（Vcc）上的电压低于电压时，具有提供第一未就绪信号（LVcc）的电路预定的低电压阈值。高电压检测器（6）耦合到高电压输入（Vpp），参考电压（Vccx）和低电压检测器（LVcc）的输出，并且具有提供第二未就绪信号（Vpph / 当接收到第一非就绪信号（Vcc）或高电压输入端的电压低于预定的高电压阈值时，Vdphb）。未就绪信号（LVcc）防止在非易失性存储器件中发生擦除或编程操作。

6. 发明申请

WO1993005513A1 CIRCUIT FOR CONTROLLING THE PROGRAMMING VOLTAGE OF PROGRAMMABLE MEMORIES 审中-公开
标题翻译：用于控制可编程存储器编程电压的电路
公开(公告)号：WO1993005513A1
公开(公告)日：1993-03-18
申请号：PCT/FR1992000833
申请日：1992-08-31
申请人： GEMPLUS CARD INTERNATIONAL , KOWALSKI, Jacek
发明人： GEMPLUS CARD INTERNATIONAL
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C16/30 , G05F1/465 , G05F3/24 , G11C5/147
摘要： Circuits for producing a voltage Vpp from a lower Vcc power supply. Such circuits are useful, for example, in the production of voltage for programming cells of an electrically programmable memory. According to the invention, the circuit includes a charge pump (PMP), a control system (REG) for discontinuing running of the charge pump when voltage (Vpp) exceeds a predefined voltage (VppO), as well as the following elements: a means (Ti) for discontinuing current consumption of the control system upon discontinuing running of the charge pump; and a control circuit (CTRL) for monitoring voltage Vpp and verifying that it does not fall beyond an inferior value dV below VppO. The circuit restores at the same time running of the charge pump and the control system's current supply. The Vpp production circuit current consumption is thereby substantially reduced.

7. 发明申请

WO1992016887A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND BUILT-IN POWER CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：半导体器件和内置电源电路
公开(公告)号：WO1992016887A1
公开(公告)日：1992-10-01
申请号：PCT/JP1992000326
申请日：1992-03-18
申请人： FUJITSU LIMITED , FURUMOCHI, Kazuto
发明人： FUJITSU LIMITED
IPC分类号： G05F01/56
CPC分类号： G05F1/63 , G05F1/56 , G05F3/24 , G11C5/147 , H01L27/0218 , H03K17/145 , H03K17/166
摘要： A power circuit to be preferably incorporated in a semiconductor device and for following noises due to the operation of an internal circuit serving as a load, which applies negative feedback to a variable resistance element (500) by a voltage comparator (300) and variable resistor driver (400) when the voltage Vdd applied to an internal circuit (100) due to the fluctuation of the supply voltage Vcc or operation of the internal circuit (100) fluctuates comparatively slowly. The circuit also quickly applies negative feedback to the variable resistance element (500) by a condenser (C1) for instantaneous fluctuation (noise) of the internal circuit applied voltage Vdd due to the operation of the internal circuit (100).

8. 发明申请

WO2018104828A1 ENCODER, DECODER, AND TELEVISION RECEIVER 审中-公开
公开(公告)号：WO2018104828A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：PCT/IB2017/057512
申请日：2017-11-30
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： INOUE, Hiroki , KUROKAWA, Yoshiyuki , NAKAGAWA, Takashi , AKASAWA, Fumika
IPC分类号： H04N19/625 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H03M7/30 , H04N19/42
CPC分类号： H04N19/625 , G05F1/46 , G05F3/24 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1225 , H01L29/78648 , H03M7/30 , H04N19/42
摘要： To provide a decoder whose area is reduced. The decoder includes an inverse discrete cosine transform (IDCT) circuit. The IDCT circuit includes a multiplier circuit. The multiplier circuit includes an arithmetic circuit that multiplies a first current and a second current, a current generator that generates the first current, and a digital-analog converter that generates a reference current used by the current generator. The current generator includes a current mirror circuit (CM circuit) including first and second transistors, a third transistor, a switch that controls the current output, and first and second memory circuits. The reference current of the CM circuit is input to a drain of the first transistor, and a current which copies the reference current is output from a drain of the second transistor. A drain of the third transistor is electrically connected to the drain of the second transistor. The switch controls the first current output.

9. 发明申请

WO2018012083A1 スイッチング回路、自動利得制御回路および位相同期回路审中-公开
标题翻译：开关电路，自动增益控制电路和相位同步电路
公开(公告)号：WO2018012083A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：PCT/JP2017/016371
申请日：2017-04-25
申请人：ソニー株式会社
发明人：永田　隼 , 新家　暁 , 小路　法男
IPC分类号： H03K5/08 , G05F3/24 , H03G3/30 , H03L7/089 , H03L7/18
CPC分类号： G05F3/24 , H03G3/30 , H03K5/08 , H03L7/089 , H03L7/18
摘要：信号のレベルに応じてオン状態またはオフ状態に移行するトランジスタを備えるＡＧＣ回路において、低域ノイズを低減しつつ、リーク電流を低減する。　スイッチング回路は、第１のバイポーラトランジスタ、第２のバイポーラトランジスタおよび比較部を具備する。第２のバイポーラトランジスタは、第１のバイポーラトランジスタに接続点でカスコード接続され、ベースに閾値電圧を下回らない一定のバイアス電圧が印加される。また、比較部は、入力信号と所定の参照信号とを比較して当該比較結果を示す一対の差動出力信号を第１のバイポーラトランジスタのベースと接続点とに出力する。
摘要翻译：在AGC电路，包括导通状态的晶体管转移到或关闭状态取决于
信号的电平，同时减少了低频噪声，减少了泄漏电流。开关电路包括第一双极晶体管，第二双极晶体管和比较器。第二双极晶体管在连接点处与第一双极晶体管共源共栅连接，并且向基极施加不低于阈值电压的恒定偏置电压。比较器将输入信号与预定参考信号进行比较，并将表示比较结果的一对差分输出信号输出到第一双极晶体管的基极和连接点。

10. 发明申请

WO2017178060A1 POWER SUPPLY SWITCHING CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：电源开关电路
公开(公告)号：WO2017178060A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：PCT/EP2016/058296
申请日：2016-04-14
申请人： U-BLOX AG
发明人： NERI, Filippo
IPC分类号： H02J1/10
CPC分类号： G05F3/24 , H02J1/10
摘要： Disclosed is a power supply switching circuit comprising: a first switch pair for selectively connecting a first power supply node to an output node, a second switch pair for selectively connecting a second power supply node to the output node; and a switch control circuit. The switch control circuit is operable such that a first switch of each of said first switch pair and said second switch pair is controlled by a respective first control signal and a second switch of each of said first switch pair and the second switch pair is controlled by a respective second control signal, so as to connect no more than one of the first power supply node or the second power supply node to the output node at any one time.
摘要翻译：公开了一种电源切换电路，包括：用于将第一电源节点选择性地连接到输出节点的第一开关对，用于选择性地将第二电源节点连接到输出节点的第二开关对 ; 和开关控制电路。开关控制电路可操作以使得所述第一开关对和所述第二开关对中的每一个的第一开关由相应的第一控制信号控制，并且所述第一开关对和第二开关对中的每一个的第二开关由相应的第二控制信号，以在任何一个时间将第一电源节点或第二电源节点中的不多于一个连接到输出节点。

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